• 자원환경지질
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• 제27권5호
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• pp.459-467
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• 1994

울산지역에 분포하는 가대리 화강암체는 울산 철 텅그스텐 광화작용의 관계화성암으로서 전형적인 미문상조직을 보여주며, 칼크-알칼리 계열과 I-type화강암류의 지화학적 특성을 나타내고 있다. 가대리화강암은 물이 포화된 상태에서 0.5~2.0 kbar의 압력조건하에서 생성된 것으로 이는 천부에서의 분별결정에 기인된 것으로 화학성분의 분화는 대부분 알칼리 장석의 분별결정작용으로 이루어졌다. 경상분지 최남단에 분포하며 철광화작용과 관련된 미문상화강암체인 마산-김해 화강암체와 가대리화강암제는 미량성분의 화학조성을 비교해볼때 전혀다른 모마그마에서 분화되었음올 시사해준다.

• Journal of Welding and Joining
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• 제17권4호
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• pp.53-59
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• 1999

Amorphous alloys have also been called glassy alloys or non-crystalline alloys. They are made by the rapid solidification. The solidification occurs so rapid that the atoms are frozen in their liquid configuration. There are unique magnetic, mechanical, electrical and corrosive behaviors which result form their amorphous structure. In the study. amorphous coatings were manufactured with Ni-Cr-B-Si powders by flame spray. Measurement of hardness, were resistance, corrosion resistance and observation of microstructures and XRD, DSC were performed to investigate characteristics of amorphous coatings. The experimental results obtained as follow: 1) Amorphous powders could not be manufactured with the spraying in the spraying in the liquid nitrogen. But, amorphous coatings could be manufactured with the rotation cooling method by liquid nitrogen. In the fabrication of amorphous coatings, major factor was the rapid cooling by rotation of the substrate. 2) Hardness of coatings was obtained Hv 960 by formation of amorphous phase. But, wear resistance decreased. That was due to porosity in the coatings by the rapid cooling. 3) In the case of corrosion resistance, amorphous coatings were superior to air-cooled coatings. That was due to formation of amorphous phase. 4) After amorphous coatings were heat-treated at 520℃ for 1hr. hardness increased 80% and wear resistance increased 30% comparing with air cooled coatings. These were due to crystallization of amorphous phase and decrease of porosity by heat-treatment.

• 한국전기전자재료학회논문지
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• 제16권1호
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• pp.26-32
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• 2003

Then-channel poly-Si thin-film transistors (poly-Si TFT's) formed by solid phase crystallization (SPC) method on glass were measured to obtain the electrical parameters such as of I-V characteristics, mobility, leakage current, threshold voltage, and subthreshold slope. Then, devices were analyzed to obtain the reliability and appliability on TFT-LCD with large-size and high density. In n-channel poly-Si TFT with 5$\mu\textrm{m}$/2$\mu\textrm{m}$, 8$\mu\textrm{m}$, 30$\mu\textrm{m}$ devices of channel width/length, the field effect mobilities are 111, 116, 125 $\textrm{cm}^2$/V-s and leakage currents are 0.6, 0.1, and 0.02 pA/$\mu\textrm{m}$, respectively. Low threshold voltage and subthreshold slope, and good ON-OFF ratio are shown, as well. Thus. the poly-Si TFT's used by SPC are expected to be applied on TFT-LCD with large-size and high density, which can integrate the display panel and peripheral circuit on a targe glass substrate.

• 한국진공학회지
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• 제10권1호
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• pp.72-80
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• 2001

본 논문에서는 ELA(excimer laser annealing) 및 SMC(silicide mediated crystallization) 공정으로 제작된 다결정 실리콘 TFT-LCD(Thin Film Transistor-Liquid Crystal Display) 화소의 전기적 특성을 Spice회로 시뮬레이션을 통해 비교 분석하였다. 복잡한 TFT-LCD 어레이 (array) 회로의 전기적 특성 분석을 위하여 GUI(Graphic User Interface) 방식으로 손쉽게 복잡한 회로를 구성할 수 있는 PSpice에 AIM-Spice의 다결정 실리콘 박막 트랜지스터 소자 모델을 이식하고, AIM-Spice의 변수 추출법을 개선 체계화하였으며 ELA 및 SMC공정으로 각기 제작된 다결정 실리콘 박막트랜지스터에 적용하여 단위 화소 및 라인 RC 지연을 고려한 화소 특성을 비교 분석하였다. 비교 결과 ELA 다결정 실리콘 박막 트랜지스터 소자가 SMC에 비해 TFT-LCD의 화소 충전 시간 및 킥백(kickback) 전압 특성이 모두 우수하게 나타남을 확인하였다.

• 한국세라믹학회지
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• 제28권6호
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• pp.443-450
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• 1991

Microstructures of tantalum oxide, anodic-oxidized in oxalic acid, are shown to be related to voltage-time characteristics during formation reaction. It is observed that a crystalline phase transformed from an amorphous phase is recrystallized in the presence of the high electric field within the film, and this recrystallized film has a very porous microstructure. From the results of the XRD, the nonlinearity observed after the first spark voltage is recognized to be due to the local crystallization.

• Korean Chemical Engineering Research
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• 제50권3호
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• pp.582-587
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• 2012

본 논문에서는 ammonium phosphate (APP)를 핵제로 사용한 PLA 필름에 대한 결정화 특성을 연구하였다. PLA 필름의 결정화도와 결정크기는 Scherrer 식을 이용하여 결정하였으며 결정화속도 상수는 Avrami 식을 이용하여 계산하였다. 본 연구에 사용한 시료는 2단계 과정을 거쳐 제조되었다. 먼저 APP를 1, 5, 10 wt% 첨가한 필름을 각각 제조하고 130, 140, $150^{\circ}C$에서 어닐링시켜서 시료로 사용하였다. 순수한 PLA 필름의 결정화도는 평균 4.6%였으며 APP를 1, 5, 10 wt% 첨가한 필름의 평균 결정화도는 각각 12.2, 47.7, 50.0%였다. 순수한 PLA 필름의 평균 결정크기는 28.0 nm였으며 APP를 1, 5, 10 wt% 첨가한 필름의 평균 결정크기는 26.8, 24.0, 19.0 nm였다. APP를 1 wt% 첨가한 PLA 필름의 130, 140, $150^{\circ}C$ 어닐링 온도별 결정화속도 상수는 각각 2.12, 3.86, 0.27로, $140^{\circ}C$에서 어닐링시킨 PLA 필름의 결정속도가 가장 빨랐으며 순수한 필름, 5, 10 wt% 첨가한 필름보다 높았다.

• 한국진공학회지
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• 제12권3호
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• pp.168-173
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• 2003

유리 기판 위에 증착된 비정질 실리콘 박막의 고상 결정화에 대한 새로운 방법을 제시하였다. 비정질 실리콘 박막의 하부에 패턴 된 다양한 크기의 $TiSi_2$ 박막을 전기저항 가열 방식으로 가열함으로서 비정질 실리콘이 고상 결정화 되도록 하였다. 박막히터를 이용한 열처리는 매우 빠른 열처리 공정으로써, 일반적인 로에 의한 열처리에 비해 매우 낮은 thermal budget을 가지므로, 유리기판 위에서도 고온 열처리가 가능하다는 장점을 가진다. 본 연구에서는 500 $\AA$의 비정질 실리콘 박막을 약 $850^{\circ}C$ 이상의 높은 온도에서 수 초 내에 결정화 할 수 있음을 보였으며, 열처리 조건의 변화에 따른 영향과 지역선택성의 장점을 보였다.

• 청정기술
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• 제28권2호
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• pp.103-109
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• 2022

Nd-Fe-B 폐영구자석 스크랩에는 희토류가 약 20~30% 함유되어 있고 철이 약 60~70% 함유되어 있으며, 황산침출 및 분별결정법을 통하여 희토류 및 철 성분을 회수하고자 하였다. 희토류와 철을 분리·회수하기 위하여 산화배소를 하지 않고 황산농도 및 광액농도비를 변수로 하여 침출특성을 확인하였다. 황산침출은 농도별로 3시간 동안 침출을 진행하였고 침출된 고상을 X-ray diffraction (XRD) 및 XRF (X-ray florescence spectrometry) 분석으로 결정상 및 조성 및 정량적 성분을 확인하였으며, 여액은 ICP 분석을 시행하였다. 3M 황산농도에서 침출했을 경우 네오디뮴 황산화물로 형성되었고 철 성분이 가장 적으며 회수율이 높았다. 남은 여액은 증발농축을 통하여 분별결정법을 하였으며 네오디뮴 성분은 7.0배 농축되었고 철 성분은 2.8배 농축되었다. 본 논문에서 폐영구자석의 산화배소 공정단계 없이 황산침출 및 분별결정법을 통한 희토류 성분의 회수율은 약 99.4%로 확인되었다.

• 한국결정성장학회지
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• 제33권5호
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• pp.181-186
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• 2023

본 연구에서는 containerless processing 법을 활용하여 새로운 형광 소재용 Eu₂O₃-BaF₂-La₂O₃-B₂O₃ 계 유리 및 결정화 유리를 개발하였다. 또한 조성 및 결정화 정도에 따른 유리의 열적, 광학적, 구조적 특성 변화를 분석하였다. 유리 조성에 따른 열적 특성은 DTA 분석을 통해 이루어졌으며, BaF2₂ 함량의 증가에 따라 유리전이온도 및 유리화능이 급격히 감소하는 것을 확인하였다. 유리의 결정화 특성은 XRD 분석을 통해 확인되었으며, BaF₂ 결정상의 결정화 정도에 따라 발광 효율이 증가하는 것을 확인할 수 있었다. 유리구조 내에서 fluorine 이온의 결합특성을 분석하기 위해 La 3d_5/2 XPS 및 F 1s XPS 스펙트럼을 분석하였다. fluorine 이온은 유리내에서 network modifier 역할을 하는 Ba²⁺ 및 La³⁺ 이온과 주로 결합하는 것을 확인할 수 있었고, 결정화 과정에서 La-F 결합이 감소하고 Ba-F 결합이 증가하는 것을 확인할 수 있었다.

• 한국산학기술학회논문지
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• 제9권1호
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• pp.47-52
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• 2008

소자가 점점 고집적화 됨에 따라, MOS 소자 제조에 있어서 $SiO_2$의 두께가 ${\sim}1nm$로 낮아질 경우 발생하는 터널링전류와 문틱전압 천이를 방지할 수 있는 새로운 게이트용 유전물질을 개발하여 소자의 크기를 줄이는데 주력하고 있다. 본 실험에서는 원자층증착(ALD: atomic layer deposition) 방법으로 증착된 $ZrO_2$ 박막의 물리적, 전기적 특성에 대하여 연구하였다. ALD $ZrO_2$ 박막을 증착한 후 Ar 가스 분위기에서 $800^{\circ}C$, 1 시간동안 열처리한 다음 XRD, TEM, 그리고 C-V plots을 이용하여 $Pt/ZrO_2/Si$ 소자의 형태, 결정화 동역학, 그리고 경계층 특성을 평가한 결과 열처리에 의해 소자의 특성이 크게 향상됨을 알 수 있었다.