• 한국조명전기설비학회:학술대회논문집
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• 한국조명전기설비학회 2003년도 학술대회논문집
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• pp.223-226
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• 2003

본 연구에서는 패러데이 효과(Faraday Effect)를 이용한 초고압 전력설비에서의 광전류 센서의 특성에 대한 기초 연구를 하였다. 광원은 Laser Diode(1310[nm])를 사용하고, 수신부는 PIN-Photodiode를 사용하였다. 센싱부로 사용한 광섬유는 single mode unjacked fiber를 사용하였고, 편광기를 사용하여 빛의 광학적인 편파면을 이용한 전류측정이 가능함을 확인할 수 있었다. 측정 결과에서는 전류에 따른 출력 신호가 나옴으로써 기존 문헌상의 결과와 동일하다는 것을 알 수 있었고 센싱부로 사용한 파이버의 길이에 따른 출력차이를 통해 파이버의 길이가 길수록 강도가 커진다는 것을 알 수 있었다. 또한 길이에 따라 출력의 차이뿐만 아니라 선형성까지도 차이가 난다는 것을 알 수 있었다. reference 값과 광전류센서의 출력 강도와의 오차율을 구했을 때 5[m] 10[m]길이의 광섬유 각각에 대해서 1000[A]이상의 값에서 각각 약 -0.9[%], -0.4[%]의 오차율을 보임을 확인했다. 여기서 인가한 전류값과 길이 즉, 감은 수에 따라 그 오차율이 점점 나아질 수 있다는 것을 알 수 있었다.

• 한국정보통신설비학회:학술대회논문집
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• 한국정보통신설비학회 2008년도 정보통신설비 학술대회
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• pp.296-299
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• 2008

최근 통신시스템과 핸드폰, PDA등의 통신기기들의 발전에 따라 사용자들은 높은 데이터 전송률과 고속의 통신서비스를 요구하고 있다. 이러한 상황에서 유 무선 통합 시스템인 Radio-over-Fiber(RoF) 시스템은 그 대안으로 대두되고 있다. 본 논문에서는 광전자소자를 선 왜곡 방식에 적용하여 광 송신기의 선형성을 향상시키는 방법을 제안하였다. 선 왜곡 방식은 두 개의 루프로 구성되어 있으며, 광 부품인 레이저 다이오드와 포토 다이오드 그리고 RF 부품인 위상변위기, 감쇄기, RF 결합/분배기, RF 증폭기를 사용하였다. 메인 루프에서 주 레이저 다이오드의 비선형성에 의해 발생된 왜곡신호성분은 보조 루프에서 부 레이저 다이오드를 이용하여 추출된 선 왜곡신호에 의해서 제거된다. 제안된 선형화 기법을 적용하여 2.4 GHz에서 선형화 기법을 적용하기 전보다 3차 상호변조 왜곡성분이 약 30dB 향상된 결과를 얻었다.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2007년도 추계학술대회 논문집
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• pp.319-320
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• 2007

We researched basic study about electrical characteristics of Zinc Selenide (Faraday Cell), which is known for various temperature of good-performance, that applied measuring current or protecting instrument by Optical Current Transducer, on Gas Insulated Switchgear. Measuring System consists of VCSEL produced 850nm IR Laser, Pin Photo Diode made of GaAs surveyed as Optical Power Meter, and Optical Fibers specified Multi-mode. We observed optical output changes during measurement of currents increasing by 100[A] in range from 0[A] to 1,000[A] and set temperature condition increasing by $5[^{\circ}C]$ in a range from $30[^{\circ}C]\;to\;60[^{\circ}C]$.

• Applied Science and Convergence Technology
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• 제25권3호
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• pp.61-65
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• 2016

Here, the rapid detection of Salmonella typhimurium by a portable surface plasmon resonance (SPR) biosensor in which the beam from a diode laser is modulated by a rotating mirror is reported. Using this system, immunoassay based on lipopolysaccharides (LPS)-specific monoclonal anti-Salmonella antibody was performed. For the purpose of orientation-controlled immobilization of antibodies on the SPR chip surface, the cysteine-mediated immobilization method, which is based on interaction between a gold surface and a thiol group (-SH) of cysteine, was adopted. As a result, using the portable SPR-based immunoassay, we detected S. typhimurium in the range from 10^7 CFU/mL to 10^9 CFU/mL within 1 hour. The results indicate that the portable SPR system could be potentially applied for general laboratory detection as well as on-site monitoring of foodborne, clinical, and environmental agents of interest.

• 한국기계기술학회지
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• 제13권4호
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• pp.93-99
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• 2011

This paper presents a new type of optical silicon accelerometer using deep reactive ion etching (DRIE) and micro-stereolithography technology. Optical silicon accelerometer is based on a mass suspended by four vertical beams. A vertical shutter at the end of the mass can only moves along the sensing axis in the optical path between two single-mode optical fibers. The shutter modulates intensity of light from a laser diode reaching a photo detector. With the DRIE technique for (100) silicon, it is possible to etch a vertical shutter and beam. This ensures low sensitivity to accelerations that are not along the sensing axis. The microstructure for sensor packaging and optical fiber fixing was fabricated using micro stereolithography technology. Designed sensors are two types and each resonant frequency is about 15 kHz and 5 kHz.

• 한국광학회:학술대회논문집
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• 한국광학회 2003년도 하계학술발표회
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• pp.92-93
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• 2003

초고속 광전송 네트워크에 사용되는 광부품으로 단일 모드 광섬유와의 낮은 광 결합 손실을 가지는 레이저 다이오드 개발이 필수적이다. 이러한 레이저 다이오드의 요구되는 특성으로써 저가의 광부품 제작을 위해 thermoelectric cooler 없이 고온에서 안정된 동작을 하는 uncooled type에, 광 isolator 도움없이 광반사에 의한 광손실을 줄여야 한다. 이러한 요건을 충족시키기 위하여 선택적 영역 MOCVD성장을 이용한 InP／InGaAsP 계열의 SSC-LD(spot-size converter integrated LD)를 연구하여 왔다. (중략)

• ETRI Journal
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• 제40권6호
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• pp.794-801
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• 2018

This paper proposes a novel graphene-based optical microelectromechanical systems MEMS accelerometer that is dependent on the intensity modulation and optical properties of graphene. The designed sensing system includes a multilayer graphene finger, a laser diode (LD) light source, a photodiode, and integrated optical waveguides. The proposed accelerometer provides several advantages, such as negligible cross-axis sensitivity, appropriate linearity behavior in the operation range, a relatively broad measurement range, and a significantly wider bandwidth when compared with other important contributions in the literature. Furthermore, the functional characteristics of the proposed device are designed analytically, and are then confirmed using numerical methods. Based on the simulation results, the functional characteristics are as follows: a mechanical sensitivity of 1,019 nm/g, an optical sensitivity of 145.7 %/g, a resonance frequency of 15,553 Hz, a bandwidth of 7 kHz, and a measurement range of ${\pm}10g$. Owing to the obtained functional characteristics, the proposed device is suitable for several applications in which high sensitivity and wide bandwidth are required simultaneously.

• 센서학회지
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• 제31권1호
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• pp.12-15
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• 2022

In this study, we studied the effects of transfer gate on the photocurrent characteristics of gate/body-tied (GBT) metal-oxide semiconductor field-effect transistor (MOSFET)-type photodetector. The GBT MOSFET-type photodetector has high sensitivity owing to the amplifying characteristic of the photocurrent generated by light. The transfer gate controls the flow of photocurrent by controlling the barrier to holes, thereby varying the sensitivity of the photodetector. The presented GBT MOSFET-type photodetector using a built-in transfer gate was designed and fabricated via a 0.18-㎛ standard complementary metal-oxide-semiconductor (CMOS) process. Using a laser diode, the photocurrent was measured according to the wavelength of the incident light by adjusting the voltage of the transfer gate. Variable sensitivity of the presented GBT MOSFET-type photodetector was experimentally confirmed by adjusting the transfer gate voltage in the range of 405 nm to 980 nm.

• 대한소아치과학회지
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• 제32권4호
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• pp.611-619
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• 2005

본 연구의 목적은 초기 우식 병소에서 광원에 따른 형광효과를 비교하는 것으로 정량 분석형 laser/light 형광법(Quantitative laser/light-induced fluorescence, QLF)을 이용하여 아르곤 레이저광, 할로겐광, 발광다이오드광(LED), 플라즈마광의 형광효과를 비교하였다. 발거된 60개의 치아를 선정한 후, 인공우식용액에 노출되지 않을 부분에 nail varnish를 도포하였고 치아는 24, 48, 72시간 동안 인공우식용액에 보관되었다. 건조 후 QLF영상으로 초기 우식 부위의 광밀도 차이에 의한 탈회정도가 기록되었다. 또한 조영제를 이용하여 동일한 방법으로 실험하였고 다음과 같은 결과를 얻었다 염료를 이용하여 같은 방법으로 실험하여 또 다른 결과를 얻었다. 1. 각 군의 평균 광밀도를 볼 때, 플라즈마광이 세 군 모두에서 다른 광원들 보다 높았다(p<0.05). 2. 세 군 사이에서 평균 광밀도를 비교해 볼 때, 플라즈마광과 할로겐광이 차이를 보였다(p<0.05). 3. 조영제를 사용하였을 경우 평균 광밀도를 비교해 볼 때, 플라즈마광이 세 군 모두에서 다른 광원들보다 높았고 (p<0.05), 발광다이오드광(LED)와 아르곤 레이저광을 제외한 모든 광원이 차이를 보였다(p<0.05). 4. 조영제를 사용하지 않은 경우와 사용한 경우 평균 광밀도를 비교해 볼 때, 사용한 경우에 모든 광원의 평균 광밀도 차이가 컸다.

• 대한전자공학회논문지SD
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• 제41권2호
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• pp.1-8
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• 2004

STM-1 체계의 광통신용 광모듈 송수신부에 내장하기 위한 155.52 Mbps 트랜시버 ASIC을 0.6 ㎛ 2-poly 3-metal 실리콘 CMOS 기술을 이용하여 설계하였다 설계된 ASIC은 시스템에 의해서 처리된 155.52 Mbps 데이터 신호를 LD를 통하여 광신호로 변환하여 상대 시스템으로 송신하는 트랜스미터의 역할과, 상대 시스템으로부터 전송되어온 155.52 Mbps 광신호를 PD로 수신하여 전기신호로 변환하고 원형으로 복구하는 리시버의 역할을 한다. 트랜스미터와 리시버를 하나의 실리콘 기판에 집적하여 단일칩 형태의 트랜시버를 설계하기 위하여, 잡음 및 상호 간섭 현상을 방지하기 위한 배치 상의 소자 격리 방법뿐만 아니라 전원분리, 가드링, 격리장벽 등을 도입한 새로운 설계 방법을 적용하였다. 설계된 칩의 크기는 4 × 4 ㎟이며, 5 V 전원 공급상태에서 소모전력은 900 ㎽로 예측할 수 있었다.