• 반도체디스플레이기술학회지
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• 제15권4호
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• pp.79-85
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• 2016

For long life time and high efficiency, not necessary in improvement of LED chip structure, but also improve heat radiation for decrease heat in LED chip. In this study, efficiency decline factor has been investigated in LED lamp as study heat characteristic, luminance flux and heat resistance. When LED lamp temperature was increased, about 7% loss of luminance flux. In consequence of temperature analysis, width of fin was the most important factor of heat radiation. As a result, secure the enough heat path is very important factor of LED lamp design.

• 전자공학회논문지 IE
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• 제45권4호
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• pp.42-46
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• 2008

LED의 생산은 L/F기판 위에 Die본딩과 Wire본딩을 한다. 그리고 LED Chip을 보호하고 휘도를 개선시키기 위하여 epoxy를 dispensing한다. 이 논문에서 실린지 속에 담겨 있는 eopxy의 양을 자동 검출하여, 그 양에 따른 압력과 시간의 data를 자동 보정 제어하고, 일정량의 epoxy가 토출되는 X-Y-Z축의 반복정밀도 보정용 기구물의 설계를 통하여 토출량을 일정하게 제어하고 불량율을 감소시켜 생산성을 높인다.

• 한국정밀공학회:학술대회논문집
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• 한국정밀공학회 2010년도 춘계학술대회 논문집
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• pp.1117-1118
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• 2010

• 대한전기학회:학술대회논문집
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• 대한전기학회 2015년도 제46회 하계학술대회
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• pp.1285-1285
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• 2015

현재 전력난에 의해 에너지 절감이라는 말은 가정 및 산업 현장 곳곳에서 들을 수 있다. 에너지 절감 대책 중 하나가 몇 년전 정부에서 발표한 백열등 수입 및 유통금지가 있다. 그 효과로 LED 산업이 각광 받게 되었다. 다양한 LED 산업 및 기술에서도 신뢰성 및 성능 분야는 항상 진화하고 많은 기업들이 집중하고 있다. LED에서 중요한 요소인 방열성능을 개선시키기 위해 많은 연구를 행하고 있다. 그리고 광원 개발분야에서도, 반도체 광원의 LED PKG의 다량 실장으로 고출력을 행하는 것 보다는 기판위에 Blue Chip을 실장하여 제작하는 고출력 광원의 기술로 집중되고 있다. 이 논문에서는 고출력 광원인 COB(Chip On Board) LED의 방열성능 개선을 다루었다. 기판의 구조 변형으로 방열특성 개선 대안을 제시하였다. Via hole과 Cavity를 이용한 구조를 제안하였다. 그에 대한 해석 방법으로는, 구조적인 해석과 수치적인 해석을 활용하였다. 그 결과로는 약 13~40%의 방열성능 개선을 나타내었다.

• 마이크로전자및패키징학회지
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• 제21권1호
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• pp.19-23
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• 2014

LED (Light Emitting Diode) 시장의 발전이 빠르게 이루어지고 있음에 따라 점차 고효율 LED의 필요성이 증가하고 있다. 이에 우리는 Hole Type의 Padless 신 구조 수직형 LED에서, 접촉 전극의 크기와 그 배치가 Chip의 가동 전압에 어떠한 영향을 미치는지 알아보았다. 이를 위하여 LED simulation을 통한 계산과 실제 Chip 제작을 통한 전기적 특성 평가를 하였다. 그 결과, Simulation 을 통하여 n전극의 크기가 커질수록 구동전압이 낮아짐을 확인하였고, N 전극의 형태가 확산됨에 따라서도 구동전압이 낮아짐을 확인하였다. 이러한 추세는 실제 제작한 LED Chip의 측정 결과와 비슷한 경향을 나타내었다.

• 한국광학회지
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• 제16권3호
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• pp.275-286
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• 2005

InGaN LED에서 칩 구조 및 칩마운트 구조에 따른 광추출효율의 변화를 Monte Calo 기법을 이용하여 해석하였다. Simulation을 통해 얻은 중요한 결론의 하나는, InGaAlP 또는 InGaN/SiC LED의 경우에서는 달리, InGaN/sapphire LED의 경우 칩의 측 벽면 기울임 기법의 광추출효율 개선효과가 상대적으로 미미하다는 점이다. InGaN/SiC LED의 경우와는 달리, 기판으로 사용되는 sapphire의 굴절률이 상대적으로 작아서 생성된 광자들이 기판으로 넘어가는데 전반사장벽을 만나게 되어, 많은 광자들이 기판으로 넘어가지 못하고 두께가 매우 얇은 반도체 결정층에 갇히는 현상 때문이다. 동일한 현상은 epi-down 구조의 칩 마운트에서 광추출효율이 크게 개선되지 못하는 원인으로도 작용하게 된다. 광추출효율 관점에서의 epi-down 구조의 InGaN/sapphire LED가 갖고 있는 잠재력을 살리기 위한 방법의 하나는 기판-에피택시 계면을 texturing 하는 것이라고 할 수 있는데, 이 경우 생성된 광자들이 다량기판으로 넘어갈 수 있게 되어 광추출효율이 현저하게 개선된다.

• 한국광학회지
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• 제21권3호
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• pp.118-122
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• 2010

절연층이 부분 제거된 MCPCB에 기반을 둔 변화된 COB 개념의 고출력 LED 램프 구조를 제안하였다. 제안된 구조의 경우, LED 소자와 금속 base 사이에 절연층이 제거됨에 따라 칩으로부터 발생된 열이 기판의 금속 base로 손쉽게 방출된다. 그 결과 제안된 구조의 LED 램프는, 열 시뮬레이션은 물론 광출력 및 스펙트럼의 구동시간에 따른 변화 상에서도, MCPCB에 부착된 SMD형 LED 램프나 기존의 COB개념에 바탕을 두고 있는 LED 램프에 비해서도 우수한 열적특성을 갖는다는 것을 확인할 수 있었다.

• 마이크로전자및패키징학회지
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• 제21권1호
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• pp.1-6
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• 2014

고출력 LED 패키지의 열적 경로(thermal path)를 줄이기 위해 플립칩 본딩법에 대한 연구가 활발히 진행되고 있다. 본 연구에서는 Au-Sn 열압착 본딩 및 Sn-Ag-Cu(SAC) 리플로우 본딩을 이용하여 본딩 특성 및 열적특성을 비교 평가 하였다. Au-Sn 열압착 본딩은 50 N에서 $300^{\circ}C$의 접합온도로 본딩하였고, SAC 솔더는 솔더페이스트를 인쇄한 후 리플로우법으로 피크온도 $255^{\circ}C$에서 30 sec에서 본딩하였다. SAC 솔더를 사용한 LED 패키지의 전단강도는 $5798.5gf/mm^2$로 Au-Sn 열압착 본딩의 $3508.5gf/mm^2$에 비해 1.6배 높았다. 파단면과 단면분석 결과 Au-Sn, SAC 솔더 모두 LED 칩 내부에서 파단이 일어나는 것을 관찰하였다. 반면 Au-Sn 열압착 본딩 샘플의 열저항은 SAC솔더 접합 샘플에 비해 낮았으며, SAC 솔더 접합부 내부의 기공에 의해 열저항이 커짐을 알 수 있었다.

• Current Optics and Photonics
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• 제4권3호
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• pp.247-252
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• 2020

Important determinants for selecting outdoor lighting are the color-rendering index (CRI) and scotopic-to-photopic (S/P) ratio of the lighting units. The higher the S/P ratio, the better energy savings and visual performance. In this study, CCT-tunable LED lighting units were optimized and fabricated by spectral combination of red, green, blue, and yellow LEDs. The measured results for RGB LEDs provided S/P ratios of 1.55~2.58 and those of RGBY LEDs gave 1.46~2.46 to the correlated color temperatures (CCTs) ranging from 2700 K to 6500 K, with CRI values of over 80 at the same time.

• 한국조명전기설비학회:학술대회논문집
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• 한국조명전기설비학회 2006년도 춘계학술대회 논문집
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• pp.154-156
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• 2006

A few ten mW white LED can substitute for the indicator light source and it is required to study several watt multi-chip semiconductor light sources in order to replace the light sources for general illumination such as incandescent lights and fluorescent lanes. Since the optical technology used for several mW white LED light source uses only 30% to 52% of the light it is required to develop the design technology of optical system and lens to improve the efficiency more than 80% for insuring the high power of white LED. In this paper, we designed and fabricated new structure reflector to increase the efficiency and is easy to make high power multi-chip LED lamp.