In this paper, we propose an efficient layer-separable PES packetization and processing scheme for DVB-S2 satellite broadcasting service based on SVC video. Unlike the conventional single layer-based video coding such as MPEG-2, MPEG-4 and H.264, SVC can combine numerous number of video layers, which are aggregated to a single bitstream. Therefore, it is necessary to devise a new PES packetization scheme that can efficiently separate multiple video layers of SVC. In order to combine the layered characteristics of the SVC video and the robust channel coding capability of LDPC (Low Density Parity Check) of DVB-S2 for unequal error protection, we propose an efficient PES packetization in the transmitter side and PES packet processing scheme in the receiver side of DVB-S2. We prove the effectiveness of the proposed scheme in terms of processing speed and time delay required for processing of the separated layers of SVC video in the satellite broadcasting service.
The geology of the northwestern Cheju Island consist of Pleistocene to Holocene volcanic rocks which could be devided into basalt layers, the Sungsan Formation composed mainly of volcaniclastic debris exposed along the shoreline, and more than 30 cinder cones. Columnar joints and vesicles are dominant in the basalts of the Pyeosunri and the Sihungri basalt Formations. Volcaniclast and clay layers are intercalated in basaltic layers. When volcaniclast of the interlayers would be swept away by ground water and some caves of channel shape would be formaed. Overlying lavas cracked by columnar joints could be easily destroyed, collapsed and/or sunk. Geomechananical nature of the rocks such as strength may be controlled by the vesicularity(size, shape, and orientation of the vesicles) of the rocks. On the basis of vesicularity as a factor of strength, the effective strength ratio(Ke) could be calculated as Ke=0.3-0.72, in which the smaller Ke value reflects the lower in internal stress. In the studied area, the strength of the rocks tends to decrease as increasing in altitude of provenance of the rocks. The rocks in the area show relatively low values in angle of failure strength($\phi$) ranging from 10$^{\circ}$ to 30$^{\circ}$. In conclnsion, the rocks in question, majority of which the critical value exceeds 0.33, belong to the unstable rocks in the aspect of engineering geology.
Vertebrate retinal neurons, like brain tracts farm complex synaptic relations in the enter and inner plexiform layers which ape equivalent to the central nervous system nuclei. The effects of $\gamma-aminobutyric$ acid(GABA) and glycine on retinal neurons were explored to discern the mechanisms of action of neurotransmitters. Experiments were performed in the superfused retina-eyecup preparation of the channel catfish, Ictalurus punctatus, using intracellular electrophysiological techniques. The roles of GABA and glycine as inhibitory neurotransmitters are well established in the vertebrate retina. But, we found that the depolarizing action of GABA and glycine on third-order neurons in the catfish retina. GABA and glycine appeared to act on retinal ueurons based on the observations that (1) effects on photoreceptors were not observed, (2) horizontal cells were either hyperpolarized $({\sim}33%)$ or depolarized $({\sim}67%)$, (3) bipolar cells were all hyperpolarized (4) amacrine and ganglion cells were either hyperpolarized $({\sim}37%)$ or depolarized $({\sim}63%)$, (5) GABA and glycine may be working to suppress presynaptic inhibition. The results suggest that depolarization of third-order neurons by GABA and glycine is due to at least two mechanisms; a direct postsynaptic effect and an indirect effect. Therefore, in the catfish retina, a mechanism of presynaptic inhibition or disinhibition including the direct postsynaptic effect may exist in the third-order neurons.
Almarsi, Ayman M.;Hagmann, Mark J.;Mousa, Marwan S.
Applied Microscopy
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v.47
no.1
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pp.55-62
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2017
This paper describes experiments aimed at characterizing the behavior of field electron emitters fabricated by coating carbon fibers with epoxylite resin. Polyacrylonitrile carbon fibers of type VPR-19, thermally treated at $2,800^{\circ}C$, were used. Each was initially prepared in a "uncoated" state, by standard electro polishing and cleaning techniques, and was then examined in a scanning electron microscope. The fiber was then baked overnight in a field electron microscope (FEM) vacuum chamber. Current-voltage characteristics and FEM images were recorded on the following day or later. The fiber was then removed from the FEM, coated with resin, "cured" by baking, and replaced in the FEM. After another overnight bake, the FEM characterization measurements were repeated. The coated fibers had significantly better performance than uncoated fibers. This confirms the results of earlier experiments, and is thought to be due in part to the formation of a conducting channel in the resin over layer. For the coated fiber, lower voltages were needed to obtain the same emission current. The coated fibers have current-voltage characteristics that show smoother trends, with greater stability and repeatability. No switch-on phenomena were observed. In addition, the emission images on the phosphor-coated FEM screen were more concentrated, and hence brighter.
Transactions of the Korean Society of Mechanical Engineers
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v.9
no.6
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pp.767-776
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1985
Unsteady thermally stratified flow caused by two-dimensional surface discharge of warm water into a oblong channel was investigated. Experimental study was focused on the rapidly developing thermal diffusion at small Richardson number. The basic objective were to study the interfacial mixing between a flowing layer of warm water and an underlying body of cold water and to accumulate experimental data to test computational turbulence models. Mean velocity field measurements were carried out by using NMR-CT (Nuclear Magnetic Resonance-Computerized Tomography). It detects quantitative flow image of any desired section in any direction of flow in short time. Results show that at small Richardson number warm layer rapidly penetrates into the cold layer because of strong turbulent mixing and instability between the two layers. It is found that the transfer ofheat across the interface is more vigorous than that of momentum. It is also proved that the NMR-CT technique is a very valuable tool to measure unsteady three dimensional flow field.
Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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2013.02a
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pp.497-497
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2013
Semiconducting amorphous InGaZnO (a-IGZO) has attracted significant research attention as improved deposition techniques have made it possible to make high-quality a-IGZO thin films. IGZO thin films have several advantages over thin film transistors (TFTs) based on other semiconducting channel layers.The electron mobility in IGZO devices is relatively high, exceeding amorphous Si (a-Si) by a factor of 10 and most organic devices by a factor of $10^2$. Moreover, in contrast to other amorphous semiconductors, highly conducting degenerate states can be obtained with IGZO through doping, yet such a state cannot be produced with a-Si. IGZO thin films are capable of mobilities greaterthan 10 $cm^2$/Vs (higher than a-Si:H), and are transparent at visible wavelengths. For oxide semiconductors, carrier concentrations can be controlled through oxygen vacancy concentration. Hence, adjusting the oxygen partial pressure during deposition and post-deposition processing provides an effective method of controlling oxygen concentration. In this study, we deposited IGZO thinfilms at optimized conditions and then analyzed the film's electrical properties, surface morphology, and crystal structure. Then, we explored how to generate IGZO thin films using DC magnetron sputtering. We also describe the construction and characteristics of a bottom-gate-type TFT, including the output and transfer curves and bias stress instability mechanism.
Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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2013.02a
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pp.198-198
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2013
Metal-Oxide-Semiconductor (MOS)에서 사용되는 다양한 channel materials로 high electron mobility을 가지는 III-V compound semiconductor가 대두되고 있다 [1,2]. 하지만 이러한 III-V compound semiconductor는 Si에 비해 안정적인 native oxide가 부족하기 때문에 Si, Ge, Al2O3과 BeO 등과 같은 다양한 물질들의 interface passivation layers (IPLs)에 대한 연구가 많이 되고 있다. 이러한 IPLs 물질은 0.5~1.0 nm의 매우 얇은 physical thickness를 가지고 있고 또한 chemical inert하기 때문에 플라즈마 식각에 대한 연구가 되고 있지만 IPLs 식각 후 기판인 III-V compound semiconductor에 physical damage과 substrate recess를 줄이기 위해서 높은 선택비가 필요하다. 이러한 식각의 대안으로 원자층 식각이 연구되고 있으며 이러한 원자층 식각은 반응성 있는 BCl3의 adsorption과 low energy의 Ar bombardment로 desorption으로 self-limited한 one monolayer 식각을 가능하게 한다. 그러므로 본 연구에서는, III-V compound semiconductor 위에 IPLs의 adsorption과 desorption의 cyclic process를 이용한 원자층식각으로 다양한 물질인 SiO2, Al2O3 (self-limited one monolayer etch rate=about 1 ${\AA}$/cycle), BeO (self-limited one monolayer etch rate=about 0.75 ${\AA}$/cycle)를 얻었으며 그 결과 precise한 etch depth control로 minimal substrate recess 식각을 할 수 있었다.
Journal of The Korean Society of Agricultural Engineers
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v.53
no.6
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pp.145-152
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2011
In order to heat greenhouse nearby river channel, riverbank filtration water source heat pump was developed for getting plenty of heat flux from geothermal energy. Recharging well, thermal storage tank with separating insulation plate and filtering tank for eliminating iron, manganese were mainly developed for making the coefficient of performance (COP) of heat pump higher. Heating system using riverbank filtration water source heat pump was installed at a paprika greenhouse in the Jinju region where a single fold of vinyl cover and 2 layers of horizontal thermal curtain were installed as a part of temperature keeping and heat insulation with a greenhouse area of 3,185 $m^2$. 320,000 kcal/h was supplied for performing a site application tests. A greenhouse heating test was performed from Feb. 1, 2011 to Apr. 30, 2011. As the result of that, COPh of the heat pump was measured in the range of 4.0~4.5, while COPS of the system was represented as 2.9~3.3. COP measured of the heat pump was very good and well responded to indoor heating temperature of the environment control system of a greenhouse.
People grow up and build up most of their character through living in dwelling space and have relax and refresh at home. Creating healthy dwelling space is being considered very important in architectural planning and design for providing comfortable living environment and improving quality of life. One of the properties of the earth is that the earth has a magnetic field associated with it- the Geomagnetic field. The geomagnetic field is produced by a combination of crustal rocks, external electric current systems that surround the earth that surround the earth and currents induced in the outer layers of the earth by magnetic field variations. Human beings have evolved with the background of magnetic field, they are accustomed to living in its presence. Geopathic stress occurs at geopathic zones where the geomagnetic field is disturbed. Geopathic zones exhibit magnetic charges. Geopathic zones are characterized by variations in geomagnetism, for the geomagnetic field is not uniform but exhibits many highly localized distortions, some random, some fairly regular. These occur in geological faults, caves and underground water channel. Many research papers and experiments of the western countries indicates that the geomagnetic field affects the people and living organism in dwellings. Therefore, it is necessary to investigate the geomagnetic field and people's response in living space. In this study the Health Hazard of geomagneic field in dwelling are studied through literature survey of related science field.
JSTS:Journal of Semiconductor Technology and Science
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v.14
no.2
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pp.163-168
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2014
Bottom gate thin-film transistors were fabricated using solution processed IGZO channel layers with various gallium composition ratios that were annealed on a hot plate. Increasing the gallium ratio from 0.1 to 0.6 induced a threshold voltage shift in the electrical characteristics, whereas the molar ratio of In:Zn was fixed to 1:1. Among the devices, the IGZO-TFTs with gallium ratios of 0.4 and 0.5 exhibited suitable switching characteristics with low off-current and low SS values. The IGZO-TFTs prepared from IGZO films with a gallium ratio of 0.4 showed a mobility, on/off current ratio, threshold voltage, and subthreshold swing value of $0.1135cm^2/V{\cdot}s$, ${\sim}10^6$, 0.8 V, and 0.69 V/dec, respectively. IGZO-TFTs annealed at $300^{\circ}C$, $350^{\circ}C$, and $400^{\circ}C$ were also fabricated. Annealing at lower temperatures induced a positive shift in the threshold voltage and produced inferior electrical properties.
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