• 대한기계학회:학술대회논문집
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• 대한기계학회 2008년도 추계학술대회B
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• pp.2214-2219
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• 2008

The thermal contact resistance(TCR) of nanosized contact spots has been investigated through a multiscale analysis which considers the resolution of surface topography. A numerical simulation is performed on the finite element model of rough surfaces. Especially, as the contact size decreases below the phonon mean free path, the size dependent thermal conductivity is considered to calculate the TCR. In our earlier model which follows an elastic material, the TCR increases without limits as the number of nanosized contact spots increases in the process of scale variation. However, the elastoplastic contact induces a finite limit of TCR as the scale varies. The results are explained through the plastic behavior of the two contacting models. Furthermore, the effect of air conduction in nanoscale is also investigated.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 1999년도 추계학술대회 논문집
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• pp.350-353
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• 1999

This Paper Presents the optimized design of micro-heaters using 501(Si-on-insulator) substrate and oxide-filled trench structure In order to justify a lumped model approximation and thermal boundary assumptions, two-dimensional FDM(finite difference among which conduction is the dominant heat dissipation path. Compared with no-trenchs on the SOI structure, the micro-heaters with trench structures has properties of low heater loss and good thermal isolation. The simulation results show that the heater loss decreases as the number. width and distance of trenchs increases.

• Journal of Power Electronics
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• 제12권5호
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• pp.723-730
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• 2012

This paper presents a new ZVS single phase bridgeless (Power Factor Correction) PFC, using an active clamp to achieve zero-voltage-switching for all main switches and diodes. Since the presented PFC uses a bridgeless rectifier, most of the time, only two semiconductor components are in the main current path, instead of three in conventional single-switch configurations. This property significantly reduces the conduction losses,. Moreover, zero voltage switching removes switching loss of all main switches and diodes. Also, auxiliary switch turns on zero current condition. The presented converter needs just a simple non-isolated gate drive circuitry to drive all switches. The eight stages of each switching period and the design considerations and a control strategy are explained. Finally, the converter operation is verified by simulation and experimental results.

• Journal of Power Electronics
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• 제14권4호
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• pp.649-660
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• 2014

A novel non-isolated bidirectional soft-switching SEPIC/ZETA converter with reduced ripple currents is proposed and characterized in this study. Two auxiliary switches and an inductor are added to the original bidirectional SEPIC/ZETA components to form a new direct power delivery path between input and output. The proposed converter can be operated in the forward SEPIC and reverse ZETA modes with reduced ripple currents and increased voltage gains attributed to the optimized selection of duty ratios. All switches in the proposed converter can be operated at zero-current-switching turn-on and/or turn-off through soft current commutation. Therefore, the switching and conduction losses of the proposed converter are considerably reduced compared with those of conventional bidirectional SEPIC/ZETA converters. The operation principles and characteristics of the proposed converter are analyzed in detail and verified by the simulation and experimental results.

• 한국전기전자재료학회논문지
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• 제22권6호
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• pp.532-536
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• 2009

In this study, the capacity change of supercapacitor was investigated by surface treatments of carbon nanotubes as electrode materials with various methods, such as ball-milling, $KMnO_4$ and $H_2SO_4/HNO_3$ acid mixture. Surface treatments generated a number of defects on the surface of carbon nanotubes by attacking on $\pi$ bond in graphene layer, at which carboxyl groups were introduced. These hydrophilic groups could enhance the capacity by increasing the wettability of carbon nanotube surfaces. However, a drawback of the surface treatment was the decrease of conductivity by the loss of conduction path in graphene layer due to the defect formation. The surface treatment condition should be therefore optimized between hydrophilicity increase and conductivity decrease.

• 한국정보통신학회:학술대회논문집
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• 한국정보통신학회 2014년도 추계학술대회
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• pp.759-762
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• 2014

비대칭 이중게이트(double gate; DG) MOSFET는 단채널 효과를 감소시킬 수 있는 새로운 구조의 트랜지스터이다. 본 연구에서는 비대칭 DGMOSFET의 전도중심에 따른 차단전류를 분석하고자 한다. 전도중심은 채널 내 캐리어의 이동이 발생하는 상단게이트에서의 평균거리로써 상하단 게이트 산화막 두께를 달리 제작할 수 있는 비대칭 DGMOSFET에서 산화막 두께에 따라 변화하는 요소이며 상단 게이트 전압에 따른 차단전류에 영향을 미치고 있다. 전도중심을 구하고 이를 이용하여 상단 게이트 전압에 따른 차단전류를 계산함으로써 전도중심이 차단전류에 미치는 영향을 산화막 두께 및 채널길이 등을 파라미터로 분석할 것이다. 차단전류를 구하기 위하여 포아송방정식으로부터 급수 형태의 해석학적 전위분포를 유도하였다. 결과적으로 전도중심의 위치에 따라 차단전류는 크게 변화하였으며 이에 따라 문턱전압 및 문턱전압이하 스윙이 변화하는 것을 알 수 있었다.

• 한국정보통신학회:학술대회논문집
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• 한국정보통신학회 2014년도 추계학술대회
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• pp.765-768
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• 2014

본 연구에서는 비대칭 이중게이트 MOSFET의 상하단 게이트 산화막 두께 비에 대한 문턱전압 및 전도중심의 변화에 대하여 분석하고자한다. 비대칭 이중게이트 MOSFET는 상하단 게이트 산화막의 두께를 다르게 제작할 수 있어 문턱전압이하 영역에서 전류를 제어할 수 있는 요소가 증가하는 장점이 있다. 상하단 게이트 산화막 두께 비에 대한 문턱전압 및 전도중심을 분석하기 위하여 포아송방정식을 이용하여 해석학적 전위분포를 구하였다. 이때 전하분포는 가우스분포함수를 이용하였다. 하단게이트 전압, 채널길이, 채널두께, 이온주입범위 및 분포편차를 파라미터로 하여 문턱전압 및 전도중심의 변화를 관찰한 결과, 문턱전압은 상하단 게이트 산화막 두께 비에 따라 큰 변화를 나타냈다. 특히 채널길이 및 채널두께의 절대값보다 비에 따라 문턱전압이 변하였으며 전도중심이 상단 게이트로 이동할 때 문턱전압은 증가하였다. 또한 분포편차보단 이온주입범위에 따라 문턱전압 및 전도중심이 크게 변화하였다.

• Journal of Power Electronics
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• 제19권1호
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• pp.296-306
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• 2019

The flyback topology is being widely used in power adapters. The coupling capacitance between primary and secondary windings of a flyback transformer is the main path for common-mode (CM) noise conduction. A Y-cap is usually used to effectively suppress EMI noise. However, this results in problems in space, cost, and the danger of safety leakage current. In this paper, the CM noise behaviors due to the electric field coupling of the transformer windings in a flyback adapter with synchronous rectification are analyzed. Then a scheme with balance winding is proposed to reduce the CM noise with a transformer winding design that eliminates the Y-cap. The planar transformer has advantages in terms of its low profile, good heat dissipation and good stray parameter consistency. Based on the proposed scheme, with the help of a full-wave simulation tool, the key parameter influences of the transformer PCB winding design on CM noise are further analyzed. Finally, a PCB transformer for an 18W adapter is designed and tested to verify the effectiveness of the balance winding scheme.

• 폴리머
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• 제33권5호
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• pp.397-406
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• 2009

유기 박막 트랜지스터 (OTFTs)의 소스-드레인 전극을 스크린 인쇄를 통해 제작하였고, 전극용 페이스트로써 전도성 카본블랙 페이스트를 사용하였다. 전도성 카본블랙 페이스트를 제조하기 위해 서로 다른 분자량 및 고분자 사슬 구조를 갖는 2종류의 분산제(DB-2150, DB-9077)를 사용하여 분산제 함량(SOF; solid on powder, 10-40%)에 따른 카본블랙 밀베이스의 분산 특성을 검토한 결과, 분산제 함량이 증가함에 따라 분산 특성이 더 우수해 짐을 알 수 있었다. 전도성 카본블랙 페이스트를 제조하여 레올로지 측정을 통해 카본블랙의 분산상태 및 응집구조에 대해 검토한 결과, 분산제로 DB-2150을 사용한 페이스트들은 분산제 함량이 증가함에 따라 페이스트의 분산 특성이 향상되어 저장 탄성률(G')이 감소하였지만, DB-9077을 사용한 페이스트들은 카본블랙 사이의 상호작용에 의해 망목구조가 존재하였고, 분산제 함량이 증가함에 따라 카본블랙과 분산제간 또는 분산제간의 상호작용에 의해 페이스트의 저장 탄성률(G')은 더욱 증가하였다. 이러한 응집구조는 페이스트의 내부 저항력 (tacky)을 발생시켜 DB-9077을 사용한 페이스트들은 분산제 함량이 증가함에 따라 스크린 인쇄 적성이 좋지 못하였다. 하지만, 스크린 인쇄된 OTFTs용 소스-드레인 전극의 전기적 특성은 카본블랙 사이에 형성된 망목구조에 의해 카본블랙의 도전 경로(conduction Path)가 형성됨에 따라 DB-2150을 사용한 페이스트들의 OTFTs에 비해 더 우수하였다. 그러나, 2종류의 분산제를 사용한 페이스트 모두, 분산제의 함량이 증가함에 따라 카본블랙 표면을 감싸는 분산제 함량 또한 증가하게 되어 이로 인해 카본블랙간의 도전 경로 형성은 어렵게 되고 전극의 특성은 점점 열화되었다.

• 한국세라믹학회지
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• 제39권1호
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• pp.86-91
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• 2002

고체 산화물 연료전지(Solid Oxide Fuel Cell; SOFC)는 무공해 청정에너지원으로서 기존의 발전방식을 대체할 차세대 에너지원으로 각광받고 있다. 고체산화물 연료전지의 구성요소는 크게 음극(anode), 양극(cathode), 전해질(electolyte)로 나뉘어 지는데 그 중 음극은 전극으로서의 역할은 물론 음극지지형인 경우 지지체 역할가지 수행해야 하기 때문에 아주 다양한 특성이 요구되어지고 있다. 그 중에서도 연료전지 성능의 최대 감쇄요인으로 지적되고 있는 분극저항을 줄이기 위해서는 높은 전기전도도와 높은 가스투과도가 요구되고있다. 본 연구에서는 음극 제조과정 중 첨가하는 기공 전구체의 종류에 따라 기판의 기공구조가 어떻게 바뀌는지 또 그로 인해 기판의 미세구조 및 전기전도도가 어떠한 영향을 받는지 관찰하였다. 결과 음극기판의 미세구조 및 전기전도도는 기공전구체의 종류에 따라 크게 달라졌으며 특히 이방성을 가지는 기공전구체의 사용은 전도성상의 단락 및 비효율적인 기공의 양산을 가져와 결과적으로 연료전지 성능을 악화시킬 것으로 예상된다.