Characteristics of Amorphous CoNbZrPd Thin Films Deposited by Sputtering

스퍼터링법으로 제조된 CoNbZrPd 비정질 박막의 특성

  • Min, B.K. (KERI, Div. of Electrical Materials) ;
  • Kim, H.S. (KERI, Div. of Electrical Materials) ;
  • Song, S.J. (KERI, Div. of Electrical Materials) ;
  • Oh, Y.W. (Kyungnam Univ. Div. of Advanced Materials Engineering) ;
  • Her, J.S. (Kyungnam Univ. Div. of Advanced Materials Engineering)
  • 민복기 (한국전기연구소 전기재료연구부) ;
  • 김현식 (한국전기연구소 전기재료연구부) ;
  • 송재성 (한국전기연구소 전기재료연구부) ;
  • 오영우 (경남대학교 신소재공학부) ;
  • 허정섭 (경남대학교 신소재공학부)
  • Published : 1999.07.19

Abstract

본 연구에서는 RF 마그네트론 스퍼터링법으로 CoNbZrPd 비정질 연자성 박막을 제조하여 Pd의 첨가 효과와 자장중 열처리에 의한 특성 변화에 대해 연구하였다. Pd가 4.34 at% 첨가된 $Co_{87.56}Nb_{6.45}Zr_{1.65}Pd_{4.34}$ 박막은 비정질 구조이며 Pd 첨가에 의해 보자력은 0.54 Oe으로 감소하였으며, 이방성 자계는 10.45 Oe로 Pd를 첨가하지 않은 CoNbZr 비정질 박막 보다 특성이 향상되었다. $Co_{87.56}Nb_{6.45}Zr_{1.65}Pd_{4.34}$ 비정질 박막은 $400^{\circ}C$까지 비정질 상을 유지하고 있지만, 연자기 특성이 열화되어 보자력이 증가하고 이방성자계가 급격히 감소하였지만, 포화 자화는 크게 변화지 않았다.

Keywords