• Title/Summary/Keyword: critical current ratio

검색결과 174건 처리시간 0.03초

비선형동적해석을 통한 건식 기계적이음을 갖는 프리캐스트 모멘트 골조의 동등성 평가 (Evaluation of Emulative Level for Precast Moment Frame Systems with Dry Mechanical Splices by Using Nonlinear Dynamic Analysis)

  • 김선훈;이원준;이득행
    • 한국지진공학회논문집
    • /
    • 제28권2호
    • /
    • pp.85-92
    • /
    • 2024
  • This study presents code-compliant seismic details by addressing dry mechanical splices for precast concrete (PC) beam-column connections in the ACI 318-19 code. To this end, critical observations of previous test results on precast beam-column connection specimens with the proposed seismic detail are briefly reported in this study, along with a typical reinforced concrete (RC) monolithic connection. On this basis, nonlinear dynamic models were developed to verify seismic responses of the PC emulative moment-resisting frame systems. As the current design code allows only the emulative design approach, this study aims at identifying the seismic performances of PC moment frame systems depending on their emulative levels, for which two extreme cases were intentionally chosen as the non-emulative (unbonded self-centering with marginal energy dissipation) and fully-emulative connection details. Their corresponding hysteresis models were set by using commercial finite element analysis software. According to the current seismic design provisions, a typical five-story building was designed as a target PC building. Subsequently, nonlinear dynamic time history analyses were performed with seven ground motions to investigate the impact of emulation level or hysteresis models (i.e., energy dissipation performance) on system responses between the emulative and non-emulative PC moment frames. The analytical results showed that both the base shear and story drift ratio were substantially reduced in the emulative system compared to that of the non-emulative one, and it indicates the importance of the code-compliant (i.e., emulative) connection details on the seismic performance of the precast building.

Effect of boron milling on phase formation and critical current density of MgB2 bulk superconductors

  • Kang, M.O.;Joo, J.;Jun, B.H.;Park, S.D.;Kim, C.S.;Kim, C.J.
    • 한국초전도ㆍ저온공학회논문지
    • /
    • 제21권1호
    • /
    • pp.18-24
    • /
    • 2019
  • This study was carried out to investigate the effect of milling of boron (B), which is one of raw materials of $MgB_2$, on the critical current density ($J_c$) of $MgB_2$. B powder used in this study is semi-amorphous B (Pavezyum, Turkey, 97% purity, 1 micron). The size of B powder was reduced by planetary milling using $ZrO_2$ balls (a diameter of 2 mm). The B powder and balls with a ratio of 1:20 were charged in a ceramic jar and then the jar was filled with toluene. The milling time was varied from 0 to 8 h. The milled B powders were mixed with Mg powder in the composition of (Mg+2B), and the powder mixtures were uniaxially pressed at 3 tons. The powder compacts were heat-treated at $700^{\circ}C$ for 1 h in flowing argon gas. Powder X-ray diffraction and FWHM (Full width at half maximum) were used to analyze the phase formation and crystallinity of $MgB_2$. The superconducting transition temperature ($T_c$) and $J_c$ of $MgB_2$ were measured using a magnetic property measurement system (MPMS). It was found that $B_2O_3$ was formed by B milling and the subsequent drying process, and the volume fraction of $B_2O_3$ increased as milling time increased. The $T_c$ of $MgB_2$ decreased with increasing milling time, which was explained in terms of the decreased volume fraction of $MgB_2$, the line broadening of $MgB_2$ peaks and the formation of $B_2O_3$. The $J_c$ at 5 K increased with increasing milling time. The $J_c$ increase is more remarkable at the magnetic field higher than 3 T. The $J_c$ at 5 K and 4 T was the highest as $4.37{\times}10^4A/cm^2$ when milling time was 2 h. The $J_c$ at 20 K also increased with increasing milling time. However, The $J_c$ of the samples with the prolonged milling for 6 and 8 h were lower than that of the non-milled sample.

경기지역 인삼재배지의 토양 및 엽중 적정양분함량 검정 (The Chracterization of Critical Ranges of Soil Physico-chemical Properties of Ginseng Field and Nutrient Contents of Ginseng Leaves in Gyeonggi Province)

  • 진현오;권혁범;양덕춘
    • 한국자원식물학회지
    • /
    • 제24권5호
    • /
    • pp.642-649
    • /
    • 2011
  • 본 연구는 경기도 안성, 포천지역 인삼재배지의 이화학적 성질 및 인삼의 엽 분석을 실시하여 인삼의 생육에 적합한 토양 및 엽중 적정 양분 농도를 설정하고자 수행하였다. 인삼 생근중은 우량포지가 불량포지에 비하여 안성지역이 2-5배, 포천지역이 1.5-2배 차이를 보여 동일 지역내에서도 큰 생육차이를 보이고 있었다. 인삼 생육에 관여하는 토양의 이화학적 성질의 적정 범위는 안성지역에서 공극률(>50%), 전질소(2.0-2.8 g/kg), 유효인산(500-900 mg/kg), 치환성 Ca(2.3-3.5 $cmol_c\;kg^{-1}$)이었으며, 포천지역에서는 액상(13%<), 유효인산(400-650 mg/kg), 치환성 Ca(4.0-4.7 $cmol_c\;kg^{-1}$), 치환성 Mg(<0.8 $cmol_c\;kg^{-1}$), 치환성 K(<0.5 $cmol_c\;kg^{-1}$)로 나타났다. 특히, 안성지역에 있어서는 치환성 염기 성분비(Exch Ca:Mg:K)도 인삼생육에 관여하고 있었는데 우량포지에서 6:2:1, 불량포지에서 4:2:1의 값을 보였다. 엽중 무기양분 함량 적정 범위는 안성지역에서 P(<0.25%), Mg(0.22%<), 포천지역에서 N(1.8%<), P(0.18%<), K(1.5-3.0%)의 값을 보였으며 그 이외의 일부 엽중 무기양분 성분비에서도 적정 범위가 설정되었다.

자본시장법상 자기자본규제의 미래 투자은행(IB) 위험예방 가능성 연구 (A Study on the Role of Capital Regulation in Capital Market Law preventing Investment Bank Business Risks)

  • 장경천;이상헌
    • 경영과정보연구
    • /
    • 제28권3호
    • /
    • pp.161-189
    • /
    • 2009
  • 서브프라임 사태로 외환위기시 경외의 대상이었던 미국 투자은행의 몰락은 금융감독의 중요성을 인식하게 되었고, 자본시장의 발전을 도모하기 위해 제정된 자본시장법의 역할 모델이 미국 투자은행이었다는 점에서 우려가 제기되고 있는 것도 사실이다. 본 연구에서는 금융회사의 건전성 규제중 핵심인 자기자본규제가 미래에 출현할 투자은행에 대한 위험을 사전에 예방가능한지에 대해 다음과 같이 검증하였다. 먼저 미국투자은행이 우리나라 자본시장법상 자기자본규제를 적용받았다면 최소규제비율을 초과하는지, 금융투자회사가 미국 투자은행처럼 유동화자산의 재 유동화를 통해 자산 부채를 동시에 증가시키는 경우에도 예방효과가 있는지, 마지막으로 자기자본규제 비율 산정시 사용된 위험액은 내부모형을 통해 산출된 것으로 모형 자체의 문제점은 없었는지를 국내 은행의 내부모형과 비교를 통해 검증하였다. 검증결과 미국 투자은행에 대한 규제비율은 일정 수준 이하로 나왔으나 이는 사후적인 결과로 예방효과가 있다고 결론 내리기 어려우며, 특히 재 유동화를 통한 자산 부채가 동시에 증가하는 경우 현행 영업용순자본비율(NCR)규제가 비율 규제인 관계로 실질적인 제한 효과는 크지 않은 것으로 나타났다. 아울러, 내부모형의 타당성 검증에서도 지역적으로 글로벌하게 다양한 업무를 영위하였던 투자은행과 국내은행간 위험분산 비중이 유의적인 차이를 보였으며, 분산효과의 원인인 위험 요인간 상관관계 방향이 동일한 점등을 감안할 때 내부모형 자체의 치명적인 결함은 있다고 보기는 어려웠다. 따라서 복잡하고 이해하기 어려운 건전성 규제 비율이 사전적인 예방에 크게 도움이 되지 않고 한계가 있다면, 구체적 실행도구로서 부채비율과 같은 단순한 기준이 오히려 유용할 수 있다는 점이다.

  • PDF

The electrical characteristics of flexible organic field effect transistors with flexible multi-stacked hybrid encapsulation

  • 설영국;허욱;박지수;이내응;이덕규;김윤제;안철현;조형균
    • 한국진공학회:학술대회논문집
    • /
    • 한국진공학회 2010년도 제39회 하계학술대회 초록집
    • /
    • pp.176-176
    • /
    • 2010
  • One of the critical issues for applications of flexible organic thin film transistors (OTFTs) for flexible electronic systems is the electrical stabilities of the OTFT devices, including variation of the current on/off ratio (Ion/Ioff), leakage current, threshold voltage, and hysteresis under repetitive mechanical deformation. In particular, repetitive mechanical deformation accelerates the degradation of device performance at the ambient environment. In this work, electrical stability of the pentacene organic thin film transistors (OTFTs) employing multi-stack hybrid encapsulation layers was investigated under mechanical cyclic bending. Flexible bottom-gated pentacene-based OTFTs fabricated on flexible polyimide substrate with poly-4-vinyl phenol (PVP) dielectric as a gate dielectric were encapsulated by the plasma-deposited organic layer and atomic-layer-deposited inorganic layer. For cyclic bending experiment of flexible OTFTs, the devices were cyclically bent up to 105 times with 5mm bending radius. In the most of the devices after 105 times of bending cycles, the off-current of the OTFT with no encapsulation layers was quickly increased due to increases in the conductivity of the pentacene caused by doping effects from $O_2$ and $H_2O$ in the atmosphere, which leads to decrease in the Ion/Ioff and increase in the hysteresis. With encapsulation layers, however, the electrical stabilities of the OTFTs were improved significantly. In particular, the OTFTs with multi-stack hybrid encapsulation layer showed the best electrical stabilities up to the bending cycles of $10^5$ times compared to the devices with single organic encapsulation layer. Changes in electrical properties of cyclically bent OTFTs with encapsulation layers will be discussed in detail.

  • PDF

저온 Poly-Si TFT 소자의 Hysteresis 특성 개선 (Improvement of Hysteresis Characteristics of Low Temperature Poly-Si TFTs)

  • 정훈주;조봉래;김병구
    • 한국정보전자통신기술학회논문지
    • /
    • 제2권1호
    • /
    • pp.3-9
    • /
    • 2009
  • AMOLED 디스플레이는 LCD에 비해 넓은 시야각, 빠른 응답 속도, 박막화의 용이성 등의 많은 장점들을 갖고 있으나 불균일한 TFT의 전기적 특성과 전원선의 전압 강하에 의한 휘도 불균일, 잔상 현상 및 수명 등과 같은 많은 문제점들이 있다. 이 중에서 본 논문에서는 구동 TFT 소자의 hysteresis 현상에 의해 발생하는 가역적 잔상 현상을 개선하고자 한다. TFT의 hysteresis 특성을 개선하기 위해 게이트 산화막 증착 전에 표면 처리 조건을 변경하였다. 게이트 산화막 증착 전에 실시한 자외선 및 수소 플라즈마 표면 처리는 게이트 산화막과 다결정 실리콘 박막 사이의 계면 trap 밀도를 $3.11{\times}10^{11}cm^{-2}$로 감소시켰고, hysteresis 레벨을 0.23 V로 줄였으며 출력 전류 변화율을 3.65 %로 감소시켰다. 자외선 및 수소 플라즈마 처리를 행함으로써 AMOLED 디스플레이의 가역적 잔상을 많이 개선할 수 있을 것으로 기대된다.

  • PDF

균일하고 0 V에 가까운 Dirac 전압을 갖는 그래핀 전계효과 트랜지스터 제작 공정 (Fabrication of Graphene Field-effect Transistors with Uniform Dirac Voltage Close to Zero)

  • 박홍휘;최무한;박홍식
    • 센서학회지
    • /
    • 제27권3호
    • /
    • pp.204-208
    • /
    • 2018
  • Monolayer graphene grown via chemical vapor deposition (CVD) is recognized as a promising material for sensor applications owing to its extremely large surface-to-volume ratio and outstanding electrical properties, as well as the fact that it can be easily transferred onto arbitrary substrates on a large-scale. However, the Dirac voltage of CVD-graphene devices fabricated with transferred graphene layers typically exhibit positive shifts arising from transfer and photolithography residues on the graphene surface. Furthermore, the Dirac voltage is dependent on the channel lengths because of the effect of metal-graphene contacts. Thus, large and nonuniform Dirac voltage of the transferred graphene is a critical issue in the fabrication of graphene-based sensor devices. In this work, we propose a fabrication process for graphene field-effect transistors with Dirac voltages close to zero. A vacuum annealing process at $300^{\circ}C$ was performed to eliminate the positive shift and channel-length-dependence of the Dirac voltage. In addition, the annealing process improved the carrier mobility of electrons and holes significantly by removing the residues on the graphene layer and reducing the effect of metal-graphene contacts. Uniform and close to zero Dirac voltage is crucial for the uniformity and low-power/voltage operation for sensor applications. Thus, the current study is expected to contribute significantly to the development of graphene-based practical sensor devices.

사전 세분화를 통한 고객 분류모형의 효과성 제고에 관한 연구 (Improving the Effectiveness of Customer Classification Models: A Pre-segmentation Approach)

  • 장남식
    • 경영정보학연구
    • /
    • 제7권2호
    • /
    • pp.23-40
    • /
    • 2005
  • 시장에서의 경쟁이 점차 심화되고 서비스나 상품에 대한 고객들의 요구와 기대치가 증가함에 따라 기업들에 있어 과학적인 데이터 분석에 근거한 경영전략 수립 및 실행의 필요성이 어느 때보다 크게 강조되고 있다. 그러나 인적자원과 및 자금 등을 포함한 가용자원은 한정적이기 때문에 이들 자원을 얼마나 효율적으로 사용하여 효과적인 결과를 획득하는가가 기업 성패를 좌우하는 주요 지표가 되고있다. 본 연구에서는 선택과 집중적 자원 배분이라는 이슈에 초점을 맞춰 사전 세분화를 통해 선정된 고객 군만을 대상으로 고객의 특성을 파악하고 관리하는 방안이 전체 고객을 대상으로 하는 것보다 보다 의미가 있다는 것을 실제 현업데이터를 통해 검증하고자 하였다. 이를 위해 카드사, 이동통신사, 보험사의 고객 인적데이터 및 거래데이터를 수집하였고, 통계분석과 현업전문가의 의견을 수렴해 고객 세분화를 수행하였으며, 각 세분 군별로 데이터마이닝의 의사결정나무 기법을 이용해 해지모형을 구축하여 전체 고객을 대상으로 한 모형과 정분류율과 규칙의 간결성 측면에서 비교 평가하였다. 결과적으로 세분 군별 해지모형이 전체 고객대상 모형에 비해 정분류율은 높거나 비슷한 수준을 유지하면서 보다 간결하고 의미있는 규칙을 제공하였다.

IBAD-MgO 기판을 이용한 GdBCO 초전도 박막선재의 제조 (Fabrication of GdBCO Coated conductor using IBAD-MgO substrate)

  • 하홍수;이정훈;오재근;고락길;김호섭;하동우;오상수;김호겸;양주생;정승욱;문승현;박찬;유상임;염도준
    • 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
    • /
    • 한국전기전자재료학회 2008년도 추계학술대회 논문집 Vol.21
    • /
    • pp.44-44
    • /
    • 2008
  • GdBCO coated conductor have been fabricated using reactive co-evaporation. The batch type co-deposition system was specially designed and was named EDDC (evaporation using drum in dual chamber) that is possible to deposit superconducting layer with optimum composition ratio of materials at temperature over $700^{\circ}C$ and several mTorr of oxygen. The IBAD-MgO substrate with the architecture of LaMnO3(LMO)/IBAD-MgO/Hastelloy was used for coated conductor. In this study, GdBCO superconducting layer was deposited on IBAD-MgO substrate at optimal oxygen partial pressure (pO2) and deposition temperature. After fabrication of GdBCO coated conductor, critical current density was measured by 4-probe method. Surface morphology and texture of GdBCO coated conductors were analyzed by the SEM and XRD, respectively.

  • PDF

A comparative study on the flux pinning properties of Zr-doped YBCO film with those of Sn-doped one prepared by metal-organic deposition

  • Choi, S.M.;Shin, G.M.;Joo, Y.S.;Yoo, S.I.
    • 한국초전도ㆍ저온공학회논문지
    • /
    • 제15권4호
    • /
    • pp.15-20
    • /
    • 2013
  • We investigated the flux pinning properties of both 10 mol% Zr-and Sn-doped $YBa_2Cu_3O_{7-{\delta}}$ (YBCO) films with the same thickness of ~350 nm for a comparative purpose. The films were prepared on the $SrTiO_3$ (STO) single crystal substrate by the metal-organic deposition (MOD) process. Compared with Sn-doped YBCO film, Zr-doped one exhibited a significant enhancement in the critical current density ($J_c$) and pinning force density ($F_p$). The anisotropic $J_{c,min}/J_{c,max}$ ratio in the field-angle dependence of $J_c$ at 77 K for 1 T was also improved from 0.23 for Sn-doped YBCO to 0.39 for Zr-doped YBCO. Thus, the highest magnetic $J_c$ values of 9.0 and $2.9MA/cm^2$ with the maximum $F_p$ ($F_{p,max}$) values of 19 and $5GN/m^3$ at 65 and 77 K for H // c, respectively, could be achieved from Zr-doped YBCO film. The stronger pinning effect in Zr-doped YBCO film is attributable to smaller $BaZrO_3$ (BZO) nanoparticles (the average size ${\approx}28.4$ nm) than $YBa_2SnO_{5.5}$ (YBSO) nanoparticles (the average size ${\approx}45.0$ nm) incorporated in Sn-doped YBCO film since smaller nanoparticles can generate more defects acting as effective flux pinning sites due to larger incoherent interfacial area for the same doping concentration.