• 한국자기학회지
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• 제3권3호
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• pp.179-184
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• 1993

비정질 합금 $Fe_{78}Si_{9}B_{13}$의 구조를 X-선 회절상을 분석하여 구하였다. 계산된 동경분포함수(RDF)의 첫번째 peak는 최인접 원자의 분포를 나타내는 것으로 Gaussian 함수형태를 나타낸다. 구조분석에서 본 시료의 최인접 원자배위수는 13.5이고, 최인접 원자간 평균거리 $r_{0}$는 $2.595{\AA}$, 인접원자들의 분포를 나타내는 Gaussian 함수의 변수 ${\delta}r$은 $0.27{\AA}$이다. 저온에서의 포화자화의 온도 의존성은 spin 파로 설명할 수 있으며, 이 때에 계산된 spin파 stiffness 상수는 $117.8\;meV\;{\AA}^2$ 이다. 또한, 포화자화의 온도 의존성을 Handrich의 분자장 이론식과 맞추어 얻은 변수는 각각 S=1/2 일때 ${\Delta}=0.32$이고, S=1 일때 ${\Delta}=0.23$으로 이론식과 실험결과가 전체적으로 잘 일치한다. 구조분석 결과와 분자장 이론식에서 구한 변수를 활용하여 spin파 stiffness 상수를 계산할 수 있으며, 이로써 구한 값은 S=1/2일때 $149\;meV\;{\AA}^2$ 이고, S=1 일 때 $138\;meV\;{\AA}^2$ 이다. 또한, 평균 교환결합상수 J($r_{0}$)는 S=1/2일때 17.9 meV이고, S=1일때는 J($r_{0}$)는 6.7 meV 으로 추정된다.

• 대한화학회지
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• 제47권2호
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• pp.121-126
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• 2003

Cyclohexanone,과 tris(2-aminoethyl)amine을 이용하여 Schiff 연기 축합반응으로 tren의 유도체인 tris(2-cyclohexylaminoethyl)amine (L)을 합성하였다. 또한 합성한 tren의 유도체인 tris(2-cyclohexylaminoethyl)amine (L)과 Zn(II) 착물의 열역학적 특성과 안정도 상수, Zn(II)와의 착물 조성비 등을 순환전압전류법과 열량계법으로 측정하였다. Zn(II)과 [Zn(II)-L] 순환전압전류 곡선을 0${sim}$-1.5 V vs. Ag/AgCl의 가전압 범위에서 측정하였다. 금속인 경우, -1.02V와 -0.48V vs. Ag/AgCl에서 각각 환원피이크와 산화피이크가 나타났으며, 금속착물인 경우에는 -1.19V와 -0.45V vs. Ag/AgCl에서 각각 환원피이크와 산화피이크가 나타났다. 또한 피이크 전류(IP)는 주사속도의 평방근 $(v^{1/2})$에 비례하였으며 이것은 전류의 유형이 확산 지배적인 전류임을 나타낸다. 그리고 [Zn-L] 착물에 대해서 전압전류법적으로 구한 안정도상수는 logK$_f$ = 5.8, 결합비는 1:1을 나타내었다. 또한 열량계법적으로 [Zn-L] 착물의 열역학적 파라메타를 조사한 결과, 리간드 L과 Zn(II)는 1:1의 4 배위수를 가지는 착물을 이룬다는 것을 알 수 있었고, 이때 25 ${\circ}$C에서 logK=5.4, ${\Delta}H$= -53.0 kJ/mol, ${\Delta}$G의 값은 -31.1 kJ/mol이었으며 T${\Delta}$S는 -21.9 J/K${\cdot}$mole이었다.

• 대한전기학회:학술대회논문집
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• 대한전기학회 2004년도 하계학술대회 논문집 C
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• pp.1561-1563
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• 2004

In this paper, we researched the dielectric properties and voltage dependence on slice XLPE sheet from 22[kV] and 154[kV] power cable. We studied effects for impurities and water for semiconductor shield through a dielectric properties experiment to estimate performance of insulating materials in power cable. Capacitance and tan${\delta}$ of 22[kV], 154[kV] were 53/43[pF] and $7.4{\times}10^{-4},\;2.1510^{-4}$. In these results, the trend was increased with the increase of temperature. The tan${\delta}$ of XLPF/ semiconductor layer was increased as compared with that of XLPE. Dielectric properties reliability of tan${\delta}$ was small.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 1991년도 추계학술대회 논문집
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• pp.44-47
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• 1991

Electron injection and memory retention chracteristics of the MNOS devices with thin oxide layer of 23${\AA}$ thick and silicon nitride layer of 1000${\AA}$ thick which are fabricated for this experiment. As a result, pulse amplitude increase oxide current is dominated in linearly increasing region of $\Delta$V$\_$FB/the decreasing region after saturation was due to the increased silicon nirtide current. In low pulse ampiltude $\Delta$V$\_$FB/ is not variated on temperature, but as temperature and pulse amplitude increase. $\Delta$V$\_$FB/ is decreased after saturation. And the decay rate during 10$^4$sec after electron injection was ohiefly dominated by the back tunneling of emission from memory trap to silicon. Memory retention characteristics in V$\_$FB/ stage was better than that of OV retention regardless of injection conditions.

• 한국전기전자재료학회논문지
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• 제17권8호
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• pp.904-909
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• 2004

We studied the dielectric properties and voltage dependence on slice XLPE sheet from 22 kV and 154 kV power cables. Interface structures are XLPE/semiconductor and XLPE/water/semiconductor capacitance and tan6 of 22 kV, 154 kV were 52/42 pF and $7.4\times{10}/^{-4}, 2.15\times{10}^{-4}$, respectively in these results, the trend was increased with the increase of temperature the tan$\delta$ of XLPE/semiconductive layer and XLPE/water/ semiconductive layer were increased as compared with that of XLPE Temperature reliability of tan$\delta$ was small.

• 미생물학회지
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• 제49권2호
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• pp.200-204
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• 2013

생전분으로부터 에탄올을 효율적으로 생산하는 전분 분해성 산업용 Saccharomyces cerevisiae를 제조하기 위해 생전분을 발효하는 모균주(ATCC 9763/$YIp{\delta}AGSA{\delta}$)의 염색체내 ribosomal DNA loci에 double 18S rDNA-integration 시스템을 이용하여 Bacillus amyloliquefaciens ${\alpha}$-amylase 유전자(Amy) 혹은 Aspergillus awamori glucoamylase 유전자(GA1)를 다중도입시켰다. 얻어진 형질전환 균주들 중 생전분으로부터 가장 효율적으로 에탄올을 생산하는 균주(ATCC 9763/$YIp{\delta}AGSA{\delta}$/YIpAG2rD)의 발효 3일째 에탄올 생산은 모균주에 비해 1.5배 높았다. 이 새로운 균주는 생옥수수 전분이 20% (w/v) 함유된 배지에서 3일간 발효를 통해 에탄올 9.2% (v/v) (72 g/L)를 생산하였고, 생전분 함유량의 75%를 소비하였다.

• 한국수자원학회논문집
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• 제51권9호
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• pp.795-802
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• 2018

본 연구에서는 실내실험을 통하여 개량형 공압식 가동보를 대상으로 보의 기립각도를 고려한 유사의 퇴적과 델타의 발달 과정을 파악하였다. 가동보 상류에서 유입되는 유사는 배수의 영향으로 유속이 느려지면서 퇴적이 되고 델타가 형성되며 하류로 이동하였다. 각 실험조건에 대하여 시간에 따른 델타의 이동속도는 델타는 시간이 지나면서 현저하게 감소하고, 보에 접근하였다. 무차원 델타의 높이($h_d/h$)가 증가할수록 무차원 델타의 이동속도($S_D/V_0$)는 감소하였다. 따라서 델타의 높이($h_d$)가 증가할수록 수심(h)은 감소하였다. 델타의 유효높이($h_w$)가 크기 때문에 델타의 체적($V_{xD}$)은 증가하지만 배수(backwater)의 영향을 받아 델타의 이동속도($S_D$)와 퇴적량은 감소하였다. 수로 경사가 일정할 때, 보의 높이(W)가 클수록 델타체적($V_{xD}$)이 증가하고, 델타의 전면부 길이비($h_d/{\Delta}S$)는 1에 가깝다. 같은 유량조건인 경우에 가동보의 기립 각도가 가장 클 때, 시간당 델타의 퇴적량($Q_s$)은 가장 작았다. 따라서 보의 높이(W)가 클수록 델타의 발달을 억제할 수 있는 효과가 크다.

• ETRI Journal
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• 제30권4호
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• pp.535-545
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• 2008

This paper introduces a systematic top-down and bottom-up design methodology to assist the designer in the implementation of continuous-time (CT) cascade sigma-delta (${\Sigma}{\Delta}$) modulators. The salient features of this methodology are (a) flexible behavioral modeling for optimum accuracy-efficiency trade-offs at different stages of the top-down synthesis process, (b) direct synthesis in the continuous-time domain for minimum circuit complexity and sensitivity, (c) mixed knowledge-based and optimization-based architectural exploration and specification transmission for enhanced circuit performance, and (d) use of Pareto-optimal fronts of building blocks to reduce re-design iterations. The applicability of this methodology will be illustrated via the design of a 12-bit 20 MHz CT ${\Sigma}{\Delta}$ modulator in a 1.2 V 130 nm CMOS technology.

• 천문학회지
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• 제13권1호
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• pp.15-26
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• 1980

The BV-photographic photometry was made for 1714 stars (V<19.5) in NGC 6752. The C-M diagram of this cluster shows an unusually extended blue horizontal branch $(V=13.5{\sim}17.8)$ with a wide gap $(V=16{\sim}16.7)$ and the well defined giant branch with gaps at V=13.85 and 16.2. The turnoff point is defined at $V=17.25{\pm}0.15$ and (B-V) = $0.46{\pm}0.02$. If we take $V_{HB}=13.85$ for NGC 6752, then ${\Delta}V=2.80,\;(B-V)_{0,g}=0.76\;and\;{\Delta}V_{TO}=3.40$ and the chemical abundance is estimated to be [Fe/H]=-1.67 or $Z=4.3{\times}10^{-4}\;and\;Y=0.26$. Some other physical parameters of this cluster are derived and compared with those for the well observed clusters M 3, M 13, M 15 and M 92.

• 한국전기전자재료학회논문지
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• 제17권11호
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• pp.1167-1173
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• 2004

This paper reports the variations of varistor voltage, nonlinear exponent, leakage current, and dissipation factor against surge stress of ZnO-P $r_{6}$ $O_{11}$-CoO-C $r_2$ $O_3$-E $r_2$ $O_3$(ZPCCE)-based varistors manufactured with the variations of sintering temperature. It was found that the variations of electrical parameters against surge stressing current of 100 A/$\textrm{cm}^2$(8x20 ${\mu}\textrm{s}$) is not so large under the surge stress of 700 times. Among varistors, specially the varistor sintered at 134$0^{\circ}C$ exhibited the smallest variations, with %$\Delta$ $V_{lmA}$=+0.23%, %$\Delta$$\alpha$=+0.23%, %$\Delta$ $I_{L}$=0%, %$\Delta$tan$\delta$=-6.94%. The clamping voltage ratio( $V_{c}$/ $V_{lmA}$) of all varistors was less than 2.2.2.2.2.2.2.