• 제목/요약/키워드: channeling effect

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FIB를 이용한 트라이보층에 대한 연구 (A Study on the Tribolayer using Focused Ion Beam (FIB))

  • 김홍진
    • Tribology and Lubricants
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    • 제26권2호
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    • pp.122-128
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    • 2010
  • Focused Ion Beam (FIB) has been used for site-specific TEM sample preparation and small scale fabrication. Moreover, analysis on the surface microstructure and phase distribution is possible by ion channeling contrast of FIB with high resolution. This paper describes FIB applications and deformed surface structure induced by sliding. The effect of FIB process on the surface damage was explored as well. The sliding experiments were conducted using high purity aluminum and OFHC(Oxygen-Free High Conductivity) copper. The counterpart material was steel. Pin-on-disk, Rotational Barrel Gas Gun and Explosively Driven Friction Tester were used for the sliding experiments in order to investigate the velocity effect on the microstructural change. From the FIB analysis, it is revealed that ion channeling contrast of FIB has better resolution than SEM and the tribolayer is composed of nanocrystalline structures. And the thickness of tribolayer was constant regardless of sliding velocities.

도시 재개발이 도시 지역 상세 대기 흐름에 미치는 영향 (The Effects of an Urban Renewal Plan on Detailed Air Flows in an Urban Area)

  • 이주현;최재원;김재진;서용철
    • 한국지리정보학회지
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    • 제12권2호
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    • pp.69-81
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    • 2009
  • 본 연구에서는 전산유체역학 모델을 이용하여 도시 재정비에 따른 신축 건물이 주변 대기 흐름에 미치는 영향을 조사하였다. 이를 위하여 지리정보시스템 자료로부터 추출한 건물 자료를 전산유체역학 모델의 입력 자료로 사용하였고 4가지 풍향 (서풍, 남풍, 동풍, 북풍)에 대한 수치 시뮬레이션을 수행하였다. 도시 재정비가 이루어지기 전에는 저층 건물이 밀집되었기 때문에 건물에 의한 마찰 효과가 증가하면서 건물 사이 공간의 풍속이 현저하게 감소하였다. 도시 재정비 계획에 따라 고층 건축물이 신축되고 밀집된 건물이 정비되면서 보행자 고도에서는 건물에 의한 마찰 효과가 감소하였다. 그리고 질량연속방정식을 만족시키기 위한 channeling 효과가 부분적으로 나타나면서 도시 재정비 지역의 풍속이 증가하였다. 상층에서는 고층 건물이 신축되면서 건물 사이에서 일어나는 channeling 효과에 의해 부분적으로 풍속이 증가하였다. 그러나 도시 재정비 지역의 풍하지역에서는 건물에 의해 형성되는 재순환 영역 (recirculation region)과 마찰 효과에 의해 넓은 지역에서 풍속이 현저하게 감소하였다.

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초미세 접합형성을 위한 극 저 에너지 B, P 및 As 이온주입시 채널링 현상에 관한연구 (A Study on the Channeling Effect of Ultra Low Energy B, P and As Ion Implant to Form Ultra-Shallow Junction of Semiconductor Device)

  • 강정원;황호정
    • 전자공학회논문지D
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    • 제36D권3호
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    • pp.27-33
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    • 1999
  • 본 논문에서는 반도체 소자 제조 기술의 발전을 위하여 극 저 에너지 붕소(B),인(P), 및 비소(As) 이온 주입시 발생되는 채널링 현상이 초미세 접합깊이 형성에 미치는 영향에 관한여 개선된 MDRANGE 시뮬레이션 결과를 통하여 보여주고 있다. 본 연구에서 시뮬레이션된 5keV 이하의 에너지에서 조차도 이온 채널링 현상은 불순물의 농도 분포에 중요한 영향을 미치게 되는 것을 알 수 있었다. 붕소의 경우 500eV 이상의 에너지에서, 인의 경우 2 keV 이상의 에너지에서, 그리고 비소의 경우 대략 4 keV 이상의 에너지에서 채널링 현상이 불순물 분포에 크게 영향을 미치는 것으로 예측되었다. 또한 1 keV 붕소, 2 keV 인, 그리고 5keV 비소 이온 주입 에너지에서 경사도 7°인 경우와 경사도 0°인 경우의 2차원적인 농도분포를 통하여 채널링 현상이 측면 방향보다는 깊이 방향으로 대부분 발생되는 것을 볼 수 있었다.

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Epitaxial growth of Pt Thin Film on Basal-Plane Sapphire Using RF Magnetron Sputtering

  • 이종철;김신철;송종환;이충만
    • 한국진공학회:학술대회논문집
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    • 한국진공학회 1998년도 제14회 학술발표회 논문개요집
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    • pp.41-41
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    • 1998
  • Rare earth metal films have been used as a buffer layer for growing ferroelectric t thin film or a seed layer for magnetic multilayer. But when it was deposited on s semiconductor substrates for the application of magneto-optic (MO) storage media, it i is difficult to exactly measure magnetic cons떠nts due to shunting current, and so it n needs to grow metal films on insulator substrate to reduce such effect. Recently, it w was reported that ultra-thin Pt layer were epitaxially grown on A12O:J by ion beam s sputtering in 비떠 high vacuum and it can be used as a seed layer for the growth of C Co-contained magnetic multilayer. In this stu$\phi$, Pt thin film were epi떠xially grown on AI2D3 ($\alpha$)OJ) by RF magnetron s sputtering. The crystalline structure was analyzed by transmission electron microscope ( (TEM) and Rutherford Back Scattering (RBS)/Ion Channeling. In TEM study, Pt was b believed to be twinned on AI잉3($\alpha$)01) su$\pi$ace about Pt(ll1) plane.Moreover, RBS c channeling spectra showed that minimum scattering yield of Pt(111)/AI2O:J(1$\alpha$)OJ) was 4 4% and Pt(11J)/AI2D3($\alpha$)OJ) had 3-fold symmetry.

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GRRI를 이용한 2차원 MT 탐사자료의 역산 (Generalized Rapid Relaxation Inversion of Two-Dimensional Magnetotelluric Survey Data)

  • 정용현;서정희;신창수
    • 지구물리와물리탐사
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    • 제1권1호
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    • pp.71-78
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    • 1998
  • 2차원 MT탐사자료의 역산은 보편적으로 많은 계산시간과 기억용량이 소요되며 TM모드의 경우지표 근처의 불균질대에 야기될 수 있는 정적 효과에 대한 주의 깊은 고려도 필요하게 된다. 이에 본 연구에서는 GRRI를 이용하여 TM모드 MT자료의 2차원 역산 알고리듬을 구현하였다. 본 역산 알고리듬은 국부적인 2차원 해석을 통한 모형변수 증분 해석에 기초를 두는데 이는 모형변수의 증분을 구하는 과정에 있어서 탐사의 대상인 2차원 전 영역을 동시에 고려하지 않고 국부 영역들로 분할하여 순차적으로 고려함으로써 수평적인 변화가 고려되면서도 자코비안을 구하는 과정에서 사용되는 부가적인 모델링 과정을 배제하여 계산시간과 기억용량을 최소화하기 위한 것이다. 구현된 알고리듬의 타당성 검증은 간단한 이론모형에 대한 적용을 통하여 이루어졌으며, 이를 토대로 타 알고리듬과의 비교를 통하여 그 특징을 살펴보는 한편, 여러 가지 다양한 모형에 적용하여 그 현장 적용성을 고찰하였다. 본 알고리듬을 이용한 역산은 계산시간과 기억용량 면에서 매우 경제적이며 전류집중에 의해 탐사자료에 왜곡이 생기는 경우에는 특별한 전처리과정 없이도 타당한 분해능을 확인할 수 있었다. GRRI를 이용한 역산 알고리듬은 향후 현장에서 실시간 역산으로서 경제적이면서 타당한 자료 해석에 적용성이 기대된다.

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열처리 조건에 따른 무전해 Ni/전해 Cr 이중도금의 계면반응 및 균열성장거동 분석 (Effects of Heat Treatment Conditions on the Interfacial Reactions and Crack Propagation Behaviors in Electroless Ni/electroplated Cr Coatings)

  • 손기락;최명희;이규환;변응선;이병호;박영배
    • 마이크로전자및패키징학회지
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    • 제23권3호
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    • pp.69-75
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    • 2016
  • 무전해 Ni/전해Cr이중도금 구조에서 무전해 Ni의 결정화 열처리 조건이 Cr도금의 균열성장 및 Ni/Cr계면반응에 미치는 영향을 분석하였다. 비정질 무전해 Ni/전해 Cr 도금 후 $750^{\circ}C$에서 6시간 동안 1회 열처리한 시편을1단계 열처리 조건으로 정했다. 또한, 무전해 Ni도금 후 동일 열처리를 통해 결정화 시킨 후, 전해 Cr도금 후 한번 더 동일조건 열처리한 경우를 2단계 열처리 조건으로 정하여 상호 비교하였다. 두 가지 열처리 조건 모두에서 공통적으로 Ni/Cr계면에서 상호확산에 의한 Ni-Cr고용체band layer가 관찰되었다. 1단계 열처리 조건의 경우 Cr도금에 관통균열이 발생하였으며, 2단계 열처리 조건의 경우 Cr도금에 표면 미소균열만 형성되고 관통균열은 거의 발생하지 않았다. 이는 무전해 Ni도금 직후 열처리에 의해 Ni-P비정질 구조에서 Ni, $Ni_3P$상으로 결정화되면서 급격한 체적 감소가 발생하여 Cr층의 잔류응력 완화에 영향을 끼쳐서, 상부 전해 Cr도금의 관통균열 형성에 영향을 미치는 것으로 판단된다.

해석모델을 이용한 3차원 이온주입 시뮬레이터 개발 (Development of Three-Dimensional Ion Implantation Simulator Using Analytical Model)

  • 박화식;이준하;황호정
    • 전자공학회논문지A
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    • 제30A권12호
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    • pp.43-50
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    • 1993
  • Three-dimensional simulator for the ion implantation process is developed. The simulator based on an analytical model which would be a choice with high computational efficiency and accuracy. This is an important issue for the simulation of a numerous number of processing steps required in the fabrication of ULSI or GSI. The model can explain scattering and bulk channeling mechanism (1D). It can also explain depth dependent lateral diffusion effect(2D) and mask effect(3D). The model is consist of one-dimensional JPD(Joined Pearson Distribution) function and two-dimensional modified Gaussian functions. Final implanted profiles under typical mask structures such as hole, line and island structure are obtained with varying ion species.

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A Numerical Analysis of Molten Steel Flow Under Applied Magnetic Fields in Continuous Casting

  • Yoon, Teuk-Myo;Kim, Chang-Nyung
    • Journal of Mechanical Science and Technology
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    • 제17권12호
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    • pp.2010-2018
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    • 2003
  • Although continuous casting process has highly developed, there still remain many problems to be considered. Specifically, two vortex flows resulting from impingement against narrow walls make a flow field unstable in a mold, and it is directly related to internal and external defects of steel products. To cope with this instability, EMBR (Electromagnetic Brake Ruler) technique has been lately studied for the stability of molten steel flow, and it is revealed that molten steel flow in a mold can be controlled with applied magnetic field. However, it is still difficult to clarify flow pattern in an EMBR caster due to complex correlations among variables such as geometric factors, casting conditions, and the place and the intensity of charged magnetic field. In the present study, flow field in a mold is focused with different conditions of electromagnetic effect. To accurately analyze the case, three dimensional low Reynolds turbulent model and appropriate boundary conditions are chosen. To evaluate the electromagnetic effect in molten steel flow, dimensionless numbers are employed. The results show that the location and the intensity of the applied magnetic field significantly influence the flow pattern. Both impingement and internal flow pattern are changed remarkably with the change of the location of applied magnetic field. It turns out that an insufficient magnetic force yields adverse effect like channeling, and rather lowers the quality of steel product.

Interference effects in a group of tall buildings closely arranged in an L- or T-shaped pattern

  • Zhao, J.G.;Lam, K.M.
    • Wind and Structures
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    • 제11권1호
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    • pp.1-18
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    • 2008
  • Interference effects in five square tall buildings arranged in an L- or T-shaped pattern are investigated in the wind tunnel. Mean and fluctuating shear forces, overturning moments and torsional moment are measured on each building with a force balance mounted at its base. Results are obtained at two values of clear separation between adjacent buildings, at half and a quarter building breadth. It is found that strong interference effect exists on all member buildings, resulting in significant modifications of wind loads as compared with the isolated single building case. Sheltering effect is observed on wind loads acting along the direction of an arm of the "L" or "T" on the inner buildings. However, increase in these wind loads from the isolated single building case is found on the most upwind edge building in the arm when wind blows at a slight oblique angle to the arm. The corner formed by two arms of buildings results in some wind catchment effect leading to increased wind pressure on windward building faces. Interesting interference phenomena such as negative drag force are reported. Interference effects on wind load fluctuations, load spectra and dynamic building responses are also studied and discussed.

증착된 비정질 실리콘층을 통한 As-Preamorphization 방법으로 형성된 소오스/드레인을 갖는 deep submicron PMOSFET의 제작 (Fabrication of deep submicron PMOSFET with the source/drain formed by the mothod of As-Preamorphization though the predeposited amorphous Si layer)

  • 권상직;김여환;신영화;김종준;이종덕
    • 전자공학회논문지A
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    • 제32A권6호
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    • pp.51-58
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    • 1995
  • Major limiting factors in the linear scaling down of the shallow source/drain junction are the boron channeling effect and the Si cosumption phenomenon during silicidation. We can solve these problems by As preamorphization of the predeposited amorphous Si layer. The predeposited amorphous Si layer made the junction depth decrease to nearly the thickness value of the layer and was effectively utilized as the cosumed Si source during Ti silicidation. This method was applied to the actual fabrication of PMOSFET through SES (selectricely etched Si) techology.

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