• 한국정보통신학회:학술대회논문집
• /
• 한국정보통신학회 2012년도 추계학술대회
• /
• pp.825-828
• /
• 2012

본 연구에서는 이중게이트 MOSFET의 전도중심에 따른 항복전압의 변화를 분석할 것이다. DGMOSFET에 대한 단채널효과 중 낮은 항복전압은 소자동작에 저해가 되고 있다. 항복전압분석을 위하여 포아송방정식의 분석학적 전위분포를 이용하였으며 이때 전하분포함수에 대하여 가우시안 함수를 사용함으로써 보다 실험값에 가깝게 해석하였다. 소자 파라미터인 채널길이, 채널두께, 게이트산화막두께 그리고 도핑농도 등에 대하여 전도중심의 변화에 대한 항복전압의 변화를 관찰하였다. 본 연구의 모델에 대한 타당성은 이미 기존에 발표된 논문에서 입증하였으며 본 연구에서는 이 모델을 이용하여 항복전압특성을 분석할 것이다. 분석결과 항복전압은 소자파라미터에에 대한 전도중심의 변화에 크게 영향을 받는 것을 관찰할 수 있었다.

• 한국정보통신학회논문지
• /
• 제16권11호
• /
• pp.2511-2516
• /
• 2012

본 연구에서는 이중게이트 MOSFET의 전도중심에 따른 문턱전압의 변화를 분석할 것이다. DGMOSFET에 대한 단채널효과 중 문턱전압의 이동은 정확한 소자동작에 저해가 되고 있다. 문턱전압분석을 위하여 포아송방정식의 분석학적 전위분포를 이용하였으며 이때 전하분포함수에 대하여 가우시안 함수를 사용함으로써 보다 실험값에 가깝게 해석하였다. 소자 파라미터인 채널길이, 채널두께, 게이트산화막두께 그리고 도핑농도 등에 대하여 전도중심의 변화에 대한 문턱전압의 변화를 관찰하였다. 본 연구의 모델에 대한 타당성은 이미 기존에 발표된 논문에서 입증하였으며 본 연구에서는 이 모델을 이용하여 문턱전압특성을 분석할 것이다. 분석결과 문턱전압은 소자파라미터에 에 대한 전도중심의 변화에 크게 영향을 받는 것을 관찰할 수 있었다.

• 한국정보통신학회논문지
• /
• 제19권1호
• /
• pp.156-162
• /
• 2015

본 연구에서는 비대칭 이중게이트 MOSFET의 산화막두께, 채널도핑농도 그리고 상하단 게이트 전압 등과 같은 소자 파라미터에 따른 전도중심 및 전자농도가 문턱전압이하 스윙에 미치는 영향을 분석하고자 한다. 비대칭 이중게이트 MOSFET는 대칭구조와 비교하면 상하단 게이트 산화막의 두께 및 게이트 전압을 각각 달리 설정할 수 있으므로 단채널효과를 제어할 수 있는 요소가 증가하는 장점을 가지고 있다. 그러므로 상하단 산화막두께 및 게이트 전압에 따른 전도중심 및 전자분포의 변화를 분석하여 심각한 단채널효과인 문턱전압이하 스윙 값의 저하 현상을 감소시킬 수 있는 최적의 조건을 구하고자 한다. 문턱전압이하 스윙의 해석학적 모델을 유도하기 위하여 포아송방정식을 이용하여 전위분포의 해석학적 모델을 구하였다. 결과적으로 소자 파라미터에 따라 전도중심 및 전자농도가 크게 변화하였으며 문턱전압이하 스윙은 상하단 전도중심 및 전자농도에 의하여 큰 영향을 받는 것을 알 수 있었다.

• Design & Manufacturing
• /
• 제6권1호
• /
• pp.95-100
• /
• 2012

In this study, a novel Cu composite sheet with embedded high electric conduction path was developed as another alternative for the interconnect materials possessing high electrical conductivity as well as high strength. The Cu composite sheet was fabricated by forming Ag conduction paths not within the interior but on the surface of a high strength Cu substrate by damascene electroplating process. As a result, the electrical conductivity increased by 40% thanks to mesh type Ag conduction paths, while the ultimate tensile strength decreased by 20%. The interfacial fracture resistance of Cu composite sheet prepared by damascene electroplating increased by above 50 times compared to Cu composite sheet by conventional electroplating. For feasibility test for practical application, a leadframe for LED module was manufactured by a progressive blanking and piercing processes, and the blanked surface profile was evaluated as a function of the volume fraction of Ag conduction paths. As Ag conduction path became finer, pressing formability improved.

• 설비공학논문집
• /
• 제17권3호
• /
• pp.216-222
• /
• 2005

An experimental investigation was executed to determine the capacity degradation due to fin conduction and non-uniform refrigerant distribution in a multi-path evaporator with cross-counter flow. The finned-tube evaporator, which had a three-path and three-depth-row, was tested by controlling inlet quality, exit pressure, and exit superheat for each refrigerant path. The capacity reduction due to superheat unbalance between each path was as much as $25\%$ for non-cutting evaporator, even when the overall evaporator superheat was kept at a target value of $5.6^{\circ}C$. It indicates that the internal heat transfer within the evaporator assembly causes the partial capacity drop. The capacity of cutting-evaporator with respect to non-cutting evaporator was enhanced according to the increment of air flow rate when superheat or superheat unbalance increased.

• 대한기계학회논문집B
• /
• 제40권2호
• /
• pp.111-117
• /
• 2016

본 연구의 목적은 실리콘 열전달 조절을 위한 포논의 평균자유행로(Mean free path, MFP) 스펙트럼 열전달 기여도 예측이다. 열전달의 크기 효과는 포논의 MFP 와 재료의 특성길이가 비슷할 때 나타나는데, 나노시스템 응용을 위한 재료의 열전달 증감을 위해 포논 MFP 스펙트럼에 대한 열전달 기여도 예측이 중요하다. 이를 위해 포논의 주파수 의존성이 고려된 볼츠만 수송방정식(Boltzmann transport equation) 근간의 full phonon dispersion 모델을 통해 실리콘 박막(Silicon-on-Insulator) 트랜지스터의 실리콘 박막 두께 변화(41-177 nm)에 따른 포논 MFP 스펙트럼 열전달 특성 및 비등방성을 해석함으로써, 본 연구 결과는 향후 박막 트랜지스터에 대한 고효율 열소산(heat dissipation) 설계전략에 활용될 수 있다.

• 한국정보통신학회논문지
• /
• 제18권8호
• /
• pp.1925-1930
• /
• 2014

본 연구에서는 비대칭 이중게이트(double gate; DG) MOSFET의 채널 내 도핑분포함수에 따른 전도중심과 문턱전압이하 스윙의 관계에 대하여 분석하였다. 비대칭 DGMOSFET의 채널크기는 매우 작기 때문에 불순물의 수가 매우 작으므로 고 도핑된 채널의 경우에 대하여 분석하였다. 이를 위하여 포아송방정식에서 해석학적 전위분포모델을 유도하였으며 도핑분포함수는 가우스분포함수를 사용하였다. 해석학적 전위분포모델을 이용하여 전도중심 및 문턱전압이하 스윙모델을 유도하였으며 채널길이 및 채널두께가 변할 때, 도핑분포함수의 변수인 이온주입범위 및 분포편차에 따른 전도중심 및 문턱전압이하 스윙의 변화를 관찰하였다. 결과적으로 전도중심이 상단게이트 단자로 이동할 때, 문턱전압이하 스윙 값은 감소하였으며 단채널 효과에 의하여 채널길이 감소 및 채널두께 증가에 따라 문턱전압이하 스윙 값은 증가하였다.

• 한국세라믹학회지
• /
• 제32권8호
• /
• pp.957-965
• /
• 1995

The ionic conductivityof NASICON solid electrolytes was simulated by using Monte Carlo Method (MCM) based on a hopping model as functions of temoperature and composition. Two conduction paths were used : jumping from Na1 to Na2 and jumping from Na1 to Na2 and jumping from Na2 to Na2. Vacancy availability factor, V was affected by composition, temperature and the conduction paths. For β"-Alumina, it was known that the minimum of charge correlation factor, fc appears at the composition, p=0.5, but there was not shown the minimum of fc for NASICON. When the NASICON composition, x, approaches 2.5, the curve of In σT vs. 1/T* was shown Arrhenius behavior and also In (VWfc) was a linear function of 1/T*. The results of simulations on the considered conduction paths didn't agree with the experimental results. Thus it will be necessary to include the another Na sites as mid-Na site on the conduction path to obtain the better results.

• 한국재료학회지
• /
• 제13권11호
• /
• pp.756-760
• /
• 2003

Two dimensional computer simulations were conducted on percolative structure in which second phases with various short diameter were arranged in matrix phase. In case of prohibiting the overlap among the second phases, the maximum area fraction of second phase arranged in matrix was increased with higher short diameter. In case of allowing the overlap among the second phases, the critical area fraction was increased with higher short diameter and the total number of distributed second phase was decreased. This results represented that thickness variation of short diameter by grain growth on the production processes affect significantly forming the completion path.

• 한국세라믹학회지
• /
• 제33권6호
• /
• pp.645-652
• /
• 1996

The ionic conductivity of NASICON (Na Super Ionic Conductor) solid electrolyte was simulated by using Monte Carlo Method (MCM)based on a hopping model. We assumed that the conduction path of Na ions is Na1→mid-Na→Na2 where the mid-Na sites are shallow potential sites to induce 'a breathing-like movement' of Na ions in the NASICON framework. The minimum of charge correlation factor Fc and the maximum of appeared at nearby x=2.0 The occupancy of mid-Na site affected the depth of potential barrier and the conduc-tivity of the NASICON. At above x=0.3 ln σT vs. 1/T* plots have been shown Arrhenius behavior but in (VWfc)vs. 1/T* have been shown the Arrhenius type tendency at x=1 MCM results accorded with the experi-mental procedure. The role of mid-Na on Na+ ion conduction could be explained by an additional driving force and a breating-like movement model for motions of Na+ ions in the NASICON framework. As we couldn't clearly remarked the model which is the better it seems reasonable to conclude that these hypothesies are suitable to explain the FIC behavior at NASICON.