Journal of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers
/
v.15
no.3
/
pp.281-286
/
2002
In odder to investigate the magnetic properties of CoCr-based bilayered thin films on kind of underlayer, we introduced amorphous Si layer to Co-Cr(-Ta) magnetic layer as underlayer. First, we prepared CoCr and CoCrTa single layer using the Facing Targets Sputtering system to investigate theirs properties. It was revealed that with increasing the film thickness of CoCr, CoCrTa single layer, crystalline orientation and perpendicular coercivity was improved. The CoCrTa thin film showed bettor crystalline and magnetic characteristics than CoCr thin film. As a result of investigating magnetic properties of CoCr and CoCrTa magnetic layer on introducing the Si underlayer, perpendicular coercivity and saturation magnetization of CoCr/Si and CoCrTa/Si bilayered thin film were decreased due to the increased grain size and diffusion of Si atoms to magnetic layer. And they showed constant with increasing the film thickness of Si thin film. However, in case of CoCrTa/Si bilayered thin film, in-plane coercivity was controlled low at about 250Oe. The c-axis orientations of CoCr/si and CoCrTa/Si bilayered thin film showed a good crystalline characteristics as about $2^{\circ}$.
Liquid crystalline (LC) poly(ethylene terephthalate-co-2(3)-chloro-1,4-phenylene terephthalate) (50/50, mole/mole) [PECPT] was synthesized and blended with polycarbonate (PC). LC properties of PECPT and thermal, morphological, and rheological behaviors of the PECPT/PC blend were studied. PECPT showed the nematic LC phase and much longer relaxation time than poly(ethylene terephthalate) (PET). The apparent melt viscosity of PECPT was one third of that of FET. An abrupt torque change was observed during the blending process due to the orientation of LC domains. For the blends containing 10~30 wt% of PECPT, the complex viscosities were higher than that of PC. As PECPT content increases above 40 wt%, shear thinning was observed. The lowest complex viscosity was obtained at 40~50 wt%. Transesterification of PECPT and PC was confirmed by the selective chemical degradation of carbonate groups in PC.
The Transactions of the Korean Institute of Electrical Engineers C
/
v.52
no.11
/
pp.496-500
/
2003
A low-cost, large area, random, maskless texturing scheme independent of crystal orientation is expected to significantly impact terrestrial photovoltaic technology. We investigated silicon surface microstructures formed by reactive ion etching (RIE) in Multi-Hollow cathode system. Desirable texturing effect has been achieved when radio-frequency (rf) power of about 20 Watt per one hollow cathode glow is applied for our RF Multi-Hollow cathode system. The black silicon etched surface shows almost zero reflectance in the visible region as well as in near IR region. The etched silicon surface is covered by columnar microstructures with diameters from 50 to 100 nm and depth of about 500 nm. We have successfully achieved 11.7% efficiency of mono-crystalline silicon solar cell and 10.2% multi-crystalline silicon solar cell.
Immiscible polymer blends containing a liquid crystalline polymer dispersed phase can be described by existing blend theories when the dispersed-phase droplets are large relative to the orientation correlation length ("domain size") of the LCP. There does not appear to be an interfacial contribution to the linear viscoelastic properties of the blend from droplets smaller than the correlation length. Polyester blends, where interfacial interactions occur between the LCP and the matrix, exhibit a reduction in viscosity to below the viscosity of either component at low shear rates, where the droplet morphology is spherical. These anomalies cannot be explained in the context of existing theory.ng theory.
Various fluoride films on a glass substrate were prepared and characterized to provide a seed layer for crystalline Si film growth. The XRD analysis on $CaF_2/glass$ illustrated (220) preferential orientation and showed lattice mismatch less than 5 % with Si. We achieved a fluoride film with breakdown electric field of 1.27 MV/cm, leakage current density about $10^{-6}$$A/cm^2$, and relative dielectric constant less than 5.6. This paper demonstrates microcrystalline silicon $({\mu}c-Si)$ film growth by using a $CaF_2/glass$ substrate. The ${\mu}c-Si$ films exhibited crystallization in (111) and (220) planes, grain size of $700\;{\AA}$, crystalline volume fraction over 65 %, dark- and photo-conductivity ratio of 124, activation energy of 0.49 eV, and dark conductivity less than $4{\times}10^{-7}$ S/cm.
Kim, Se-Yun;Sung, Sang-Yun;Jo, Kwang-Min;Hong, Hyo-Ki;Lee, Joon-Hyung;Kim, Jeong-Joo;Heo, Young-Woo
Proceedings of the Korean Institute of Surface Engineering Conference
/
2011.05a
/
pp.142-142
/
2011
Epitaxial $CuCrO_2$ thin films have been grown on single crystal substrate of c-plane $Al_2O_3$, $SrTiO_3$, YSZ and Quarts by laser ablation of a $CuCrO_2$ target using 266nm radiation from a Nd:YAG laser. X-ray measurements indicate that the $CuCrO_2$ grows epitaxially on all substrate, with its orientation dependent on the kinds of substrates. Most of the layer were polycrystalline with (001), (015) and random as the dominant surface orientation on c-plane YSZ, $SrTiO_3$ and quarts substrate, respectively. (001) orientated $CuCrO_2$ grows on C-plane $Al_2O_3$ and YSZ substrate, (015) orientated $CuCrO_2$ films are found on c-plane $SrTiO_3$ substrate and random orientated $CuCrO_2$ films grows on quarts substrate. These data are compared with the in-plane orientation and the mismatch of the $CuCrO_2$ and each substrate lattices in an attempt to relate the preferred orientation to the plane of the sapphire on which it is grown. Further characterization show that the grain size of the films increases for a substrate temperature increase, whereas the electrical properties of $CuCrO_2$ thin films depend upon their crystalline orientation.
Na, Min Young;Lee, Seung-Mo;Kim, Do Hyang;Chang, Hye Jung
Applied Microscopy
/
v.45
no.1
/
pp.23-31
/
2015
Dark field (DF) transmission electron microscopy image has become a popular characterization method for two-dimensional material, graphene, since it can visualize grain structure and multilayer islands, and further provide structural information such as crystal orientation relations, defects, etc. unlike other imaging tools. Here we present microstructure of graphene, particularly, using DF imaging. High-angle grain boundary formation wass observed in heat-treated chemical vapor deposition-grown graphene on the Si substrate using patch-quilted DF imaging processing, which is supposed to occur by strain around multilayer islands. Upon the crystal orientation between layers the multilayer islands were categorized into the oriented one and the twisted one, and their local structure were compared. In addition information from each diffraction spot in selected area diffraction pattern was summarized.
Ba0.65Sr0.35TiO3 (BST) thin films were deposited on Pt/SiO2/Si(100) substrate by rf magnetron sputtering. The substrate temperature changed from 35$0^{\circ}C$ to 55$0^{\circ}C$ and crystalline BST thin films were deposited above 45$0^{\circ}C$. Most of the films had (111) preferred orientation regardless of deposition temperature, but the films changed to (100) preferred orientation as gas pressure increased. The dielectric constant increased with increasing substrate temperature and film thickness, and ranged from 100 to 600 at room temperature. The leakage current increased as substrate temperature increased or as film thickness decreased.
Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
/
2001.07a
/
pp.100-103
/
2001
In order to investigate the magnetic properties of CoCr-based bilayered thin films on kind of underlayer, we introduced amorphous Si layer to Co-Cr(-Ta) magnetic layer as underlayer. With the thickness of CoCr, CoCrTa single layer, crystalline orientation and perpendicular coercivity was improved. It was revealed that by introducing the Si underlayer, the c-axis orientation of CoCr, CoCrTa magnetic layer was improved largely. However, with increasing Si film thickness, perpendicular coercivity and saturation magnetization of Cocr/si, CoCrTa/Si bilayered thin films was decreased. Grain size of bilayered thin films became larger.
KIEE International Transactions on Electrophysics and Applications
/
v.3C
no.2
/
pp.43-47
/
2003
Lead zirconate titanate (PZT) thin films were fabricated by the pulsed laser ablation deposition (PLAD) method onto Pt/Ti/SiO$_2$/Si substrates. Crystalline phases as well as preferred orientations in PZT films were investigated by X-ray diffraction analysis (XRD). The well-crystallized perovskite phase and the (101) preferred orientation were obtained by two-step annealing at the conditions of $650^{\circ}C$, 1 hour. It was found that the temperature for the pulsed laser ablated PZT films annealed via a two-step annealing process can be reduced 20$0^{\circ}C$ compared to that of the conventional three-step annealing temperature profile for enhancing the transformation of the perovskite phase. The remanent polarization and the coercive field of this film were about 20 $\mu$C/$\textrm{cm}^2$ and 46 kV/cm, while the dielectric constant and loss values measured at 1 KHz were approximately 860 and 0.04, respectively. The interesting phenomena of this film, such as vertical shift in hysteresis curve, are also discussed.
본 웹사이트에 게시된 이메일 주소가 전자우편 수집 프로그램이나
그 밖의 기술적 장치를 이용하여 무단으로 수집되는 것을 거부하며,
이를 위반시 정보통신망법에 의해 형사 처벌됨을 유념하시기 바랍니다.
[게시일 2004년 10월 1일]
이용약관
제 1 장 총칙
제 1 조 (목적)
이 이용약관은 KoreaScience 홈페이지(이하 “당 사이트”)에서 제공하는 인터넷 서비스(이하 '서비스')의 가입조건 및 이용에 관한 제반 사항과 기타 필요한 사항을 구체적으로 규정함을 목적으로 합니다.
제 2 조 (용어의 정의)
① "이용자"라 함은 당 사이트에 접속하여 이 약관에 따라 당 사이트가 제공하는 서비스를 받는 회원 및 비회원을
말합니다.
② "회원"이라 함은 서비스를 이용하기 위하여 당 사이트에 개인정보를 제공하여 아이디(ID)와 비밀번호를 부여
받은 자를 말합니다.
③ "회원 아이디(ID)"라 함은 회원의 식별 및 서비스 이용을 위하여 자신이 선정한 문자 및 숫자의 조합을
말합니다.
④ "비밀번호(패스워드)"라 함은 회원이 자신의 비밀보호를 위하여 선정한 문자 및 숫자의 조합을 말합니다.
제 3 조 (이용약관의 효력 및 변경)
① 이 약관은 당 사이트에 게시하거나 기타의 방법으로 회원에게 공지함으로써 효력이 발생합니다.
② 당 사이트는 이 약관을 개정할 경우에 적용일자 및 개정사유를 명시하여 현행 약관과 함께 당 사이트의
초기화면에 그 적용일자 7일 이전부터 적용일자 전일까지 공지합니다. 다만, 회원에게 불리하게 약관내용을
변경하는 경우에는 최소한 30일 이상의 사전 유예기간을 두고 공지합니다. 이 경우 당 사이트는 개정 전
내용과 개정 후 내용을 명확하게 비교하여 이용자가 알기 쉽도록 표시합니다.
제 4 조(약관 외 준칙)
① 이 약관은 당 사이트가 제공하는 서비스에 관한 이용안내와 함께 적용됩니다.
② 이 약관에 명시되지 아니한 사항은 관계법령의 규정이 적용됩니다.
제 2 장 이용계약의 체결
제 5 조 (이용계약의 성립 등)
① 이용계약은 이용고객이 당 사이트가 정한 약관에 「동의합니다」를 선택하고, 당 사이트가 정한
온라인신청양식을 작성하여 서비스 이용을 신청한 후, 당 사이트가 이를 승낙함으로써 성립합니다.
② 제1항의 승낙은 당 사이트가 제공하는 과학기술정보검색, 맞춤정보, 서지정보 등 다른 서비스의 이용승낙을
포함합니다.
제 6 조 (회원가입)
서비스를 이용하고자 하는 고객은 당 사이트에서 정한 회원가입양식에 개인정보를 기재하여 가입을 하여야 합니다.
제 7 조 (개인정보의 보호 및 사용)
당 사이트는 관계법령이 정하는 바에 따라 회원 등록정보를 포함한 회원의 개인정보를 보호하기 위해 노력합니다. 회원 개인정보의 보호 및 사용에 대해서는 관련법령 및 당 사이트의 개인정보 보호정책이 적용됩니다.
제 8 조 (이용 신청의 승낙과 제한)
① 당 사이트는 제6조의 규정에 의한 이용신청고객에 대하여 서비스 이용을 승낙합니다.
② 당 사이트는 아래사항에 해당하는 경우에 대해서 승낙하지 아니 합니다.
- 이용계약 신청서의 내용을 허위로 기재한 경우
- 기타 규정한 제반사항을 위반하며 신청하는 경우
제 9 조 (회원 ID 부여 및 변경 등)
① 당 사이트는 이용고객에 대하여 약관에 정하는 바에 따라 자신이 선정한 회원 ID를 부여합니다.
② 회원 ID는 원칙적으로 변경이 불가하며 부득이한 사유로 인하여 변경 하고자 하는 경우에는 해당 ID를
해지하고 재가입해야 합니다.
③ 기타 회원 개인정보 관리 및 변경 등에 관한 사항은 서비스별 안내에 정하는 바에 의합니다.
제 3 장 계약 당사자의 의무
제 10 조 (KISTI의 의무)
① 당 사이트는 이용고객이 희망한 서비스 제공 개시일에 특별한 사정이 없는 한 서비스를 이용할 수 있도록
하여야 합니다.
② 당 사이트는 개인정보 보호를 위해 보안시스템을 구축하며 개인정보 보호정책을 공시하고 준수합니다.
③ 당 사이트는 회원으로부터 제기되는 의견이나 불만이 정당하다고 객관적으로 인정될 경우에는 적절한 절차를
거쳐 즉시 처리하여야 합니다. 다만, 즉시 처리가 곤란한 경우는 회원에게 그 사유와 처리일정을 통보하여야
합니다.
제 11 조 (회원의 의무)
① 이용자는 회원가입 신청 또는 회원정보 변경 시 실명으로 모든 사항을 사실에 근거하여 작성하여야 하며,
허위 또는 타인의 정보를 등록할 경우 일체의 권리를 주장할 수 없습니다.
② 당 사이트가 관계법령 및 개인정보 보호정책에 의거하여 그 책임을 지는 경우를 제외하고 회원에게 부여된
ID의 비밀번호 관리소홀, 부정사용에 의하여 발생하는 모든 결과에 대한 책임은 회원에게 있습니다.
③ 회원은 당 사이트 및 제 3자의 지적 재산권을 침해해서는 안 됩니다.
제 4 장 서비스의 이용
제 12 조 (서비스 이용 시간)
① 서비스 이용은 당 사이트의 업무상 또는 기술상 특별한 지장이 없는 한 연중무휴, 1일 24시간 운영을
원칙으로 합니다. 단, 당 사이트는 시스템 정기점검, 증설 및 교체를 위해 당 사이트가 정한 날이나 시간에
서비스를 일시 중단할 수 있으며, 예정되어 있는 작업으로 인한 서비스 일시중단은 당 사이트 홈페이지를
통해 사전에 공지합니다.
② 당 사이트는 서비스를 특정범위로 분할하여 각 범위별로 이용가능시간을 별도로 지정할 수 있습니다. 다만
이 경우 그 내용을 공지합니다.
제 13 조 (홈페이지 저작권)
① NDSL에서 제공하는 모든 저작물의 저작권은 원저작자에게 있으며, KISTI는 복제/배포/전송권을 확보하고
있습니다.
② NDSL에서 제공하는 콘텐츠를 상업적 및 기타 영리목적으로 복제/배포/전송할 경우 사전에 KISTI의 허락을
받아야 합니다.
③ NDSL에서 제공하는 콘텐츠를 보도, 비평, 교육, 연구 등을 위하여 정당한 범위 안에서 공정한 관행에
합치되게 인용할 수 있습니다.
④ NDSL에서 제공하는 콘텐츠를 무단 복제, 전송, 배포 기타 저작권법에 위반되는 방법으로 이용할 경우
저작권법 제136조에 따라 5년 이하의 징역 또는 5천만 원 이하의 벌금에 처해질 수 있습니다.
제 14 조 (유료서비스)
① 당 사이트 및 협력기관이 정한 유료서비스(원문복사 등)는 별도로 정해진 바에 따르며, 변경사항은 시행 전에
당 사이트 홈페이지를 통하여 회원에게 공지합니다.
② 유료서비스를 이용하려는 회원은 정해진 요금체계에 따라 요금을 납부해야 합니다.
제 5 장 계약 해지 및 이용 제한
제 15 조 (계약 해지)
회원이 이용계약을 해지하고자 하는 때에는 [가입해지] 메뉴를 이용해 직접 해지해야 합니다.
제 16 조 (서비스 이용제한)
① 당 사이트는 회원이 서비스 이용내용에 있어서 본 약관 제 11조 내용을 위반하거나, 다음 각 호에 해당하는
경우 서비스 이용을 제한할 수 있습니다.
- 2년 이상 서비스를 이용한 적이 없는 경우
- 기타 정상적인 서비스 운영에 방해가 될 경우
② 상기 이용제한 규정에 따라 서비스를 이용하는 회원에게 서비스 이용에 대하여 별도 공지 없이 서비스 이용의
일시정지, 이용계약 해지 할 수 있습니다.
제 17 조 (전자우편주소 수집 금지)
회원은 전자우편주소 추출기 등을 이용하여 전자우편주소를 수집 또는 제3자에게 제공할 수 없습니다.
제 6 장 손해배상 및 기타사항
제 18 조 (손해배상)
당 사이트는 무료로 제공되는 서비스와 관련하여 회원에게 어떠한 손해가 발생하더라도 당 사이트가 고의 또는 과실로 인한 손해발생을 제외하고는 이에 대하여 책임을 부담하지 아니합니다.
제 19 조 (관할 법원)
서비스 이용으로 발생한 분쟁에 대해 소송이 제기되는 경우 민사 소송법상의 관할 법원에 제기합니다.
[부 칙]
1. (시행일) 이 약관은 2016년 9월 5일부터 적용되며, 종전 약관은 본 약관으로 대체되며, 개정된 약관의 적용일 이전 가입자도 개정된 약관의 적용을 받습니다.