• 한국광학회지
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• 제11권6호
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• pp.434-440
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• 2000

Lambertian 산란 특성을 갖는 난반사체를 적용하고 1kW의 출력을 갖는 고출력 레이저 다이오드를 여기광원으로 이용하여 고출력 Nd:YAG 레이저를 제작하였다. 지름이 5mm인 레이저봉을 사용하고 짧은 공진기를 구성하여 연속발진시켰을 때 약 500W의 고출력을 얻을 수 있었고 이때 기울기 효율은 49% 광변환효율 46.7%로 매우 높은 효율을 얻었다. 지름이 6mm인 레이저봉을 사용하였을때에는 LD여기광의 흡수 분포가 불균일해져서 광변환효율은 감소하였다. 발생한 레이저빔의 빔질인자(Beam Quality Factor) M$^2$는 약 70 정도로 관측되었으며 이는 측정된 열렌즈 초점거리로부터 계산된 빔질인자보다 약간 작은 값으로 여기광의 흡수 분포가 매우 균일함을 보여준다.

• 한국광학회지
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• 제23권1호
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• pp.42-51
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• 2012

본 논문에서는 패브리 페롯 레이저 다이오드(FP-LD : Fabry-Perot LD)에서 활성층 구조에 따른 주입 잠금 특성을 비교하였다. 편광 및 무편광 다중양자우물 구조와 무편광 벌크 구조의 이득 스펙트럼 및 주입 캐리어 밀도에 따른 최대 이득 특성을 TE, TM 편광에 대하여 계산하였다. 계산된 이득 파라미터를 시영역 대신호 모델에 적용하여 FP-LD의 주입 잠금 특성을 확인한 결과, 무편광 FP-LD가 편광 FP-LD 에 비하여 RIN(Relative Intensity Noise) 특성 면에서 약 3 dB 정도 우수하고, 2.5 Gbps 변조시에 아이 특성이 훨씬 우수함을 알 수 있다.

• 한국항행학회논문지
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• 제13권1호
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• pp.34-40
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• 2009

고정밀 레이저 변위기에서 측정하고자하는 목표물인 표적으로부터 반사되어 돌아오는 반사광의 강도에 따라 애벌런치 포토다이오드(APD: Avalanche Photo Diode) 출력신호의 위상 지연이 발생한다. 이 위상지연에 의한 차이는 측정오차의 주요 원인이 되나 이를 측정하기 위한 적절한 계측기와 측정 방법이 없었다. 본 논문에서는 이들 문제를 해결하기 위하여, APD의 수신회로에 반사광량에 비례하는 출력 DC 전압을 측정하여 실시간으로 반사광의 강도를 측정할 수 있는 광량 측정기법을 제시하고 구현하였다.

• Current Optics and Photonics
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• 제2권1호
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• pp.27-33
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• 2018

We report the physical implementation of a tunable photonic microwave delay line filter based on injection locking of a single Fabry-Perot laser diode (FP-LD) to a reflective semiconductor optical amplifier (RSOA). The laser generates equally spaced multiple wavelengths and a single tapped-delay line can be obtained with a dispersive single mode fiber. The filter frequency response depends on the wavelength spacing and can be tuned by the temperature of the FP-LD varying lasing wavelength. For amplitude control of the wavelengths, we use gain saturation of the RSOA and the offset between the peak wavelengths of the FP-LD and the RSOA to decrease the amplitude difference in the wavelengths. From the temperature change of total $15^{\circ}C$, the filter, consisting of four flat wavelengths and two wavelengths with slightly lower amplitudes on both sides, has shown tunability of about 390 MHz.

• 대한기계학회논문집A
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• 제26권12호
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• pp.2687-2694
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• 2002

A precision displacement measuring system is proposed, which can detect the 3-DOF translational motions of precision positioning devices. The optical system, which is composed of two diode-laser sources and two quadratic PSDs, is adapted to detect the position of the spherical reflector usually mounted on the platform of positioning devices. Each of the laser beams from diode-laser sources is reflected at the highly reflective surface of the sphere; hence, the 3-dimensional position of the sphere causes the directional change of the reflected beams, which is detected by the PSDs. In this paper, we define the relationships between the output values of the two PSDs and the 3-DOF translational motions of the sphere. Based on a deduced measurement model, we perform measurement simulation and evaluate the performance of the proposed measurement system: linearity, sensitivity, measuring range, and measurement error. The results show that the proposed measuring method is very useful for the measurement of the precision displacement of 3-DOF micro motions.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2010년도 제39회 하계학술대회 초록집
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• pp.207-207
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• 2010

Both ZnO and GaN have excellent physical properties in optoelectronic devices such as blue light emitting diode (LED), blue laser diode (LD), and ultra-violet (UV) detector. The ZnO/GaN heterostructure, which has a potential to achieve the cost efficient LED technology, has been fabricated by using radio frequency (RF) sputtering, pyrolysis, metal organic chemical vapor deposition (MOCVD), direct current (DC) arc plasmatron, and pulsed laser deposition (PLD) methods. Among them, the PLD system has a benefit to control the composition ratio of the grown film from the mixture target. A 500-nm-thick ZnO film was grown by PLD technique on c-plane GaN/sapphire substrates. The post annealing process was executed at some varied temperature between from $300^{\circ}C$ to $900^{\circ}C$. The morphology and crystal structural properties obtained by using atomic force microscope (AFM) and x-ray diffraction (XRD) showed that the crystal quality of ZnO thin films can be improved as increasing the annealing temperature. We will discuss the post-treatment effect on film quality (uniformity and reliability) of ZnO/GaN heterostructures.

• 한국전기전자재료학회논문지
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• 제22권5호
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• pp.419-424
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• 2009

ZnO films doped with different contents of indium ($0.1{\sim}10$ at.%) were deposited on Si (111) substrate by Pulsed Laser Deposition (PLD). The structural, electrical and optical properties of the films were investigated using XRD, AFM, Hall and PL measurement. Results showed that un-doped ZnO film had (002) plane as the c-axis orientated growth, whereas indium doped ZnO films exhibited the peak of (002) and the weak (101) plane. In addition, in the indium doped ZnO films, the electron concentration is ten times higher than that of un-doped ZnO film, while the resistivity is ten times lower than that of un-doped ZnO film. The indium doped ZnO films have UV emission about 380 nm and show a red shift with increasing contents of indium. The I-V curve of the fabricated diode show the typical diode characteristics and have the turn on voltage of about 2 V.

• 한국광학회지
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• 제19권3호
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• pp.219-223
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• 2008

광대역 파장 가변 레이저를 구현하기 위하여, 폴리머 결합 링 반사기를 반사형 반도체 광증폭기와 하이브리드 집적하여 광대역 파장 가변 레이저를 구현하였다. 도파로 폭과 높이의 제작 오차로 인하여 방향성 결합기의 결합 비 조합이 설계 값에서 다소 벗어나더라도 단일 피크 조건이 유지되도록 설계함으로써, 제작 수율을 높이도록 하였다. 구현한 파장 가변 레이저는 파장 가변 범위가 35 nm, 부모드 억제 비가 30 dB 이상 보임을 확인하였다.

• 한국광학회지
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• 제4권1호
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• pp.101-107
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• 1993

3준위 레이저 rate equation 및 overlap integral로부터 파장 1.48 ${\mu}m$에서 여기된 E$r^{3+}$ 첨가 광섬유 광증폭기를 위한 광섬유 매개 변수의 최적 조건을 계산하였다. 이 계산으로부터 Er3+ 첨가 광섬유 광섬유 광증폭기의 소신호 이득(small signal gain) 특성을 개구수 (N.A.), V값, 광섬유 길이, 차단 파장(cutoff wavelength) 등의 함수로 알아 보았으며 또한, 최대 소신호 이득을 갖기 위한 광섬유 매개 변수를 결정하였다.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2006년도 하계학술대회 논문집 Vol.7
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• pp.477-478
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• 2006

Characteristics of InAs/GaAs quantum dot (QD) ridge laser diodes (LDs) are investigated for high-power $1.3\;{\mu}m$ applications. For QD ridge LDs with a $5-{\mu}m$-wide stripe and a 1-mm-long cavity, the emission wavelength of 1284.1 nm, the single-uncoated-facet CW output power as high as 90 mW, the external efficiency of 0.31 W/A and the threshold current density of $800\;mA/cm^2$ are obtained. The linewidth enhancement factor ($\alpha$-factor) is successfully measured to be between 0.4 and 0.6, which are about four times as small values with respect to conventional quantum well structure. It is possible that this result significantly reduce the filamentation of far-field profiles resulting in better beam quality for high power operation.