• 한국응용과학기술학회지
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• 제29권3호
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• pp.421-428
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• 2012

우리는 순환전압전류법에 의한 폴리이미드와 인지질혼합 나노LB 필름에 대한 전기화학적 특성을 조사하였다. polyamic acid와 인지질 단분자 LB막은 ITO glass에 Langmuir-Blodgett법을 사용하여 제막하였다. 전기화학적 특성은 $KClO_4$ 용액에서 3 전극 시스템 (Ag/AgCl 기준전극, 백금선 카운터 전극 및 LB 필름이 코팅된 ITO 작업 전극)으로 순환전압전류법을 사용하여 측정하였다. 측정 범위는 연속적으로 1650 mV로 산화시키고, 초기전위인 -1350 mV로 환원시켰다. 주사속도는 각각 50, 100, 150, 200 및 250 mV/s였다. 그 결과 polyamic acid와 인지질 혼합물의 LB 필름은 순환전압전류도표로부터 환원전류로 인한 비가역공정으로 나타났다. Polyamic acid와 인지질혼합 LB막에서 확산계수(D)효과는 LAPC를 사용한 경우가 LLPC를 사용한 것 보다 확산계수 값이 적었다.

• 한국응용과학기술학회지
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• 제32권4호
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• pp.789-794
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• 2015

스테아르산과 인지질혼합물의 농도변화에 띠르는 유기초박막에 대한 안정성을 조사하였다. 스테아르산과 인지질 혼합물 유기초박막은 ITO glass에 LB법을 사용하여 제막하였다. 전기화학적 특성은 $NaClO_4$ 용액에서 3 전극 시스템으로 순환전압전류법을 사용하여 초기 1650 mV에서 최종 퍼텐셜 -1350 mV 까지 측정하였다. 그 결과 스테아르산과 인지질의 혼합물 유기초막은 순환전압전류도표로부터 산화전류로 인한 비가역공정으로 나타났다. 스테아르산과 인지질혼합물 LB막(몰비 1:1, 1:2, 1:3)에서 확산계수(D)는 $0.01N\;NaClO_4$에서 각각 $1.4{\times}10^{-3}$, $1.7{\times}10^{-3}$ 및 $1.6{\times}10^{-3}(cm^2/s)$로 산출되었다.

• 콘크리트학회논문집
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• 제19권5호
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• pp.585-593
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• 2007

본 연구에서는 해안 환경에 노출된 콘크리트 구조물의 내구성 평가에 대한 모델을 표면 염소이온농도 $(C_s)$의 시간에 대한 증가와 염소이온 확산계수 (D) 및 임계염소이온농토 $(C_{lim})$를 고려하여 제안하였다. 또한 콘크리트 구조물의 정밀한 내구수명 예측을 위하여 $C_s$와 D의 시간의존성이 고려되었으며, 시간에 따라 변화하는 $C_s$를 고려한 Fick의 제2법칙의 정밀해를 구하였다. $C_s$의 시간의존성에 대해서는, 기존 실험 결과를 바탕으로 시간에 대한 대수 함수 형태의 $C_s$ 모델을 제안하였으며, D의 시간의존성을 고려하기 위하여 구조물의 전체 노출 기간에 대한 시간의 평균값을 적용하였다. 또한 염해 환경 하에 있는 철도 구조물이 100년의 내구 수명을 보장할 수 있도록 하기 위해, 본 논문에서 제안된 모델과 시방서 기준에 근거하여 내구성 설계를 수행하였다. 제안된 모델은 유럽에서 널리 사용되고 있는 성능 중심의 설계 기법에 의해 검증되었으며, 이로부터 기존의 시방서 설계기준은 해안 환경에 노출된 콘크리트 구조물의 내구 성능을 과소 평가하여 매우 보수적인 설계결과를 유발하고 있음을 알 수 있다. $C_s$와 D의 시간의존성을 고려한 본 모델은 기존 시방기준의 이러한 문제점을 개선하여 염해를 받는 콘크리트 구조물의 내구수명을 정확하고 합리적으로 평가할 수 있을 것이다.

• 열처리공학회지
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• 제4권2호
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• pp.1-8
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• 1991

The spheroidization of cold rolled lamellar pearlite in annealing at the temperatures between 600 and $700^{\circ}C$ has been studied by quantitative micrography. It was foud that the spheroidization proceeded as two stageh. The first stage was the stage of relieving the stored energy by cold work, the second was the stage of reducing the interface energy between ferrite and cementite. The spheroidization rate combining the spheroidization rate of each stages is described by the following equation : $$d(1/S)/dt=k_3{\cdot}D/_{(1/s)}\{{\sigma}V/_{(1/s)}+k_4{\cdot}{\exp}(-bt)\}$$ Where, S is the total area of the interface between ferrite and cementite per unit volume, D is the diffusion coefficient, ${\sigma}$ is the boundary energy, V is the volume fraction of the cementite, and $k_3$, $k_4$, b are constants.

• 대한전기학회:학술대회논문집
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• 대한전기학회 1992년도 하계학술대회 논문집 B
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• pp.816-819
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• 1992

Binary compound semiconductor InSb crystal which has direct-transition energy gap (0.17 ev) grown by vertical Bridgman method, then the electric-magnetic and optical properties of InSb crystal were surveyed. The growth rate of the crystals was 1mm/hr and the lattice constant $a_\circ$ of the grown crystal was 6.4863$\AA$. The electrical properties were examined by the Hall effect measurement with the van der Pauw method in the temperature range of 70$\sim$300K, magnetic field range of 500$\sim$10000 gauss. The undoped InSb crystal was n-type, the concentration and the electron mobility were 2$\sim$6 ${\times}$ $10^{16}$$\textrm{cm}^{-3}$ and carrier mobility was 6$\sim$2${\times}$$10^{4}$$cm^{2}$/v.sec at 300K, respectively. The carrier mobility was decreased with $T^{-1/2}$ due to the lattice scattering above 100K, and decreased by impurity scattering below100K. The magnetoresistance was increased 190% at 9000 gauss as compared with non-appliced magnetic field and the magnetoresistance was increased with increasing the magnetic field. Also, the Hall voltage was increased with increasing the magnetic field and decreasing the thickness of sample. The optical energy band gap of InSb at room temperature determined using the IR spectrometer was 0.167eV. The diffusion depth of Zn into InSb proportionally increased with the square root of diffusion time and the activation energy for Zn diffusion was 0.67eV. The temperature dependence of diffusion coefficient was $D=4.25{\times}10^{-3}$exp (-0.67/$K_BT$).

• 한국재료학회지
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• 제8권8호
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• pp.667-671
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• 1998

이 연구에서는 HVPE법으로 $MgAl_{2}O_{4}$ 기판 위에 GaN를 서로 다른 조건에서 성장시키고, 성장된 GaN의 PL특성을 조사하였다. $MgAl_{2}O_{4}$ 기판위에 성장된 GaN는 $MgAl_{2}O_{4}$ 기판으로부터 Mg의 out-diffusion에 의한 auto-doping 효과에 의하여 불순물이 첨가된 GaN의 PL 성질을 나타내었다. Mg과 관련된 발광 강도는 GaN의 성장온도가 증가함에 따라 GaN의 표면에서 Mg의 재증발에 의하여 감소하였으며, GaN의 두께에 대하여 지수 함수적으로 감소하였다. 두 개의 무한 고체 사이에서 농도 차에 의한 확산현상을 고려하여 구한 GaN 내에서 Mg 원자의 확산계수는 D= 2$\times$$lO^{-10}\textrm{cm}^2/sec. 이었다.

• 대한전기학회:학술대회논문집
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• 대한전기학회 1988년도 추계학술대회 논문집 학회본부
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• pp.372-375
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• 1988

The III-V ternary alloy semiconductor $In_{l-x}Ga_{x}As$ were grown by the temperature Gradient of $0.60{\leq}x{\leq}0.98$. The electrical properties were investigated by the Hall effect measurement with the Van der Pauw method in the temperature range of $90{\sim}300K$. $In_{l-x}Ga_{x}As$ were revealed n-type and the carrier concentration at 300K were in the range of $9.69{\times}10^{16}cm^{-3}{\sim}7.49{\times}10^{17}cm^{-3}$. The resistivity was increased and the carrier mobility was decreased with increasing the composition ratio. The optical energy gap determined by optical transmission were $20{\sim}30meV$ lower than theoretical valves on the basis of absorption in the conduction band tail and it was decreased with increasing the temperature by the Varshni rule. In the photoluminescence of undoped $In_{l-x}Ga_{x}As$ at 20K, the main emission was revealed by the radiative recombination of shallow donor(Si) to acceptor(Zn) and the peak energy was increased with increasing the composition, X. The diffusion depth of Zn increases proportionally with the square root of diffusion time, and the activation energy for the Zn diffusion into $In_{0.10}Ga_{0.90}As$ was 2.174eV and temperatures dependence of diffusion coefficient was D = 87.29 exp(-2.174/$K_{B}T$). The Zn diffusion p-n $In_{x}Ga_{x}As$ diode revealed the good rectfying characteristics and the diode factor $\beta{\approx}2$. The electroluminescence spectrum for the Zn-diffusion p-n $In_{0.10}Ga_{0.90}As$ diode was due to radiative recombation between the selectron trap level(${\sim}140meV$) and Zn acceptor level(${\sim}30meV$). The peak energy and FWHM of electroluminescence spectrum at 77K were 1.262eV and 81.0meV, respectively.

• Applied Biological Chemistry
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• 제26권1호
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• pp.1-7
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• 1983

일반 품종(아끼바레와 밀양 15) 및 다수확품종(밀양 30, 수원 287, 수원 294와 이리 342)의 벼를 무게비로 8% 도정하고, 쌀을 온도 $4{\sim}32^{\circ}C$에서 $5{\sim}50$분간 침지시키면서 수화속도를 비교하였다. 침지시간 50분후의 쌀의 평형 수분함량은 아끼바레와 밀양 15가 30%내외, 수원 287과 밀양 30이 29%내외이었고, 수원 294와 이리 342는 다소 낮은 값을 보였다. 물의 확산계수는 아끼바레는 밀양 14와, 밀양 30은 수원 287과, 수원 294는 이리 342와 비슷한 값을 보였다. 확산계수는 밀양 30과 수원 287이 가장 컸으며, 수원 294와 이리 342가 가장 작았다.

• 한국표면공학회지
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• 제52권6호
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• pp.316-320
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• 2019

The effect of boronizing on mechanical properties including wear behavior and hardness of Inconel 625 superalloy were investigated. The cross-section observation demonstrated that boronized samples were composed of multi-phase boride layer (Cr_xB_x, Ni₂B), diffusion layer, and substrate. The boride and diffusion layers were increased with increasing treatment temperature and holding time. However, Cr_xB_x layer was partially peeled off when it treated 1000℃. Subsequently, boride layer was completely separated from substrate with increasing temperature and time. A partial peeling of Cr_xB_x layer is not noticeably degraded mechanical properties. In particular, friction coefficient and wear resistance were enhanced in lack of Cr_xB_x phase. Therefore, these results suggest that a Ni₂B phase mainly contribute to wear behavior on boronized Inconel 625 superalloy.

• Journal of Industrial and Engineering Chemistry
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• 제68권
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• pp.129-139
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• 2018

The effects of N doping concentration and dopant moieties on the electrochemical properties of nanoporous graphene and their dependence on annealing temperature are investigated. Four types of N moieties - amide, amine, graphitic-N, and oxidized-N - are obtained, which transformed into pyridinic-N and pyrrolic-N upon annealing. The diffusion coefficient (D') of the ions in the electrode is the maximum at $400^{\circ}C$ because of a high level of N doping, whereas the second highest D0 value is obtained at $700^{\circ}C$ owing to a high level of reduction and N doping. The highest specific capacitance is obtained for the sample annealed at $400^{\circ}C$.