• KIPS Transactions on Computer and Communication Systems
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• v.6 no.1
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• pp.43-50
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• 2017

Use-After-Free security problem is rapidly growing in popularity, especially for attacking web browser, operating system kernel, local software. This security weakness is difficult to detect by conventional methods. And if local system or software has this security weakness, it cause internal security problem. In this paper, we study ways to remove this security weakness in software development by summarize the cause of the Use-After-Free security weakness and suggest ways to remove them.

• Proceedings of the Korea Information Processing Society Conference
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• 2003.11a
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• pp.317-320
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• 2003

자바는 플랫폼 독립성, 이식성, 보안, 멀티 쓰레드 지원, 동적 적재, 자동화된 메모리 관리(Garbage Collection) 등 많은 장점을 갖는 언어이다. 특히, 가비지 컬렉터(Garbage Collector)는 메모리 누수(memory leak), 동강난 포인터(dangling pointer) 등과 같은 메모리의 잘못된 사용으로 인한 버그로부터 프로그래머를 자유롭게 하며, 디버깅의 용이함, 개발비용의 절감, 프로그램의 일관성 및 견고성의 향상 등의 이점을 얻을 수 있다. 그러나, 자바 가상머신(Java Virtual Machine)에서 가비지 컬렉터가 객체를 추적(tracing)하고 수집(collecting)하는 작업은 프로그램의 수행 성능을 저하시키는 요인이 된다. 따라서, 본 논문에서는 가비지 컬렉터의 성능을 향상시키기 위하여 힙(heap)에 할당하는 객체들의 특성을 고려하여 메모리를 분할한 후, 효율적으로 컬렉션 작업을 수행 할 수 있는 기법을 소개한다.

• Electronics and Telecommunications Trends
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• v.29 no.6
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• pp.43-52
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• 2014

수 원자층 두께의 전이금속 칼코겐화물 이차원 반도체 소재는 스위칭 소자 등에 활용하기에 적합한 밴드갭 에너지를 가지며, 높은 이동도와 우수한 광반응성으로 인해 최근 큰 관심을 끌고 있다. 특히 이차원 소재이므로 dangling bond가 없다는 점, 구조적 안정성, 실리콘에 뒤지지 않는 고이동도, 직접천이 특성 등으로 인해 차세대 전자소자용, 더 나아가 실리콘 반도체 대체 소재로써의 가능성도 점쳐지고 있다. 본고에서는 전이금속 칼코겐화물 이차원 반도체의 소재 특성과 제조방법, 소자 응용면에서의 기술개발 동향, 시장전망 등에 대해 소개하고, 이 소재가 현재 기대하는 만큼 중요하게 활용되고 기술이 발전하기 위해서 반드시 해결해야 할 숙제 등에 대해 논의하고자 한다.

• JSTS:Journal of Semiconductor Technology and Science
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• v.12 no.1
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• pp.53-58
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• 2012

A new on-wafer de-embedding method using thru, short and open patterns sequentially is proposed to eliminate the errors of conventional methods. This "thru-short-open" method is based on the removal of the coupling admittance between input and output interconnect dangling legs. The increase of the de-embedding effect of the lossy coupling capacitance on the cutoff frequency in MOSFETs is observed as the gate length is scaled down to 45 nm. This method will be very useful for accurate RF measurements of nano-scale MOSFETs.

• 한국정보디스플레이학회:학술대회논문집
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• 2006.08a
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• pp.439-442
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• 2006

We evaluated a-Si:H TFTs fabricated on polyimide substrate (PI) at the highest temperature of $160^{\circ}C$ with uniaxial and tensile strain to imitate flexible display. With tensile strain, the threshold voltage of a-Si:H TFTs have positive shift due to extra dangling bond formation in a-Si:H layer. However, no significant degradation of the subthreshold swing and effective mobility with tensile strain of a-Si:H TFTs indicates the similar level of band tail state. The metal wire with the width of $10\;{\mu}m$ for connection on flexible substrate can sustain with curvature radius 2.5 cm.

• Proceedings of the KIEE Conference
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• 2001.07c
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• pp.1905-1907
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• 2001

본 논문에서는 다공질 실리콘에 대한 에탄올과 메탄을 가스 감지 특성을 측정하고 전기 전도도의 변화를 고찰하였다. 우선 HF와 에탄올의 혼합 용액내에서 n-type의 웨이퍼에 일정 전압을 인가하여 다공질 실리콘을 형성한다. 다공질 실리콘은 수직한 방향으로 $55{\sim}60{\mu}m$ 두께로 균일하게 형성되었다. 다공질 실리콘을 이용하여 소자를 제작하고 에탄올과 메탄올 가스를 주입하여 전류-전압 특성을 측정하였다. 기존의 다공질 실리콘 에탄올 센서와는 달리 turn-on 시 센서에 흐르는 전류가 빠른 시간내에 일정한 값으로 도달하였고 turn-off시에도 같은 결과를 보였다. 다공질 실리콘 표면에 흡착된 에탄올과 메탄올 가스는 전류의 흐름을 방해하는 surface charge를 스크린하여 전기 전도도를 증가시킨다. 또한 흡착된 가스가 dangling bonds를 passivation하여 전류를 증가시키는 것으로 생각된다.

• Journal of the Korean Institute of Telematics and Electronics A
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• v.32A no.12
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• pp.122-129
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• 1995

The most important feature of a-Si TFT is dense localized states such as dangling bonds which exist in tis bandgap. Electrons trapped by localized states dominate the potential distribution in the active a-Si region ,and influence the performance of a-Si TFT. In this paper, we describe the electrical characteristics of a-Si TFT with respect to trap distribution within bandgap, electron mobility and interface states using 2-Dimensional device simulator and compare the result of simulation with measurements. Using the mixed-mode simulator, we can predict the potential variation of pixel which causes residual image problem during the turn-off of a-Si TFT driving circuit. Therefore it is possible to consider trade-off between potential variation of pixel and turn-on current of a-Si TFT for the optimized driving circuit.

• Proceedings of the Korea Information Processing Society Conference
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• 2003.11b
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• pp.1089-1092
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• 2003

TCP/IP 프로토콜을 기반으로 한 웹은 컴퓨터 기술과 통신 기술의 발달과 더불어 양적으로나 복잡도에 있어서 놀라운 속도로 성장하고 있다. 이에 따라 웹 사이트를 이용한 홍보나 기업의 이익을 목적으로 하는 웹 사이트들이 급속히 증가하면서 웹 페이지들의 추가, 삭제, 갱신 등 끊임없이 일어나고 있다. 이렇게 끊임없는 웹 페이지의 수정으로 인하여 링크가 끊어지는 등의 문제가 발생한 수 있는데, 이런 끊어진 링크의 발견은 쉽지 않고, 때에 따라서는 기업에 큰 손실을 가져올 수 있다. 본 논문에서는 웹 페이지 문서들 사이에 존재하는 관계성(Relationship)과 제약 조건(Constraint Condition)을 확장 UML을 통해 정의하여, 웹 페이지의 DLP(Dangling Link Problem)를 해결하기 위한 WPMS(Web Page Integrity Management System) 시스템을 제안하였다.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2011.02a
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• pp.301-301
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• 2011

We present theoretical investigations of the self-assembled growth of one-dimensional (1D) molecular lines directed across the dimer rows on the H-terminated Si(001) surface [1]. Based on density-functional theory calculations, a new growth mechanism of the 1D acetylacetone line is proposed [2], which involves the radical chain reaction initiated at two dangling-bond sites on one side of two adjacent Si dimers. It is also enabled that, if an H-free Si dimer were employed as the initial reaction site, a 1D acetylacetone line can grow along the dimer row. Our findings represent the first insight into the growth of 1D molecular lines not only across but also along the dimer rows on the H-terminated Si(001) surface.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2012.02a
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• pp.306-306
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• 2012

본 연구에서는 태양전지 소자의 온도에 따른 전류-전압(I-V) 특성 변화를 통해 태양전지 다이오드의 전기적 특성을 분석하였다. 상온 조건의 경우 공핍층 영역(SCR)과 준중성 영역(QNR)에서 각각 3.02와 1.76의 이상 계수 값을 보였으며, 온도가 300 K에서 500 K으로 상승함에 따라 SCR 영역에서는 감소하는 경향을, QNR 영역에서는 증가하는 경향을 보였다. 이는 온도 상승에 따른 공핍층 영역에서의 캐리어 흐름 증가와 대면적 공정 과정에서의 오염물 침투 및 dangling bond 등의 결함으로 인한 bulk 에서의 캐리어 재결합에 따른 것으로 판단된다. 또한 텍스처링 공정에 따른 태양전지 소자의 접합면 균일성 확인을 위한 I-V 측정 결과 SCR 영역에서는 40.87%의 평균 전류 분산을, QNR 영역에서는 10.59%의 평균 전류 분산을 보였다. 이는 텍스처링 공정으로 형성된 접합면에서의 피라미드 구조가 원인이 되는 것으로 판단되며, 전체 다이오드 전류 흐름에 영향을 주게 된다. 이러한 공정 과정에서의 결함 및 접합 구조로 인해 태양전지 다이오드는 일반 다이오드에 비해 비이상적인 전기적 특성을 보이게 된다.