1 |
I. Aksenov, T. Kai, N. Nishikawa and K. Sato, Jpn. J. Appl. Phys., 32, L516 (1993)
DOI
ScienceOn
|
2 |
H. A. Weakliem, J. Chem. Phys., 36, 2117 (1960)
DOI
|
3 |
Y. P. Varshni, Physica 34, 149 (1967)
|
4 |
S. Sugano, Y. Tanabe and H. Kamimura, Multiplets of Transition-Metal Ions in Crystals (Academic Press, NY, 1970)
|
5 |
J. J. Pankove, Optical Processes in Semiconductors (Dover Pub. Co., NY, 1971), ch. 3
|
6 |
W. T. Kim, G. J. Cho, C. S. Kim and C. D. Kim, Phys. Rev., B 43, 14265 (1991)
DOI
ScienceOn
|
7 |
W. T. Kim, M. S. Kim, S. C. Hyun, Y. G. Kim and B. C. Park, Solid State Commun., 74, 123 (1990)
DOI
ScienceOn
|
8 |
W. T. Kim, C. S. Chung, Y. G. Kim, M. S. Jin and H. G. Kim, Phys. Rev., B 38, 2166 (1988)
DOI
ScienceOn
|
9 |
W. T. Kim, M. S. Kim, S. H. Cheon, Y. G. Kim and B. C. Park, Solid State Commun., 74, 127 (1990)
DOI
ScienceOn
|
10 |
Y. G. Kim, H. G. Kim. W. T. Kim, J. S. Kim, D. S. Kim, D. S. Ma and H. L. Park, Phys. Rev., B 39, 8747 (1989)
DOI
ScienceOn
|
11 |
G. B. Abdullaev, V. G. Agaev, V. B. Antonov, R. Kh. Nani and E. Yu. Salaev, Sov. Phys. Semicond., 6, 1492 (1973)
|
12 |
A. N. Georgobiani, P. N. Matlinskii, S. I. Radautsan, I. M. Tiginyanu and V. V. Ursaki, Sov. Phys. Semicond., 20, 702 (1986)
|
13 |
T. G. Kerimova, Sh. S. Mamedov and R. Kh. Nani, Sov. Phys. Semicond., 15, 81 (1981)
|
14 |
C. Razzetti and P. P. Lottici, Jpn. J. Appl. Phys., 32, 431 (1993)
DOI
ScienceOn
|
15 |
E. Grilli and M. Guzzi, Proceedings of the 7th International Conference on Ternary and Multinary Compounds, Snowmass, 1986, edited by S. K. Deb and A. Zunger (Materials Research Society, Pittsburgh, 1987), p. 283
|
16 |
G. Antonioli, A. Cucinotta and P. P. Lottici, Crystal. Res. Technol., 31, 793 (1996)
|
17 |
S. I. Radautsan, I. M. Tiginyanu, V. N. Fulga and Yu. O. Derid, Phys. Status Solidi, A 114, 259 (1989)
DOI
ScienceOn
|
18 |
A. N. Georgobiani, S. I. Radautsan and I. M. Tiginyanu, Sov. Phys. Semicond., 19, 121 (1985)
|