• 한국실내디자인학회논문집
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• 제22권1호
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• pp.85-96
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• 2013

This study relates to meta-phenomena in architectural design. Among others, this study aims to interpret and demonstrate the cognitive thoughts and methodological systems in 'autonomy and instrumentality' presented in works of art by positivist architects focusing on diagrams after the second modernity in addition to earlier formal experiments by John Hejduk, Peter Eisenman, Bernard Tschumi, and Daniel Libeskind. In order to achieve these aims, this study approached the mimetic concepts developed by Walter Benjamin and Theodor Adorno. Especially, meta-phenomena in the methods of architectural design were connected to productivity in Adorno's mimetic concepts. Also, in terms of formation and creation of works of art, the mimetic backgrounds of Adorno's theories on aesthetics were identified from features of concepts on the part of formal experiments. The results were systemized methodologically based on meta-phenomena appearing in pure arts and overall architectural design. These were presented as a framework to interpret 'autonomy and instrumentality' that exist in the working of negativity and mimesis. In this way, logics and intuition in architectural design as well as methodological systemization of convergent creativity were proved valid. In conclusion, Adorno's mimetic concepts systemized based on negativity and critical awareness may lead to new concepts. It has been proved that it is valid for security of meta-phenomena of architectural design as a production of autonomous spaces for differences and creation.

• 대한전기학회논문지
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• 제43권7호
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• pp.1121-1127
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• 1994

The accelerated degradation phenomena in amorphous silicon thin film transistors due to both electrical stress and visible light illumination under the elevated temperature have been investigated systematically as a function of gate bias, light intensity, and stress time. It has been found that, in case of electrical stress, the thrshold voltage shifts of a-Si:H TFT's may be attributed to the defect creation process at the early stage, while the charge trapping phenomena may be dominant when the stressing periods exceed about 2 hours. It has been also observed that the degradation in the device characteristics of a-Si:H TFT's is accelerated due to multiple stress effects, where the defect creation mechanism may be more responsible for the degradation rather than the charge trapping mechanism.

• 한국과학교육학회지
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• 제42권2호
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• pp.253-264
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• 2022

본 연구에서는 이언 해킹(Ian Hacking)의 '현상의 창조'의 관점으로 과학자의 실행을 살펴보았다. 해킹의 관점에 따르면 과학적 현상은 규칙적인 것으로 과학자의 개입이나 실험 도구 없이는 자연 상태에 존재할 수 없다. 본 연구는 네 명의 생명과학자가 직접 경험한 '손탄다' 현상에 대한 생각과 에피소드를 분석함으로써 과학 교육적 의미를 도출하였다. 손탄다 현상은 과학자들 사이에서 통용되는 은어로써 동일한 실험 방법과 재료를 가지고 실험을 수행함에도 결과가 일정하게 나타나지 않는 현상을 일컫는다. 연구 결과 다음과 같은 네 가지 교육적 시사점을 도출하였다. 첫째, 실험에서 단순히 실험과정에 익숙해지는 것을 넘어 매순간 적절한 판단과 반응을 통해 당면한 문제를 해결하는 체화된 지식, 즉 비언어적인 지식의 중요성을 확인하였다. 이는 학생들에게 실제적인 탐구 경험을 제공하기 위해서 명제적 지식과 더불어 비언어적인 지식을 균형 있게 다루어야함을 시사한다. 둘째, 실험의 이미지를 재고하고자 하였다. 과학자의 인터뷰에 의하면 현상은 드물게 나타나며 현상을 안정화하기까지는 오랜시간이 소요된다. 반면 학교 실험의 이미지는 늘 성공적이고 안정적이므로 이에 대한 관점의 변화가 요구된다. 셋째, 과학적 실천의 구체적인 의미를 확인할 수 있었다. 본 연구는 과학자가 상황적 맥락에 맞게 지식을 적절하게 활용하는 것을 확인하였으며 이를 바탕으로 과학적 실천을 학교 교육에 적용시킬 방안에 대해 논의하였다. 마지막으로 손탄다 현상은 불확실성을 촉발함으로써 학생들을 과학적 참여로 이끄는 기회를 제공할 것으로 예상한다. 본 연구를 통해 학교실험 교육이 요리책식 실험을 탈피하여 학생들에게 과학적 실천을 경험시키려는 노력에 기여할 것으로 기대한다.

• 대한화학회지
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• 제62권3호
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• pp.226-234
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• 2018

본 연구는 화학영역에서 뜨고 가라앉는 현상과 관련되어 교과서에 진술된 모델을 모델의 생성과 관련된 본성 측면을 기반으로 평가하였다. 이를 알아보기 위해 7차 교육과정에서부터 2009 개정 교육과정의 초등학교 3학년 과학교과서 2종과 중학교 과학교과서 21종이 분석되어졌다. 분석 결과 진술된 모델은 (1) 모델의 전제조건에 대한 설명 부재, (2) 물질적 관점의 질술 방식, (3) 패턴의 원리 결여, (4) 다루어진 사례의 부적절성의 특성을 보였다. 학생들에 대한 모델의 교육은 모델을 이용한 활동 보다는 모델이 생성되는 과정과 관계된 교육이 선행되어야 함에도 그러한 모델의 본성에 대한 교육이 부족함을 알 수 있었다. 이를 해결하기 위해 모델의 생성과 관련된 모델의 진술과 이와 관련된 학생 모델 평가 도구 제작을 제언하였다.

• 한국과학교육학회지
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• 제44권1호
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• pp.29-38
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• 2024

본 연구에서는 이언 해킹(Ian Hacking)의 실험 철학에 대한 철학적 관점을 탐구하고 이 관점이 학교 실험 교육에 미칠 영향에 대한 논의하였다. 그간 다수의 철학자들은 실험이 이론을 검증할 때에만 중요하다는 이론 선행적인 관점을 주장하였다. 이와 마찬가지로 학교 교육에서도 실험의 주요 목적은 이론의 확인과 입증에 초점을 맞춘 관점이 주류를 이룬 것으로 보인다. 그러나 이러한 이론 선행적인 관점과는 대조적으로 해킹을 포함한 실험 철학자들은 실험 자체가 자율성과 생명력을 갖는다는 주장을 제안하였다. 해킹은 개입하기와 조작하기를 통해 실험의 이론 자율적인 성격을 강조하면서 실험에서 그동안 상대적으로 간과되었던 도구 사용, 재료, 과학자의 솜씨와 같은 요소들의 중요성을 강조하였고, 과학 활동에서의 실험의 역할과 그의 중요성을 재고하였다. 본 연구에서는 이러한 철학적 입장이 학교 실험교육에도 적용할 수 있는 것으로 보았으며, 본 연구에서 제시하는 현상중심의 관점을 통해 도구 사용, 실험자의 개입, 모델링 활동과 같은 과학적 실천을 가르치는 데 도움이 될 것으로 예상한다.

• 한국산학기술학회논문지
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• 제15권7호
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• pp.4191-4197
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• 2014

공동가치창출 현상은 B2B 및 B2C 시장 모두에서 중요한 비즈니스 전략으로 인식되고 있다. 본 연구에서는 다양한 주체들 및 복잡한 네트워크로 구성된 첨단 기술 기반의 B2B 시장에서 공동가치창출을 위한 핵심 자원 및 역량을 도출하였다. 대만의 파운드리 반도체 선두업체인 TSMC가 사례 연구로 선정되어 공급자, 고객, 파트너들간의 공동가치창출 현상에 대해 연구하였다. 관찰 연구, 내용 분석 및 TSMC 직원들과의 비구조화된 인터뷰를 통해 수집한 질적 데이터를 정성적 데이터 분석(Qualitative data analysis) 툴을 사용하여 분석하였다. 귀납적 추리 (Inductive reasoning)에 기반한 사례 연구 및 사례 연구를 바탕으로 한 이론수립을 연구방법론으로 적용하여 4가지의 핵심 자원 (재무적 자원, 지식 자원, 효율성 자원, 지적 자원)과 6가지의 핵심 역량 (관계 역량, 협력 역량, 전략적 역량, 혁신 역량, 관리 역량, 서비스 역량)을 도출하였다. 도출된 자원과 역량을 기반으로 관계 네트워크 하에서의 공동가치창출을 연구하기 위한 연구 체계를 수립하였다.

• 대한전기학회논문지:전기물성ㆍ응용부문C
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• 제48권5호
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• pp.367-372
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• 1999

We have investigated the effects of electrical stress on poly-Si TFTs with different hydrogen passivation conditions. The amounts of threshod voltage shift of hydrogen passivated poly-Si TFTs are much larger than those of as-fabricated devices both under the gate only and the gate and drain bias stressing. Also, we have quantitatively analyzed the degradation phenomena by analytical method. We have suggested that the electron trapping in the gate dielectric is the dominant degradation mechanism in only gate bias stressed poly-Si TFT while the creation of defects in the channel region and $poly-Si/SiO_2$ interface is prevalent in gate and drain bias stressed device.

• 전자공학회논문지A
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• 제32A권8호
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• pp.126-132
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• 1995

The electrical stress of short channel polycrystalline silicon (poly-Si) thin film transistor (TFT) has been investigated. The device characteristics of short channel poly-Si TFT with 5$\mu$m channel length has been observed to be significantly degraded such as a large shift in threshold voltage and asymmetric phenomena after the electrical stress. The dominant degradation mechanism in long channel poly-Si TFT's with 10$\mu$m and 20$\mu$m channel length respectively is charage trappling in gate oxide while that in short channel device with 5.mu.m channel length is defect creation in active poly-Si layer. We propose that the increased defect density within depletion region near drain junction due to high electric field which could be evidenced by kink effect, constitutes the important reason for this significant degradation in short channel poly-Si TFT. The proposed model is verified by comparing the amounts of the defect creation and the charge trapping from the strechout voltage.

• 지식경영연구
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• 제20권2호
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• pp.105-135
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• 2019

This study investigates cognitive and emotional changes in individuals to clarify the principle between artistic stimulation and business innovation idea generation based on phenomenological research methodology. We conducted in-depth interviews with six participants who participated in the artistic creation program of business art, and derived meanings from their experience. As a result, we presented 4 essential categories, 8 main subjects, and 20 sub-subjects; 1) Optimizing rational and creative thinking, 2) Projecting oneself to the artist, finding balance, 3) Having room in mind to view the surroundings, finding insight into the world, 4) Eureka moment, crossing the boundary between business and art. We also found out participants of the program 1) Gradually expanded the criteria, 2) In chaotic directions, and 3) Leaded business creativity through from a non-form to reality throughout the project experience, The attempt to identify business phenomena by using phenomenological qualitative research methods had an academic significance regarding the unfamiliarity of the method in the business administration area. Moreover, this study broadened the possibility of promoting creativity by art in business areas. The study verified the categories and subjects of the business art, paving the way towards application in the real business situation.

• Coupled systems mechanics
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• 제7권6호
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• pp.669-690
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• 2018

This paper deals with numerical modeling of dynamic failure phenomena in rate-sensitive brittle and/or ductile materials. To this end, a two-dimensional continuum viscodamage-embedded discontinuity model, which is based on our previous work (see Do et al. 2017), is developed. More specifically, the pre-peak nonlinear and rate-sensitive hardening response of the material behavior, representing the fracture-process zone creation, is described by a rate-dependent continuum damage model. Meanwhile, an embedded displacement discontinuity model is used to formulate the post-peak response, involving the macro-crack creation accompanied by exponential softening. The numerical implementation in the context of the finite element method exploiting the second-order mid-point scheme is discussed in detail. In order to show the performance of the model several numerical examples are included.