• 제목/요약/키워드: current gain

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원통형 자성체를 이용한 고이득 및 광대역 안테나 설계 (High gain and broad bandwidth antenna design using cylindrical magneto material)

  • 이지철;민경식
    • 한국항해항만학회지
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    • 제34권1호
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    • pp.21-26
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    • 2010
  • 본 논문은 패치 안테나의 급전선 주위에 원통형 자성체을 이용하여 안테나의 고이득 및 광대역 안테나 설계법에 대해서 기술한다. 안테나의 고이득 설계를 위해서 급전선 주위에 생기는 자기장과 원통형 자성체 주위에 생기는 자기장을 결합시켜 급전선에 강한 전류를 유도시키는 방법을 사용하였고, 안테나의 광대역 설계를 위해서 shorting 스티브를 추가한 PIFA의 원리를 적용하여 설계하였다. 단일 원통형 자성체의 경우, 참고 안테나와 비교하여 3.96 dB 이득이 증가하였으나 대역폭 특성은 개선되지 않았다. 이중 원통형 자성체의 경우, 참고 안테나와 비교하여 이득은 약 10 dB 개선되었으며, -10 dB 이하 대역폭은 700 MHz(50 MHz~750 MHz)로써 광대역 특성을 가지는 안테나를 설계하였다.

AB급 CMOS 전류 콘베이어(CCII)에 관한 연구 (A study of class AB CMOS current conveyors)

  • 차형우;김종필
    • 전자공학회논문지C
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    • 제34C권10호
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    • pp.19-26
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    • 1997
  • Novel class AB CMOS second-generation current conveyors (CCII) using 0.6.mu.m n-well CMOS process for high-frequency current-mode signal processing were developed. The CCII for low power operation consists of a class AB push-pull stage for the current input, a complementary source follower for the voltage input, and a cascode current mirror for the current output. In this architecture, the two input stages are coupled by current mirrors to reduce the current input impedance. Measurements of the fabricated CCII show that the current input impedance is 875.ohm. and the bandwidth of flat gain when used as a voltage amplifier extends beyond 4MHz. The power dissipation is 1.25mW and the active chip area is 0.2*0.15[mm$\^$2/].

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Gate Leakage Current of Power GaAs MESFET's at High Temperature

  • Won Chang-sub;Ahn Hyungkeun;Han Deuk-Young
    • 전력전자학회:학술대회논문집
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    • 전력전자학회 2001년도 Proceedings ICPE 01 2001 International Conference on Power Electronics
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    • pp.44-46
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    • 2001
  • Increase of gate leakage current causes decrease of gain and increase of noise. In this paper, gate leakage current of GaAs MESEFTs' has been traced with different temperatures from $27^{\circ}C\;to\;350^{\circ}C$ to obtain the zero voltage saturation current $J_s$ which is critical to the temperature dependency of total current. From the results, thermal leakage current coefficient has been proposed to compensate for the total current due to the thermionic emission, tunneling, generation and/or hole injection.

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In0.8Ga0.2As HEMT 소자에서 Output-conductance가 차단 주파수에 미치는 영향에 대한 연구 (Effect of Output-conductance on Current-gain Cut-off frequency in In0.8Ga0.2As High-Electron-mobility Transistors)

  • 노태범;김대현
    • 센서학회지
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    • 제29권5호
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    • pp.324-327
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    • 2020
  • The impact of output conductance (go) on the short-circuit current-gain cut-off frequency (fT) in In0.8Ga0.2As high-electron-mobility transistors (HEMTs) on an InP substrate was investigated. An attempted was made to extract the values of fT in a simplified small-signal model (SSM) of the HEMTs, derive an analytical formula for fT in terms of the extrinsic model parameters of the simplified SSM, which are related to the intrinsic model parameters of a general SSM, and verify its validity for devices with Lg from 260 to 25 nm. In long-channel devices, the effect of the intrinsic output conductance (goi) on fT was negligible. This was because, from the simplified SSM perspective, three model parameters, such as gm_ext, Cgs_ext and Cgd_ext, were weakly dependent on goi. However, in short-channel devices, goi was found to play a significant role in degrading fT as Lg was scaled down. The increase in goi in short-channel devices caused a considerable reduction in gm_ext and an overall increase in the total extrinsic gate capacitance, yielding a decrease in fT with goi. Finally, the results were used to infer how fT is influenced by goi in HEMTs, emphasizing that improving electrostatic integrity is also critical importance to benefit fully from scaling down Lg.

저전력 센서 인터페이스를 위한 1.2V 90dB CIFB 시그마-델타 아날로그 모듈레이터 (A 1.2V 90dB CIFB Sigma-Delta Analog Modulator for Low-power Sensor Interface)

  • 박진우;장영찬
    • 전기전자학회논문지
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    • 제22권3호
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    • pp.786-792
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    • 2018
  • 본 논문에서는 저전력 센서용 아날로그-디지털 변환기를 위한 cascade of integrator feedback (CIFB) 구조의 3차 시그마-델타 아날로그 모듈레이터가 제안된다. 제안된 시그마-델타 아날로그 모듈레이터는 gain-enhanced current-mirror 기반 증폭기를 사용하는 3개의 스위치 커패시터 적분기, 단일 비트 비교기, 그리고 비중첩 클럭 발생기로 구성된다. 160의 오버 샘플링 비율과 90.45dB의 신호 대 잡음비를 가지는 시그마-델타 아날로그 모듈레이터는 1.2V 공급 전압의 $0.11{\mu}m$ CMOS 공정으로 설계되며, $0.145mm^2$의 면적과 $341{\mu}W$의 전력을 소모한다.

자율 캐릭터를 위한 상태기반 상황인지 기법 (State based Context Awareness Method for Non-Player Character)

  • 김형일
    • 한국게임학회 논문지
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    • 제14권1호
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    • pp.93-102
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    • 2014
  • 자율 캐릭터는 게임에서 사용자 캐릭터와 협업하여 게임을 진행하거나, 사용자 캐릭터와 대전을 수행한다. 자율 캐릭터의 자연스러운 행동 제어를 위해, 본 논문에서는 상황인지 기법을 제안한다. 상황인지 기법은 자율 캐릭터의 현재 상태에서 활용할 수 있는 상황 정보를 분석한 후, 현재 상황에 맞는 행동을 자동 생성한다. 상황인지 기법은 자율 캐릭터의 현재 상황에서 발생하는 상황 요소의 정보 가치를 분석하고, 분석된 상황 요소 정보를 활용하여 캐릭터의 자연스러운 행동을 생성한다. 본 실험에서 상황인지 기법이 규칙기반 기법보다 평균 39%의 성능 향상을 나타냈고, 정보획득 기법보다는 평균 8%의 성능 향상을 나타냈다.

연료전지 응용을 위한 높은 승압비와 낮은 전류리플을 갖는 무변압기형 부스트 컨버터 (A Transformer-less Boost Converter with High Gain and Low Current Ripple for Fuel Cell Application)

  • 양진영;박찬기;최세완;남석우
    • 전력전자학회논문지
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    • 제13권2호
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    • pp.79-87
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    • 2008
  • 연료전지의 낮고 변동폭이 큰 전압을 안정된 높은 전압으로 승압시키기 위하여 부스트 컨버터가 사용되고 있다. 전기적인 절연이 요구되지 않는 응용에서는 손실, 가격 및 부피 상승의 원인이 되는 고주파 변압기가 없는 무변압기형의 부스트 컨버터가 장점을 갖는다. 본 논문에서는 새로운 무변압기형 부스트 컨버터를 제안한다. 제안한 컨버터는 $6{\sim}8$배의 실제 사용가능 한 승압비를 가지며 입 출력 전류 리플이 매우 작아 연료전지 응용에 적합하다. 이에 대한 이론적 해석과 시뮬레이션 및 실험파형을 통해 타당성을 검증하였다.

전하이동을 시각화한 PhET 기반 수업을 통한 초등과학영재의 전류개념변화 (Conceptual Change via Instruction based on PhET Simulation Visualizing Flow of Electric Charge for Science Gifted Students in Elementary School)

  • 이지원;신은진;김중복
    • 한국초등과학교육학회지:초등과학교육
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    • 제34권4호
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    • pp.357-371
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    • 2015
  • Even after learning electric current, elementary school students have various non-scientific conceptions and difficulties. Because flow of charge is not visible. Also elementary school students do not learn theory but phenomena, so they cannot transfer theoretical perspective to new situation. In this research, we have designed instruction based on PhET simulation visualizing flow of electric charge and applied it to 37 science-gifted students in elementary school for measuring conceptual understanding. As a result, six out of the seven Hake gains of question set are high gain and just one is middle gain because the students have understood the flow pattern of the charge through circuit elements such as light bulbs, wire, as well as battery with PhET simulation and it gives a chance to create various questions spontaneously about electric current. Also they become able to do spontaneous mental simulation without PhET simulation about flow of charges. This research, suggest that developed materials using PhET simulation could be used as not only program for gifted students in elementary school, but also the electrical circuit section in an elementary science curriculum.

Transient Improvement Algorithm in Digital Images

  • 권지용;장준영;이민석;강문기
    • 한국방송∙미디어공학회:학술대회논문집
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    • 한국방송공학회 2010년도 하계학술대회
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    • pp.74-76
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    • 2010
  • Digital images or videos are used in modern digital devices. The resolution of HDTV in digital broadcasting system is higher than that of previous analog systems. Also, mobile phone with 3G can provide images as well as video streaming services in realtime. In these circumstances, the visual quality of images has become an important factor. We can make image clear by transient improvement process that reduces transient in edges. In this paper, we present an transient improvement algorithm. The proposed algorithm improves edges by making smooth edge to steep edge. Before performing transient improvement algorithm, edge detection algorithm should be operated. Laplacian operator is used in edge detection, and the absolute value of it is used to calculate gain value. Then, local maximum and minimum values are computed to discriminate current pixel value to raise up or pull down. Compensating value that gain value multiplies with the difference between maximum (or minimum) value and current pixel value adds (or subtracts) to current pixel value. That is, improved signal is generated by making the narrow transient of edge. The advantage of proposed algorithm is that it doesn't produce shooting problem like overshoot or undershoot.

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