JSTS:Journal of Semiconductor Technology and Science
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제9권3호
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pp.166-173
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2009
The reliability of hafnium oxide gate dielectrics incorporating lanthanum (La) is investigated. nMOSFETs with metal/La-doped high-k dielectric stack show lower $V_{th}$ and $I_{gate}$, which is attributed to the dipole formation at the high-k/$SiO_2$ interface. The reliability results well correlate with the dipole model. Due to lower trapping efficiency, the La-doping of the high-k gate stacks can provide better PBTI immunity, as well as lower charge trapping compared to the control HfSiO stacks. While the devices with La show better immunity to positive bias temperature instability (PBTI) under normal operating conditions, the threshold voltage shift (${\Delta}V_{th}$) at high field PBTI is significant. The results of a transconductance shift (${\Delta}G_m$) that traps are easily generated during high field stress because the La weakens atomic bonding in the interface layer.
In the past years, a giant magnetoresistance (GMR) effect found in perovskite-like structured materials has attracted considerable attention among scientists and manufacturers, since, a practical point of view, the capacity of producing magnetic and sensing sensors. In a stream of this interest, further efforts to understand the underlying mechanism that leads to the GMR effect relative to the correlation between transport and magnetic properties, have been extensively devoted. In these cases, spin-glass-like behaviors are ascribed to the frustration of random competing exchange interactions, namely the ferromagnetic double-exchange interaction between Co$\^$3+/ (or Mn$\^$3+/) and Co$\^$4+/(or Mn$\^$4+/) and the antiferromagnetic one like spins. Noticeably, the distinction of spin-glass region from cluster-glass one, involved in the remarkable changes in transport and magnetic properties at a critical value of doping concentration, was observed. Magnetic anomalies in zero-field-cooled (ZFC) magnetization as well as ac magnetic susceptibility below Curie temperature T$\sub$c/ and the charge/orbital fluctuation were also realized. In this work, we present a study of magnetic properties of a deficient manganese perovskites system of La$\sub$0.6/Sr$\sub$x/MnTi$\sub$y/O$_3$, and particularly provide its new magnetic phase diagram.
한국초전도학회 2000년도 High Temperature Superconductivity Vol.X
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pp.1-1
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2000
The infinite layer compound $ACuO_2$, (A-Alkaline earth) consists of infinite stacking of $CuO_2$ planes separated only by alkaline earth ions. This compound attracted much attention because it contains only key ingredient of all cuprate high temperature superconductor; $CuO_2$ plane with controllable carrier concentration without charge reservoir block. High pressure synthesis method has been found to be preferable for this system due to its ability of doping various lanthanide ion into A site with larger superconducting volume fraction. But rigorous study on this rudimentary compound has been hindered by insufficient quality of sample. Especially superconductlng volume fraction was often too small to identify its origin. In this presentation, we report high pressure synthesis of $Sr_{0.9}Ln_{0.1}CuO_2$ (Ln=La, Sm). By controlling the heating temperature precisely during high pressure synthesis we could have superconductors with quite high superconducting volume fraction for this compound. The magnetic properties of the graln aligned samples show very different behavior compared to the cuprate high temperature superconductors. Details will be discussed.
Nanostructuring the electrode surface is an emerging technology to improve the performance of supercapacitors since it can facilitate charge transfer, ion diffusion and electron propagation during electrochemical process. Fabrication of the electrode consisting of two or more materials together has also been focused on since it can provide synergetic effect such as broader working potential range and enhanced capacitance. In this work, we have used polyaniline (PANi) and manganese oxide (MnO2) as electrode materials. PANi is one of the promising electrode materials due to its high electrochemical activity, high doping level and stability. MnO2 is also widely studied material for supercapacitors since it is relatively cheap and environmentally friendly. Firstly, we synthesized polystyrene nanospheres on MnO2 nanoparticles. MnO2-incorporated PANi hollow nanospheres were then fabricated by polymerizing aniline monomers on these PS nanospheres and dissolving the inner PS spheres. The surface morphology, electronic absorption and electrical conductivity of the electrode were analyzed using field-emission scanning electron microscope (FE-SEM), UV-visible spectrometer, and sheet resistivity meter, respectively. The electrochemical properties such as capacitance of the supercapacitors were also estimated using cyclic voltammetry.
In perovskite solar cells with planar heterojunction configuration, selection of proper charge-transporting layers is very important to achieve stable and efficient device. Here, we developed solution processible Cu doped NiOx (Cu:NiOx) thin film as a hole-transporting layer (HTL) in p-i-n structured methylammonium lead trihalide (MAPbI3) perovskite solar cell. The transmittance and thickness of NiOx HTL is optimized by control the spin-coating rate and Cu is additionally doped to improve the surface morphology of undoped NiOx thin film and hole-extraction properties. Consequently, a perovskite solar cell containing Cu:NiOx HTL with optimal doping ratio of Cu exhibits a power conversion efficiency of 14.6%.
Poly(1', 4'-phenylene-1", 4"-(2"-(2""-ethyl-hexyloxy)) phenylene-1",4"-phenylene-2,5-oxadiazolyl) (PPEPPO) was synthesized and its electrochemical characteristics was investigated as electrode material in redox supercapacitor. The cyclic voltammetry (CV) shows there was scarcely a redox reaction and further suggests n-doping is difficult to occur in this system. However, the discharge curve between 3.0 to 0.01 V is continuously decreased like a straight line, similar to the discharge pattern of EDLC. The initial specific discharge capacitance is ~6.4 F/g, while the specific capacitance of 1000th cycle is ~0.1 F/g. The PPEPPO can be used as the electrode of supercapacitor, emissive material, as well as charge-transporting material in polymer LED.ansporting material in polymer LED.
Kim, Jae-Hyung;Park, Chang-Hee;Kang, Sang-Sik;Nam, Sang-Hee
Transactions on Electrical and Electronic Materials
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제4권5호
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pp.15-18
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2003
The Cd$\_$1-x/Zn$\_$x/Te film was produced by thermal evaporation for the flat-panel X-ray detector. The crystal structure and the surface morphology of poly crystalline Cd$\_$1-x/Zn$\_$x/Te film were examined using XRD and SEM, respectively. The leakage current and X-ray sensitivity of the fabricated films were measured to analyze the X-ray response characteristic of Zn in a polycrystalline CdZnTe thin film. The leakage current and the output charge density of Cd$\_$0.7/Zn$\_$0.3/Te thin film were measured to 0.3 1nA/$\textrm{cm}^2$ and 260 pC/$\textrm{cm}^2$ at an applied voltage of 2.5 V/$\mu\textrm{m}$, respectively. Experimental results showed that the increase of Zn doping rates in Cd$\_$1-x/Zn$\_$x/Te detectors reduced the leakage current and improved the X-ray sensitivity significantly. The leakage current was drastically diminished by the formation of thin parylene layer in the Cd$\_$0.7/Zn$\_$0.3/Te detector.
초고용량 캐패시터(Supercapacitor)는 이차전지와 더불어 차세대 전지로 분류되는 신형에너지 장치로서 충 방전 속도가 다르고 순간 전력공급이 가능하며 충 방전 수명이 반영구적으로 길고 고출력을 내기 때문에 이차전지가 갖지 못하는 영역에서 동력에너지원으로 사용된다. 본 연구에서는 초고용랑 캐패시터의 전극소재인 탄소계 재료를 대신하여 비탄소계 전극소재인 $Li_4Ti_5O_{12}$의 고상법 제조를 위한 Li/Ti의 최적 조성과 혼합 방법으로 Li-Ti 계에 $Fe_2O_3$, NiO, $Nb_2O_5$, $Sb_2O_3$ 그리고 ZnO와 같은 금속산화물로 치환시켜 합성된 Li -Ti계 금속산화물의 특성 및 충 방전 효과에 미치는 영향을 관찰하고자 하였다.
The electron band structure of manganese-adsorbed graphene on an SiC(0001) substrate has been studied using angle-resolved photoemission spectroscopy. Upon introducing manganese atoms, the conduction band of graphene, that is observed in pristine graphene indicating intrinsic electron-doping by the substrate, completely disappears and the valence band maximum is observed at 0.4 eV below Fermi energy. At the same time, the slope of the valence band decreases by the presence of manganese atoms, approaching the electron band structure calculated using the local density approximation method. The former provides experimental evidence of the formation of nearly free-standing graphene on an SiC substrate, concomitant with a metal-to-insulator transition. The latter suggests that its electronic correlations are efficiently screened, suggesting that the dielectric property of the substrate is modified by manganese atoms and indicating that electronic correlations in grpahene can also be tuned by foreign atoms. These results pave the way for promising device application using graphene that is semiconducting and charge neutral.
International Journal of Precision Engineering and Manufacturing-Green Technology
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제5권5호
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pp.643-650
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2018
A self-powered electrochromic device was fabricated on an indium tin oxide-polyethylene naphthalate flexible substrate using a dye-sensitized solar cell (DSSC) as a self-harvesting source; the electrochromic device was naturally bleached and operated under outdoor light conditions. The color of the organic electrochromic polymer, poly(3,4-ethylenedioxythiophene) polystyrene sulfonate, was shifted from pale blue to deep blue with an antimony tin oxide film as a charge-balanced material. Electrochromic performance was enhanced by secondary doping using dimethyl sulfoxide. As a result, the device showed stable switching behavior with a high transmittance change difference of 40% at its specific wavelength of 630 nm for 6 hrs. To improve the efficiency of the solar cell, 1.0 wt.% of Ag NWs in the photoanode was applied to the $TiO_2$ photoanode. It resulted in an efficiency of 3.3%, leading to an operating voltage of 0.7 V under xenon lamp conditions. As a result, we built a standalone self-harvesting electrochromic system with the performance of transmittance switching of 29% at 630 nm, by connecting with two solar cells in a device. Thus, a self-harvesting and flexible device was fabricated to operate automatically under the irradiated/dark conditions.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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