• 한국정보디스플레이학회:학술대회논문집
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• 한국정보디스플레이학회 2004년도 Asia Display / IMID 04
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• pp.873-876
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• 2004

New Oligothiophene derivatives having liquid crystalline property have been designed, synthesized and characterized. New oligothiophene derivatives were prepared by a palladium-catalyzed cross-coupling reaction via zinc-substituted thiophene. The structures of materials were characterized by various spectroscopies. The new obtained oligothiophene derivatives showed high thermal stability above 300 $^{\circ}C$ and exhibited several transition temperatures, evidence of mesophase. In field-effect transistors, a charge carrier mobility of 1.9 x $10^{-2}$ $cm^2$/Vs was observed.

• 한국정보디스플레이학회:학술대회논문집
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• 한국정보디스플레이학회 2007년도 7th International Meeting on Information Display 제7권2호
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• pp.1165-1167
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• 2007

Delta doping method can separate the threshold voltage control region from the charge transport region in a-Si TFT, whereby the threshold voltage of a TFT could be modified. Threshold voltage could be changed by delta doping, while field effect mobility was estimated to be 80% of that of standard TFT.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2014년도 제46회 동계 정기학술대회 초록집
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• pp.163.1-163.1
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• 2014

Electron-electron interactions bear important information on fundamental electronic properties such as electron effective mass, conductivity, and charge mobility. By using angle-resolved photoemission spectroscopy, here we address unusual electron self-energy in graphene induced by the electron-electron interactions, which are distinguished from those of an ordinary Fermi liquid. Our findings provide a new route for two-dimensional electron systems toward device applications.

• 한국정보디스플레이학회:학술대회논문집
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• 한국정보디스플레이학회 2007년도 7th International Meeting on Information Display 제7권1호
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• pp.271-272
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• 2007

Displacement current $(I_{dis})$ and drain-to-source current $(I_{DS})$ are evaluated using the simultaneous measurements of source $(I_S)$ and drain $(I_D)$ currents during the application of a constant drain voltage and a triangular-wave gate voltage $(V_{GS})$ to top-contact pentacene thin-film transistors.

• 전력전자학회:학술대회논문집
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• 전력전자학회 2020년도 전력전자학술대회
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• pp.367-368
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• 2020

미래 도시 교통 체계에 큰 변화를 줄 수 있는 매체로 스마트 모빌리티가 주목 받고 있다. 스마트 모빌리티 운용을 위해서는 효율적인 충전 시스템을 필요로 한다. 본 논문에서는 비절연형 단상 계통 연계형 태양광 발전 시스템에서의 스마트 모빌리티 충전 시스템 설계를 소개한다. 설계한 시스템의 회로 및 제어기 구성법은 Matlab/Simulink 시뮬레이션을 이용하여 해당 컨버터 및 인버터와 제어기 구성의 타당성을 보여준다.

• 한국산학기술학회논문지
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• 제19권7호
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• pp.343-353
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• 2018

교통약자의 이동편의를 제공하기 위하여 대다수 지방자치단체에서는 교통약자 이동지원센터를 운영하고 있다. 이동지원센터는 교통약자의 이동편의 증진을 위하여 다양한 개선방안을 제시하고 있으나 부족한 차량대수, 차량대수 대비 높은 수요 등의 문제점이 발생하고 있다. 그러나 이를 해결하고 서비스를 개선하기 위한 단순 특별교통수단 증차는 예산상의 문제가 될 수 있으며, 이용자의 의견을 수렴하지 않은 문제점이 있다. 따라서 이동지원센터 이용 시의 문제점을 파악하고 이용자 의견을 반영한 서비스 개선을 통해 이용자에게 쾌적한 이용 환경을 제공해야 한다. 본 연구는 구조방정식모형을 활용하여 교통약자 이동지원센터의 서비스 중요도를 파악하였으며, 중요도와 만족도 설문조사 결과를 IPA분석으로 동시에 분석하였다. 또한 분석 결과를 토대로 서비스 개선 우선순위를 제시하였다. 분석을 위해 천안시 특별교통수단을 이용하는 실제 이용자와 보호자를 대상으로 설문조사를 진행하였으며, 설문조사 자료의 요인과 신뢰성을 분석하기 위하여 요인분석과 신뢰도분석을 실시하였다. 분석 결과 요금체계의 경우 일반 대중교통 대비 저렴한 요금으로 만족도가 매우 높아 서비스에 영향을 미치지 않는 것으로 나타났으며, 차량이용의 경우 편의 서비스 보다 중요도가 높게 분석되었다. IPA 분석 결과 우선적으로 개선이 필요한 항목은 정시성, 친절도, 대기시간, 콜센터 응대로 분석되었다.

• 한국표면공학회:학술대회논문집
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• 한국표면공학회 2018년도 춘계학술대회 논문집
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• pp.55-55
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• 2018

Recently, amorphous oxides such as InGaZnO (IGZO) and InZnO (IZO) as a channel layer of an oxide TFT have been attracted by advantages such as high mobility, good uniformity, and high transparency. In order to apply such an amorphous oxide TFTs to a display, the stability in various environments must be ensured. In the InGaZnO which has been studied in the past, Ga elements act as a suppressor of oxygen vacancy and result in a decreased mobility at the same time. Previous studies have been showed that the InZnO, which does not contain Ga, can achieve high mobility, but has relatively poor stability under various instability environments. In this study, the TFTs using $IZO/Al_2O_3$ double layer structure were studied. The introduction of an $Al_2O_3$ interlayer between source/drain and channel causes superior electrical characteristics and electrical stability as well as reduced contact resistance with optimally perfect ohmic contact. For the IZO and $Al_2O_3$ bilayer structures, the IZO 30nm IZO channels were prepared at $Ar:O_2=30:1$ by sputtering and the $Al_2O_3$ interlayer were depostied with various thickness by ALD at $150^{\circ}C$. The optimal sample exhibits considerably good TFT performance with $V_{th}$ of -3.3V and field effect mobility of $19.25cm^2/Vs$, and reduced $V_{th}$ shift under positive bias stress stability, compared to conventional IZO TFT. The enhanced TFT performances are closely related to the nice ohmic contact properties coming from the defect passivation of the IZO surface inducing charge traps, and we will provide the detail mechanism and model via electrical analysis and transmission line method.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2011년도 제40회 동계학술대회 초록집
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• pp.287-287
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• 2011

ITRS(international technology roadmap for semiconductors)에 따르면 MOS (metal-oxide-semiconductor)의 CD(critical dimension)가 45 nm node이하로 줄어들면서 poly-Si/SiO2를 대체할 수 있는 poly-Si/metal gate/high-k dielectric이 대두되고 있다. 일반적으로 metal gate를 식각시 정확한 CD를 형성시키기 위해서 plasma를 이용한 RIE(reactive ion etching)를 사용하고 있지만 PIDs(plasma induced damages)의 하나인 PICD(plasma induced charging damage)의 발생이 문제가 되고 있다. PICD의 원인으로 plasma의 non-uniform으로 locally imbalanced한 ion과 electron이 PICC(plasma induced charging current)를 gate oxide에 발생시켜 gate oxide의 interface에 trap을 형성시키므로 그 결과 소자 특성 저하가 보고되고 있다. 그러므로 본 연구에서는 이에 차세대 MOS의 metal gate의 식각공정에 HDP(high density plasma)의 ICP(inductively coupled plasma) source를 이용한 중성빔 시스템을 사용하여 PICD를 줄일 수 있는 새로운 식각 공정에 대한 연구를 하였다. 식각공정조건으로 gas는 HBr 12 sccm (80%)와 Cl2 3 sccm (20%)와 power는 300 w를 사용하였고 200 eV의 에너지로 식각공정시 TEM(transmission electron microscopy)으로 TiN의 anisotropic한 형상을 볼 수 있었고 100 eV 이하의 에너지로 식각공정시 하부층인 HfO2와 높은 etch selectivity로 etch stop을 시킬 수 있었다. 실제 공정을 MOS의 metal gate에 적용시켜 metal gate/high-k dielectric CMOSFETs의 NCSU(North Carolina State University) CVC model로 effective electric field electron mobility를 구한 결과 electorn mobility의 증가를 볼 수 있었고 또한 mos parameter인 transconductance (Gm)의 증가를 볼 수 있었다. 그 원인으로 CP(Charge pumping) 1MHz로 gate oxide의 inteface의 분석 결과 이러한 결과가 gate oxide의 interface trap양의 감소로 개선으로 기인함을 확인할 수 있었다.

• 상하수도학회지
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• 제32권6호
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• pp.499-505
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• 2018

We applied column experiments to investigate the environmental fate and transport of silver nanoparticles(AgNPs) in fully saturated conditions of porous media. These column experiments were performed to emphasize oxidation method with $H_2O_2$ concentration and acidic conditions. The mobility of AgNPs was decreased with the increasing ionic strength that the surface charge of AgNPs(zeta potential) was neutralized with the presence of positive ions of $Na^+$. Additionally, it was also affected due to that not only more increased aggregated size of AgNPs and surface charge of quartz sand. The decreased breakthrough curves(BTCs) of bisphenol-A(BPA) and $17{\alpha}$-ethynylestradiol(EE2) were removed approximately 35.3 and 40%. This is due to that endocrine disrupting chemicals(EDCs) were removed with the release of $OH{\cdot}$ radicals by the fenton-like mechanisms from acidic and fenton-like reagent presenting. This results considered that higher input AgNPs with acidic conditions is proved to realistic in-situ oxidation method. Overall, it should be emphasized that a set of column experiments employed with adjusting pH and $H_2O_2$ concentration in proved to be effective method having potential ability of in-situ degradation for removing organic contaminants such as BPA and EE2.

• 한국재료학회지
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• 제12권9호
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• pp.724-728
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• 2002

Inductively-coupled $N_2$O plasma was utilized to grow silicon dioxide at low temperature and applied to fabricate polycrystalline-silicon thin film transistors. At $400^{\circ}C$, the thickness of oxide was limited to 5nm and the oxide contained Si≡N and ≡Si-N-Si≡ bonds. The nitrogen incorporation improved breakdown field to 10MV/cm and reduced the interface charge density to $1.52$\times$10^{11}$ $cm^2$ with negative charge. The $N_2$O plasma gate oxide enhanced the field effect mobility of polycrystalline thin film transistor, compared to $O_2$ plasma gate oxide, due to the reduced interface charge at the $Si/SiO_2$ interface and also due to the reduced trap density at Si grain boundaries by nitrogen passivation.