• 대한전기학회논문지
• /
• 제37권9호
• /
• pp.609-618
• /
• 1988

본 논문에서는 전력 VDMOSFET를 2차원 수치해석하여 I_V특성을 구할 수 있는 computer program을 작성하였고 이 program에 의해서 전력 수직이중확산형 MOS(VDMOS)의 I-V 분포 특성, 전위 및 전자정공 농도 분포특성이 computer simulation되었다. 또 teansconductance, on-resistance 및 표면 이동도 model이 적용된 I_V특성이 simulation되어 실험값 및 선행연구자의 결과값과 비교되었다. 기본 방정식은 유한차등분법(F.D.M)에 의해서 해석되었고 Gummel이 알고리즘과 Mock의 식이 적용 되었다.

• Bulletin of the Korean Chemical Society
• /
• 제19권2호
• /
• pp.160-164
• /
• 1998

The NADH-cytochrome b5 reductase (NCBR), a mitochondrial external electron carrier, was purified from bovine heart and turnip and their properties were examined. The mitochondrial outer membranes separated were subjected to NCBR isolation through DEAE-Cellulose ion exchange, DEAE-Sephadex gel chromatography, and hydroxyapatite adsorption chromatography. These processes yielded the purification folds of 88 and 42 and the recovery percentages of 0.2%, 5.67% for turnip and bovine heart, respectively. The molecular weight of the NCBR from the two sources was estimated to be 35,000 using SDS polyacrylamide gel electrophoresis. The Michaelis constant Km and maximum velocity Vmax were determined by measuring the NADH-ferricyanide redox system as well as the NADPH-ferricyanide redox system. The kinetics showed that both NCBRs had higher affinities for NADH than artificial electron-acceptor substrate ferricyanide. Although NADPH had a lower affinity for the enzymes than NADH, this study showed the 2'-phosphate dinucleotide could be used as a substrate.

• ETRI Journal
• /
• 제44권3호
• /
• pp.504-511
• /
• 2022

Monte Carlo simulations show that, as temperature increases, the average kinetic energy of channel electrons in a GaN transistor first decreases and then increases. According to the calculations, the relative energy change reaches 40%. This change leads to a reduced barrier height due to quantum coupling among the three-dimensional motions of channel electrons. Thus, an analysis and physical model of the gate leakage current that includes drift velocity is proposed. Numerical calculations show that the negative and positive temperature dependence of gate leakage currents decreases across the barrier as the field increases. They also demonstrate that source-drain voltage can have an effect of 1 to 2 orders of magnitude on the gate leakage current. The proposed model agrees well with the experimental results.

• 대한전자공학회논문지SD
• /
• 제40권4호
• /
• pp.65-73
• /
• 2003

본 논문은 진동형 각속도 검출 센서로부터 각속도 신호를 검출하는 애널로그 신호처리 ASIC의 구현에 관한 것이다. 각속도 검출 센서의 출력은 구조적으로 콘덴서의 용량변화로 나타나므로 이를 검출하기 위하여 전하 증폭기를 이용하였으며, 센서의 구동에 필요한 자체발진회로는 각속도 검출 센서의 공진 특성을 이용한 정현파 발진회로로 구현하였다. 특히 센서의 제조 공정으로 인한 특성 변화나 온도 변화와 같은 외부 요인에 의한 자체발진특성의 열화를 방지하기 위하여 자동이득조절회로를 사용하였다. 진동형 각속도 검출 센서의 동작특성에 의하여 진폭변조 형태로 나타나는 각속도 신호를 검출하기 위하여 동기검파회로를 사용하였다. 동기검파회로에서는 반송파의 크기에 따라 검파신호의 크기가 달라지는 현상을 방지하기 위하여 스위칭 방식의 곱셈회로를 사용하였다. 설계된 칩은 0.5㎛ CMOS 공정으로 구현하였으며, 1.2㎜×1㎜의 칩 크기로 제작되었다. 실험 결과 3V의 전원전압에서 3.6mA의 전류를 소비하였으며, 칩과 각속도 센서를 결합한 정상동작상태에서 직류에서 50㎐까지 잡음 스펙트럼 밀도는 -95 dBrms/√㎐에서 -100 dBrms/√㎐ 사이에 존재하였다.

• 전기의세계
• /
• 제28권4호
• /
• pp.53-63
• /
• 1979

Interface recombination velocity in $Al_{x}$G $a_{1-x}$ As-GaAs and $Al_{0.85}$, G $a_{0.15}$ As-GaA $s_{1-y}$S $b_{y}$ heterojunction systems is studied as a function of lattice mismatch. The results are applied to the design of highly efficient III-V heterojunction solar cells. A horizontal liquid-phase epitaxial growth system was used to prepare p-p-p and p-p-n $Al_{x}$G $a_{1-x}$ As-GaA $s_{1-y}$S $b_{y}$-A $l_{x}$G $a_{1-x}$ As double heterojunction test samples with specified values of x and y. Samples were grown at each composition, with different GaAs and GaAs Sb layer thicknesses. A method was developed to obtain the lattice mismatch and lattice constants in mixed single crystals grown on (100) and (111)B oriented GaAs substrates. In the AlGaAs system, elastic lattice deformation with effective Poisson ratios .mu.$_{eff}$ (100=0.312 and .mu.$_{eff}$ (111B) =0.190 was observed. The lattice constant $a_{0}$ (A $l_{x}$G $a_{1-x}$ As)=5.6532+0.0084x.angs. was obtained at 300K which is in good Agreement with Vegard's law. In the GaAsSb system, although elastic lattice deformation was observed in (111) B-oriented crystals, misfit dislocations reduced the Poisson ratio to zero in (100)-oriented samples. When $a_{0}$ (GaSb)=6.0959 .angs. was assumed at 300K, both (100) and (111)B oriented GaAsSb layers deviated only slightly from Vegard's law. Both (100) and (111)B zero-mismatch $Al_{0.85}$ G $a_{0.15}$As-GaA $s_{1-y}$S $b_{y}$ layers were grown from melts with a weight ratio of $W_{sb}$ / $W_{Ga}$ =0.13 and a growth temperature of 840 to 820 .deg.C. The corresponding Sb compositions were y=0.015 and 0.024 on (100) and (111)B orientations, respectively. This occurs because of a fortuitous in the Sb distribution coefficient with orientation. Interface recombination velocity was estimated from the dependence of the effective minority carrier lifetime on double-heterojunction spacing, using either optical phase-shift or electroluminescence timedecay techniques. The recombination velocity at a (100) interface was reduced from (2 to 3)*10$^{4}$ for y=0 to (6 to 7)*10$^{3}$ cm/sec for lattice-matched $Al_{0.85}$G $a_{0.15}$As-GaA $s_{0.985}$S $b_{0.015}$ Although this reduction is slightly less than that expected from the exponential relationship between interface recombination velocity and lattice mismatch as found in the AlGaAs-GaAs system, solar cells constructed from such a combination of materials should have an excellent spectral response to photons with energies over the full range from 1.4 to 2.6 eV. Similar measurements on a (111) B oriented lattice-matched heterojunction produced some-what larger interface recombination velocities.ities.ities.s.

• 에너지공학
• /
• 제12권4호
• /
• pp.289-301
• /
• 2003

매체순환식 가스연소기의 개발을 위해 산화반응기와 환원반응기가 연계된 2탑 가압순환유동층 조건의 50kWth 매체순환식 가스연소기에 대해 물질수지와 에너지수지를 통한 개념설계를 수행하였다. 매체순환식 가스연소기의 물질수지를 통해 산화반응기는 상승관 형태의 고속유동층 조건으로, 환원반응기는 기포유동층 조건으로 반응기 형태를 결정하였다. 물질수지와 에너지수지에 의해 계산된 층내 고체량, 고체순환량 및 반응기 크기는 장치제작 및 실제조업에 적당한 범위의 값을 나타내었으며 산소공여입자의 반응속도는 만족할 만한 수준에 도달하는 것으로 확인되었다. 본 연구의 개념설계 결과에 의하면 매체순환식 가스연소기의 조업조건은 상용 순환유동층의 조업조건과 유사하였으며 실제공정에 적용하기에 무리가 없는 것으로 사료되었다. 본 연구에서 개발된 설계 tool을 이용하여 시스템의 용량, 조업압력, 산소공여입자 중의금속산화물의 함량, 수증기 주입량, 기체유속 및 고체층 높이 등의 변화에 따른 설계 값의 변화를 해석하였으며 이를 통해 조업조건 변화에 따른 시스템의 성능변화를 예측할 수 있었다.

• Tribology and Lubricants
• /
• 제32권2호
• /
• pp.61-66
• /
• 2016

Total thickness variation (TTV), BOW, and surface roughness are essential characteristics for high quality sapphire substrates. Many researchers have attempted to increase removal rate by controlling the key process parameters like pressure and velocity owing to the high cost of consumables in sapphire chemical mechanical polishing (CMP). In case of the pressure approach, increased pressure owing to higher deviation of pressure over the wafer leads to significant degradation of the TTV. In this study, the authors focused on reducing TTV under the high-pressure conditions. When the production equipment polishes multiple wafers attached on a carrier, higher loads seem to be concentrated around the leading edge of the head; this occurs because of frictional force generated by the combination of table rotation and the height of the gimbal of the polishing head. We believe the skewed pressure distribution during polishing to be the main reason of within-wafer non-uniformity (WIWNU). The insertion of a hub ring between the polishing head and substrate carrier helped reduce the pressure deviation. Adjusting the location of the hub ring enables tuning of the pressure distribution. The results indicated that the position of the hub ring strongly affected the removal profile, which confirmed that the position of the hub ring changes the pressure distribution. Furthermore, we analyzed the deformation of the head via finite element method (FEM) to verify the pressure non-uniformity over the contact area Based on experiment and FEM results, we determined the optimal position of hub ring for achieving uniform polishing of the substrate.

• 한국통신학회논문지
• /
• 제33권6A호
• /
• pp.676-684
• /
• 2008

유럽형 지상파 디지털 방송 표준인 DVB-T 시스템에서는 OFDM방식을 사용하여 신호를 전송하며, 주파수 선택적 페이딩 환경과 충격 잡음 채널에서도 향상된 성능을 제공 할 수 있다. 그러나 이동성이 가정된 시변 채널에서는 도플러 확산의 영향 때문에 한 OFDM 심볼 안에 존재하는 부반송파 사이의 직교성의 파괴, 즉 inter-carrier interference(ICI)가 발생하여 심각한 성능 열화가 발생한다. 본 논문에서는 시간 및 주파수 축에서 채널의 특성과 ICI를 분석하고, OFDM시스템에서 구현이 간단한 LS 알고리즘과 이를 이용한 잡음 및 ICI 감쇄 기법을 사용한 LS 방식을 단말기의 속도에 따라 선택하여 사용하는 적응형 채널 추정 방식을 제안한다. 단말기의 속도를 추정하는 방법을 제안하여 COST207의 TU6 채널 모델을 적용한 시뮬레이션을 통하여 그 동작을 확인하였다. 또한 속도 추정을 위한 연산을 최소화한 알고리즘을 제안하여 하드웨어의 증가를 무시할 정도로 줄였다. 제안된 적응형 채널 추정 알고리즘은 속도가 약 70 km/h 이하인 경우에 잡음 및 ICI 감쇄기법을 위한 하드웨어를 동작시키지 않음으로서 전력의 소모가 현저하게 줄어든다.

• 한국산학기술학회논문지
• /
• 제15권8호
• /
• pp.5233-5241
• /
• 2014

본 논문에서는 Mobile WiMAX 기반 군전술정보통신네트워크 (TICN)의 성능을 시스템 레벨에서 평가한다. 전시에 정지상태의 기지국 (BS: Base Station)들이 불규칙적으로 분포되어 있는 환경에서 이동 기지국 (BS-OTM)이 투입되었을 때 인접 기지국 및 가입자 (SS: Subscriber Station)가 받는 영향을 분석한다. 이동기지국이 추가적으로 사용되었을 때 서비스를 제공하는 기지국이 변함없는 가입자 관점에서는 간섭이 증가하여 CINR(Carrier To Interference and Noise Ratio)이 감소하고 이동 기지국에 의해 가입자가 두 기지국으로 분산되어 다중사용자 다이버시티가 감소하는 단점이 있음을 밝힌다. 그러나 통신 환경이 열악했던 가입자 주변에서 이동 기지국이 작동하게 되어 새롭게 서비스 받게 되는 가입자들은 큰 CINR 이득을 얻게 되며, 셀 전체적인 수율관점에서는 이동기지국에 의해 성능이 크게 향상된다. 또한, 반송파주파수, 이동기지국의 이동속도 및 위치에 따른 성능을 평가한다.

• 연구논문집
• /
• 통권30호
• /
• pp.101-110
• /
• 2000

고속 Rapier loom에서 위사를 Insert rapier와 Carrier rapier로서 경사를 상부와 하부로 2구분한 개구속으로 투입하여 경사와 위사의 조직을 완성시키는 위입기구는 스크류 구동방식이다. 이는 래피어와 휠의 치수를 줄이고, 기어와 벨트가 없이 직접 주축에 연결하는 구조이다. 그러므로 래피어가 요구하는 어떠한 가속도 곡선이 가능하여 고속화와 가동률 향상에 최적으로 정확한 설계에의한 래피어 운동이 필수적이다. 따라서 본 연구는 전체 거동의 파악을 위한 시스템의 정확한 해석과 컴퓨터 시뮬레이션을 통한 Rapier loom의 고속화를 목적으로, 위입기구의 해석이론 정립 및 스크류의 회전에 따라 정확한 운동을 유도할 수 있도록 래피어의 변위, 속도 및 가속도 성분의 도출은 물론 동시에 화면상에 구현할 수 있는 스크류기구에 대한 시뮬레이션 프로그램을 개발하는 것이다.