Park, Stuart in;M. Samant;D. Monsma;L. Thomas;P. Rice;R. Scheuerlein;D. Abraham;S. Brown;J. Bucchigano
Proceedings of the Korean Magnestics Society Conference
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2000.09a
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pp.5-32
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2000
MRAM, High performance MRAM using MTJS demostrated, fully integrated MTJ MRAM with CMOS circuits, write time ~2.3 nsec; read time ~3 nsec, Thermally stable up to ~350 C, Switching field distibution controlled by size & shape. Magnetic Tunnel Junction Properties, Magnetoresistance: ~50% at room temperature, enhanced by thermal treatment, Negative and Positive MR by interface modification, Spin Polarization: >55% at 0.25K, Insensitive ot FM composition, Resistance $\times$ Area product, ranging from ~20 to 10$^{9}$$\Omega$(${\mu}{\textrm}{m}$)$^{2}$, Spin valve transistor, Tunnel injected spin polarization for "hot" electrons, Decrease of MTJMR at high bias originates from anode.
Porous polytetrafluoroethylene (PTFE) thin films are fabricated by spin-coating using a dispersion solution containing PTFE powders, and their crystalline properties are investigated after thermal annealing at various temperatures ranging from 300 to $500^{\circ}C$. Before thermal annealing, the film is densely packed and consists of many granular particles 200-300 nm in diameter. However, after thermal annealing, the film contains many voids and fibrous grains on the surface. In addition, the film thickness decreases after thermal annealing owing to evaporation of the surfactant, binder, and solvent composing the PTFE dispersion solution. The film thickness is systematically controlled from 2 to $6.5{\mu}m$ by decreasing the spin speed from 1,500 to 500 rpm. A triboelectric nanogenerator is fabricated by spin-coating PTFE thin films onto polished Cu foils, where they act as an active layer to convert mechanical energy to electrical energy. A triboelectric nanogenerator consisting of a PTFE layer and Al metal foil pair shows typical output characteristics, exhibiting positive and negative peaks during applied strain and relief cycles due to charging and discharging of electrical charge carriers. Further, the voltage and current outputs increase with increasing strain cycle owing to accumulation of electrical charge carriers during charge-discharge.
Joung, Yeunho;Choi, Won Seok;Shin, Yongtak;Lee, Minji;Kim, Heekon
Journal of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers
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v.26
no.6
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pp.425-428
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2013
In this paper, we present a novel hydrophilic coating material (Wellture Finetech, Korea) which can be utilized as a coating layer for anti-contamination for electrical and electronic system. The coating material was deposited on 4 inch silicon wafer with several different film thickness. The film thickness was controlled by spin coating speed. After curing of the film, we have scratched by permanent marker to check self-cleaning property of the film. Also we have executed several mechanical tests of the films. As the spin coating speed is increased, the film thickness was thinned from 230 nm to 125 nm. Contact angle of the film was lowered from $30^{\circ}$ to $12^{\circ}$ as the spin coating speed is increased from 700 to 2,500 rpm. On permanent marker scratched film surface coated at 1,000 rpm, we have poured regular city water to investigate self cleaning property of the film. The scratches were gradually separated from the film surface due to super-hydrophilicity of the film. Hardness of spin coated film was 9H measured by ASTM D3363 method. and adhesion of all film was 5B tested by ASTM D3359 method. Also, to get exact hardness value of the film, we have utilized a nano-indenter. As spin speed is increased, the hardness of film was increased from 3 GPa to 5 GPa.
Au/PDMS membranes are widely used to fabricate strain sensors which can detect input signals. An interfacial adhesion between metal films and polydimethylsiloxane (PDMS) substrates is one of the important factors determining the performance of strain sensors, in terms of robustness, reliability, and sensitivity. Here, we fabricate Au/PDMS membranes with (3-mercaptopropyl) trimethoxysilane (MPTMS) treatment. PDMS membranes were fabricated by spin-coating and the thickness was controlled by varying the spin rates. Au electrodes were deposited on the PDMS membrane by metal sputtering and the thickness was controlled by varying sputtering time. Owing to the MPTMS treatment, the interfacial adhesion between the Au electrode and the PDMS membrane was strengthened and the membrane was highly transparent. The Au electrode, fabricated with a sputtering time of 50 s, had the highest gauge factor at a maximum strain of ~0.7%, and the Au electrode fabricated with a sputtering time of 60 s had the maximum strain range among sputtering times of 50, 60, and 120 s. Our technique of using Au/PDMS with MPTMS treatment could be applied to the fabrication of strain sensors.
A new rod-like liquid crystalline monomer having divinyl terminal groups was synthesized and polymerized by using thiol-ene UV polymerization technique. High quality thin film with good retardation value was prepared on a rubbed alignment layer without the inert gas purging. The retardation value of the resulting film was controlled by experimental conditions such as spin speed, concentration, and spin time. From the retardation value and thickness measurement, ${\bigtriangleup}n$ was calculated to be 0.169 for the resulting film having thickness of 815.1 nm.
To introduce flux pinning center in HTS-BSCCO system, nano-size MgO particles were uniformly distributed within the Bi-2223 grain by partial hydration of MgO. The existing method MgO doped Bi-2223 used nato-size MgO powders, which resulted in agglomeration during mixing or grain growth during heat-treatment due to the high surface energy of the fine particles. By hydration of the MgO surface, the agglomeration of the MgO powders was avoided and the size of remaining MgO core was controlled by changing hydration medium and time. The thin film obtained by spin coating of (Bi_$1.8/Pb_{0.4}$)$Sr_2$$_{Ca}$$2.2/Cu_3$$O_{y}$ nitrate solution mixed with hydrated MgO showed the even distribution of nano-size MgO particles in the Bi-2212 grains.s.s.
Proceedings of the Korea Concrete Institute Conference
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1997.04a
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pp.521-526
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1997
The Spin Tester(High Speed Balancing and Overspeed Test Facility), which is designed for the quality control of turbine, generator, and rotors was supposed to be constructed with the use of Steel Fiber Reinforced Concrete(SERC) for reducing the risk of accident while operation. However, it was very existence of fiber concrete due to there are two major concern in the SFRC work: one is existence of fiber ball due to inhomogeneous mixing, the other is the segregation of the concrete materials. To avoid these possible problems, the S/a was controlled about 55% to reduce the segregation and the high range AE water reducing agent was used to maintain the slump over the value of 18cm. With these careful consideratons, the SFRC work was done successfully by only using regular equipments like pump car and vibrator.
$Pb(ZrTi)O_3$ thin films were prepared on transparent conducting oxides, through sol-gel processing. The processing variables such as spin velocity, spin time and annealing temperature were investigated using a statistical design of experiments. Dielectric properties were determined through capacitance-voltage measurements and electrical characterizations evaluated using current-voltage characteristics. The leakage currents is determined mainly by annealing. The capacitance and breakdown voltage is found to be independent of the processing variables. The sophisticatedly controlled PZT thin films have been confirmed through microscopic images.
Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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1997.11a
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pp.48-51
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1997
(Pb. La)TiO$_3$ thin films were fabricated by sol-gel Processing and spin-coated on the Pt substrate. The spin-coated PLT films were sintered at 75$0^{\circ}C$ for 5min by rapid thermal ann La content dependence of the electrical properties of the PLT thin films are discussed. Wit La mole% from 20 to 36mo1e%. the dielectric constant of the PLT thin films decreased f 570. P-E hysteresis loops changed from ferroelectric to paraelectric. and the charge storage charging time decreased. The Curie Point decreased with increasing La content. The leak density also decreased and La 36mo1% species shows mood characteristics less than 10- electric field 500 (KV/cm) Because of the broad range of composition-controlled ferroelectric PLT thin films are suitable for memory application.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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