초전도 결정의 임계 온도 $T_{CH}$에서의 비열 불연속 폭을, Gibbs 자유 에너지에 관한 열역학 관계식과 임계 자기장 $H_{CT}$의 선형 모델을 이용하여, 인가 자기장 H의 함수로 이론적으로 구한다. 그리고 구한 비열 불연속 폭을 J. Kacmarcik 등에 의한 MgCNi3 초전도체 결정 대상의 실험 결과와 비교 분석한다. 여기서 구한 비열 불연속 폭은 초전도체 결정의 비열 점프 업 현상을 잘 설명한다.
[ $ZnHgGa_4Se_8\;and\;ZnHgGa_4Se_8::Co^{2+}$ ] single crystals were grown by the Bridgman-Stockbarger method. The single crystals crystallized into a defect chalcopyrite structure. The optical energy band gap of the single crystals was investigated in the temperature range 11-300K. The optical energy band gap of the $ZnHgGa_4Se_8:Co^{2+}$ single crystal was smaller than that of the $ZnHgGa_4Se_8$ single crystal. The temperature dependence of the optical energy band gap of the single crystals was well fitted by the Varshni equqtion. The impurity optical absorption spectrum of the $ZnHgGa_4Se_8:Co^{2+}$ single crystal was measured in the wavelength region 300-2300 m at 80 K. Impurity absorption peaks in the spectrum were analyzed within the framework of the crystal field theory and were attributed to the electron transitions between the energy levels of $Co^{2+}$ sited in the Td symmetry point.
多結晶 薄膜트랜지스터의 電界效果 解析을 위한 物理的인 모델을 제시하였다. 본 논문의 모델에서는 粒子(grain) 하나를 單結晶 트랜지스터로 粒界(grain boundary)를 電位障壁을 갖는 絶緣體로 가정하였다. 따라서 多結晶 薄膜트랜지스터 粒子인 單結晶 트랜지스터들이 粒界를 경계로 직렬연결 되어 있는 것으로 간주하였으며, 粒子에 흐르는 電流는 gradual channel 근사식으로 또 粒界에 흐르는 電流는 터널링 이론으로 계산하였다. 出力特性과 비교하므로써 채널에서의 電位, 電界분포 등을 구하였으며 이결과들을 통해 본 모델을 검토하였다. 본 논문에서 제시한 다결정박막트랜지스터의 전도모델이 문턱전압이상의 素子동작해석에 타당함을 밝혔다.
Octahedral symmetry 를 지닌 리간드에 의한 영향 아래있는 하나의 d전자를 갖는 금속 착물을 대상으로, 결정장 분리계수 10Dq를 결정장이론에 의하여 이론적으로 계산하였다. 점전하 모형을 쓰되, Shull-Lowdin 함수를 사용하여 배치간 작용을 고려하고, Integral Hellmann-Feynman Theorem을 써서 고차섭동의 영향을 추출하였다. 고차섭동의 영향이 일차섭동의 약 $50{\%}$가 됨을 알았다. Octahedral potential에 의해 3d 함수의 각 성분의 변화가 없고, $E_g\;와\;T_{2g}$상태에서, 동경성분의 변화가 일정하므로 10Dq는 유일한 파라미터로 남을 것이라는 결론을 얻었다.
We studied the anchoring properties in photo-aligned periodic domains of liquid crystals (LCs) in an alternating homeotropic and hybrid geometry. In this geometry, the surface anchoring energy was determined in using the director-distorted length of the LC near domain boundary, calculated in a linear approximation of the director profile within the continuum theory. The measurements were made using the LC diffraction grating with the phase profile in the form of a trapezoid.
trans-$[CrX_2([15]aneN_4)]ClO_4 ([15]aneN_4=1,4,8,12-tetraazacyclopentadecane; X=F, Cl)$의 전자흡수 스펙트럼을 리간드장 이론으로 해석하였다. AOMX 프로그램을 사용하여 관측한 스핀허용 전이와 계산값을 최적화시켰다. 결정한 CFT 파라미터를 AOM, NSH 및 여러 가지 다른 파라미터와 관련시켜 구하고, 이를 화학적 견지에서 논의하였다. 리간드장 해석으로부터 이들 착물에서는 F 리간드가 강한${\sigma}-$ 및 ${\pi}-$주개인 반면에 Cl 원자는 Cr(III) 이온에 약한 ${\sigma}-$ 및 ${\pi}-$주개 성질이 있음을 확인할 수 있었다.
수집 Bridgman 법을 이용하여 $Mg_{0.15}Zn_{0.85}Te$ 와 $Mg_{0.15}Zn_{0.85}Te:Co^{2+}$(0.001%) 단결정을 성장시켰다. 성장된 시료들에 대하여 광흡수 특성을 연구하였다. 광흡수결과 $Mg_{0.15}Zn_{0.85}Te$단결정에서는 exciton과 관련된 흡수 peak들이 나타났으며, 이 peak들은 온도증가와 함께 장파장쪽으로 이동하였고, 100K이상의 온도에서 excitionic band gap의 온도계수 $-5.8{\times}10^{-4}\;eV/K$eV/K 이었다. $Mg_{0.15}Zn_{0.85}Te$ : $Co^{2+}$단결정에서는 $Co^{2+}$이온에 기인된 $A-band:^4A_2(^4F) {\to}^4T_1(^4F),\; B-band:\; ^4A_2(^4F){\to}^4T_1(^4P)$의 intracenter 전이와 흡수단 부근에서 charge transfer에 기인한 photoionization transition에 관련된 C-band를 6--~770nmdnk 파장영역에서 관측하였다. 이들을 결정장 이론과 Lucovsky formular에 의해 결정장 매개변수와 Racah 매개변수, 전하이동 에너지 값을 결정하였다.
Titanium dioxide films $(TiO_2)$ doped cobalt transition metal were prepared on titanium metal by water spray pyrolysis technique. Micro-morphology, crystalline structure, chemical composition and binding state of sample groups were evaluated using field emission scanning microscope(FE-SEM), X-ray diffractometer(XRD), Raman spectrometer, X-ray photoelectron spectrometer(XPS). $TiO_2$ films of rutile structure were predominately formed on all sample groups and $Ti_2O_3$ oxide was coexisted on the surface of cobalt doped-sample groups. The optical absorption peaks measured by using UV-VIS-NIR spectrophotometer were observed at specific wavelength region in sample groups doped cobalt ion. This result could be analyzed by introducing crystal field theory.
In recent years, Anodic aluminum oxide(AAO) has become popular and attractive materials. It can be easily fabricated and self-organized pore structures. It has been widely used as a biosensor membrane, photonic crystal for optical circuit and template for nanotube growth etc. In previous papers, the theory was developed that AAO shows anisotropic optical properties, since it has anisotropic structure with numerous cylindrical pores. It gives rise to the anisotropy of the refractive index called as birefringence. It can be used as conventional polarizing elements with high efficiency and low cost. Therefore, we would like to compare the theory and experimental results in this study. One method which can measure effective refractive index of thin film is the prism coupling technique. It can give accurate results fast and simply. Furthermore, we can also measure separately the refractive index with different polarization using polarization of the laser (TE mode and TM mode). We calculated the effective refractive index with effective medium approximations (EMAs) by pore size in the SEM image. EMAs are physical models that describe the macroscopic system as the homogeneous and typical method of all mean field theories.
Numerical simulations for dendritic growth of crystals are conducted in this study by the level set method. The effect of order of difference is tested for reinitialization error in simple problems and authors founded in case of 1st order of difference that very fine grids have to be used to minimize the error and higher order of difference is desirable to minimize the reinitialization error The 2nd and 4th order Runge-Kutta scheme in time and 3rd and 5th order of WENO schemes with Godunov scheme are applied for space discretization. Numerical results are compared with the analytical theory, phase-field method and other researcher's level set method.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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