The Threshold Voltage and the Effective Channel Length Modeling of Degraded PMOSFET due to Hot Electron (Hot electron에 의하여 노쇠화된 PMOSFET의 문턱전압과 유효 채널길이 모델링)
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- Journal of the Korean Institute of Telematics and Electronics A
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- v.31A no.8
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- pp.72-79
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- 1994