• 제목/요약/키워드: co-sputtering

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광자기 디스크의 기록 및 자기적 특성에 산소가 미치는 영향 (Effect of Oxygen on the Magnetic and Recording Characteristics of Magneto-Optical Disk)

  • 최건
    • 한국자기학회지
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    • 제3권3호
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    • pp.229-233
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    • 1993
  • 광자기 디스크의 제조시 기록막내부의 산소함량에 따른 기록 및 자기적 특성의 변화를 연구하였다. 기록막내의 산소함량 변화는 반응성 스퍼터링에 의해 조절하였으며 스퍼터링 전과정 동안 산소의 거동을 in-situ 잔류가스분석기로 조사하였다. 산소함량의 증가에 따라 보자력은 감 소하였으나 수직이방성 및 수직 각형비등은 변화하지 않았다. 대부분의 첨가된 산소는 스퍼터링 과정중 소모되어 Tb원자와 안정한 산화물을 형성하여 자기적 조성의 변화를 초래하였지만 임계기 록크기와 임계외부자계크기에만 약간의 변화를 가져왔을 뿐 디스크의 기록신호잡음비에는 별로 영향을 미치지 않았다. 또한 디스크의 신뢰도면에서도 크게 감소하지 않았다.

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RF magnetron sputtering을 이용한 ZnO 박막의 F 도핑 효과 (Fluorine doping effect of ZnO film by RF magnetron sputtering)

  • 구대영;김인호;이인규;이경석;박종극;이택성;백영준;정병기;김원목
    • 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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    • 한국전기전자재료학회 2004년도 하계학술대회 논문집 Vol.5 No.2
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    • pp.1023-1028
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    • 2004
  • RF magnetron sputtering을 이용하여 증착한 투명전도성 ZnO 박막의 F 도핑량에 따른 전기, 구조, 광학적 특성에 대해 고찰하였다. 순수 ZnO와 ZnO : $ZnF_2$(1.3 wt%) 그리고 ZnO : $ZnF_2$(10 wt%) 3개의 타겟들을 2개씩 조합 각각의 rf 파워를 조절하여 co-sputtering 방법으로 $ZnF_2$ wt%를 변화시켜 박막내의 F 도핑량을 조절하였다. 증착된 박막들은 열처리에 따른 물성 변화를 분석하기 위해 $5{\times}10^{-7}$ torr 이하의 진공 분위기에서 $300^{\circ}C$에서 2 시간 동안 열처리하였다. XRD 분석 결과 제작된 모든 ZnO 박막은 (002) 우선 방위 특성을 보였고 F 도핑량 증가에 따라 (101), (110), (100) 방향의 약한 피크들이 나타났으며, 이러한 구조적 특성 변화는 이동도의 변화와 밀접한 관계가 있는 것으로 나타났다. Auger로 박막 내의 F 량을 분석한 결과 최대 5.9 at%의 F이 포함되어 있었으며, 열처리 후 캐리어 농도와 이동도는 증가하였고 최고 $37cm^2/Vs$의 이동도를 나타내었으며, 모든 박막들은 가시광 영역에서 81 % 이상의 투과도를 가졌다.

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저온동시소성세라믹 기판 위에 제작된 PZT 박막의 증착조건이 박막의 구조적 특성에 미치는 영향 (Effects of Sputtering Condition on Structural Properties of PZT Thin Films on LTCC Substrate by RF Magnetron Sputtering)

  • 이경천;황현석;이태용;허원영;송준태
    • 한국전기전자재료학회논문지
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    • 제24권4호
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    • pp.297-302
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    • 2011
  • Recently, low temperature co-fired ceramic (LTCC) technology is widely used in sensors, actuators and microsystems fields because of its very good electrical and mechanical properties, high reliability and stability as well as possibility of making 3D micro structures. In this study, we investigated the effects of sputtering gas ratio and annealing temperature on the crystal structure of $Pb(ZrTi)O_3$ (PZT) thin films deposited on LTCC substrate. The LTCC substrate with thickness of $400\;{\mu}m$ were fabricated by laminating 4 green tapes which consist of alumina and glass particle in an organic binder. The PZT thin films were deposited on Pt / Ti / LTCC substrates by RF magnetron sputtering method. The results showed that the crystallization of the films were enhanced as increasing $O_2$ mixing ratio. At about 25% $O_2$ mixing ratio, was well crystallized in the perovskite structure. PZT thin films was annealed at various temperatures. When the annealing temperature is lower, the PZT thin films become a phyrochlore phase. However, when the annealing temperature is higher than $600^{\circ}C$, the PZT thin films become a perovskite phase. At the annealing temperature of $700^{\circ}C$, perovskite PZT thin films with good quality structure was obtained.

Effects of Sputtering Ar Gas Pressure in The Exchange Stiffness of $Co_{40}Fe_{40}B_{20}$ Thin Films

  • Cho, Jae-Hun;Jung, Jin-Yong;Kim, Ka-Eon;Lee, Suk-Mock;You, Chun-Yeol
    • 한국자기학회:학술대회 개요집
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    • 한국자기학회 2012년도 임시총회 및 하계학술연구발표회
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    • pp.70-71
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    • 2012
  • In summary, the BLS experiments was applied to investigate the magnetic properties of $Co_{40}Fe_{40}B_{20}$ thin films. We find that the exchange stiffness constant decrease with increasing Ar gas pressure.

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스퍼터링법으로 제조된 CoNbZrPd 비정질 박막의 특성 (Characteristics of Amorphous CoNbZrPd Thin Films Deposited by Sputtering)

  • 민복기;김현식;송재성;오영우;허정섭
    • 대한전기학회:학술대회논문집
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    • 대한전기학회 1999년도 하계학술대회 논문집 D
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    • pp.1968-1970
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    • 1999
  • 본 연구에서는 RF 마그네트론 스퍼터링법으로 CoNbZrPd 비정질 연자성 박막을 제조하여 Pd의 첨가 효과와 자장중 열처리에 의한 특성 변화에 대해 연구하였다. Pd가 4.34 at% 첨가된 $Co_{87.56}Nb_{6.45}Zr_{1.65}Pd_{4.34}$ 박막은 비정질 구조이며 Pd 첨가에 의해 보자력은 0.54 Oe으로 감소하였으며, 이방성 자계는 10.45 Oe로 Pd를 첨가하지 않은 CoNbZr 비정질 박막 보다 특성이 향상되었다. $Co_{87.56}Nb_{6.45}Zr_{1.65}Pd_{4.34}$ 비정질 박막은 $400^{\circ}C$까지 비정질 상을 유지하고 있지만, 연자기 특성이 열화되어 보자력이 증가하고 이방성자계가 급격히 감소하였지만, 포화 자화는 크게 변화지 않았다.

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(Co-Cr)-P-Ni 합금 박막의 자기적 특성 (Magnetic Properties of (Co-Cr)-P-Ni Alloy Thin Film)

  • 박창민;신경호;손홍균;이택동
    • 한국자기학회지
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    • 제5권2호
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    • pp.134-139
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    • 1995
  • DC magnetron 스파터링 방법으로 $(Co_{93}Cr_{7})-P-Ni$ 계 수평 자기 기록용 박막을 제조하였다. $(Co_{93}Cr_{7})-P-Ni$ 의사 삼원계(pseudo-ternary) 박막의 Ni 및 P의 함량 변황 따른 자기적 특성의 변화를 조사하였다. 박막의 조성을 조절함으로써 최대 1500 Oe의 보자력을 얻을 수 있었다. P 첨가에 따른 보자력 향상의 원인으로는 면내 이방성(in-plane anisotropy) 향상, 입자 크기의 변화, P 성분의 입계편석에 따른 입자간의 decoupling 등을 들 수 있다. 또한 TEM으로 미세 구조를 관찰한 결과 P 가 첨가되면 입자의 크기가 작아지면서 입자간의 자기적 decoupling이 일어남을 알 수 있었다.

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금속산화물 코팅을 통한 박막 $LiCoO_2$양극의 전기화학적 특성 향상 (The Effect of Metal-Oxide Coating on the Electrochemical Properties in Thin-Film $LiCoO_2$ Cathodes)

  • 김혜민;김병수;김용정;조재필;박병우
    • 한국재료학회:학술대회논문집
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    • 한국재료학회 2003년도 추계학술발표강연 및 논문개요집
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    • pp.124-124
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    • 2003
  • To improve the electrochemical properties of thin-film LiCoO$_2$ cathodes, metal oxides were coated on the LiCoO$_2$ thin films using f sputtering. Galvanostatic charge-discharge experiments showed the enhanced cycling behaviors in the metal-oxide coated LiCoO$_2$ thin films than the uncoated ones. These results are because the metal-oxide coating layer suppresses the degradation of Li-diffusion kinetics during cycling, which is related to the protection of cathode surface from the electrolytes [l-3]. The variation in the metal-oxide coating thickness ranging from 10 to 300 nm did not affect the electrochemical properties. Changes of lattice constants in the coated and bare LiCoO$_2$ thin films at different charged states will also be discussed.

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CoCr(-Ta)/Si 이층막의 c-축 우선 배향성에 관한 연구 (A Study on the c-axis preferred orientation of CoCr(-Ta)/Si doublelayer)

  • 김용진;박원효;신성권;손인환;최형욱;김경환
    • 대한전기학회:학술대회논문집
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    • 대한전기학회 2001년도 하계학술대회 논문집 C
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    • pp.1475-1477
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    • 2001
  • In odor to set high saturation magnetization and coercivity, it had need to orient axis of easy magnetization of CoCr-based thin film perpendicular direction(c-axis) to the substrate plane. It was known that crystalline orientation of CoCr-based thin film was improved by introducing underlayer like Ti, Ge. We prepared singlelayer and double layer with Si underlayer by Facing Targets Sputtering System. As a result, intensity and c-axis dispersion angle ${\Delta}{\theta}_{50}$ of singlelayer were improved with increasing film thickness. Also, it was found that CoCr/Si and CoCrTa/Si double layer showed good c-axis dispersion angle due to introducing Si.

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Ni/Co/Ni를 적용한 Ni germane-silicide의 열 안정성 개선 (Thermal stability improvement of nickel germane-silicide with Ni/Co/Ni on silicon-germanium)

  • 황빈봉;지희환;오순영;배미숙;윤장근;김용구;박영호;왕진석;이희덕
    • 대한전자공학회:학술대회논문집
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    • 대한전자공학회 2003년도 하계종합학술대회 논문집 II
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    • pp.1069-1072
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    • 2003
  • Germane-sillicide phase formation on S $i_{0.25}$G $e_{0.75}$ with Ni 100$\square$, Co 10$\square$/Ni 100$\square$ and Ni 50$\square$/Co 10$\square$/Ni 50$\square$ layer was studied by sheet resistance and Field Emission Scanning Electron Microscopy(FESEM). Thermal stability of nickel germane-silicide is found to be improved by sputtering Ni/Co/Ni on the SiGe. After annealing at 600, 650, $700^{\circ}C$, 30min., the nickel germane-silicide formed by Ni 50$\square$/Co 10$\square$/Ni 50$\square$ layer achieved a sheet resistance less than 17ohms/sq.(almost the same to the value before furnace annealing for 30min.) , while the process of the other two ways result in high sheet resistance and even sheet resistance fail due to Ge segregation.ion.

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