Spherical shape $Zn_2SiO_4:Mn$ phosphor particles with the mean particle size from submicron to micron sizes were prepared by ultrasonic spray pyrolysis method. A droplet separator was introduced to control the size distribution of the phosphor particles with spherical shape. The $Zn_2SiO_4:Mn$ phosphor particles with 2 mol% doping concentration of manganese have decay time and have photoluminescence intensities comparable with those of the latest commercial product prepared by the solid state reaction method. The size of the phosphor particles was decreased from 1 to 0.2 micrometers as the inorganic salt solution concentration was changed from 0 to 5 M. The phosphor particles prepared from the solutions above 0.5 M have photoluminescence intensities comparable with that of the latest commercial product.
Journal of the Korea Academia-Industrial cooperation Society
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v.19
no.9
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pp.536-542
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2018
Tin dioxide, $SnO_2$, is a well-known n-type semiconductor that shows change in resistance in the presence of gas molecules, such as $H_2$, CO, and $CO_2$. Considerable research has been done on $SnO_2$ semiconductors for gas sensor applications due to their noble property. The nanomaterials exhibit a high surface to volume ratio, which means it has an advantage in the sensing of gas molecules. In this study, SnO nanoplatelets were grown densely on Si substrates using a thermal CVD process. The SnO nanostructures grown by the vapor transport method were post annealed to a $SnO_2$ phase by thermal CVD in an oxygen atmosphere at $830^{\circ}C$ and $1030^{\circ}C$. The pressure of the furnace chamber was maintained at 4.2 Torr. The crystallographic properties of the post-annealed SnO nanostructures were investigated by Raman spectroscopy and XRD. The change in morphology was confirmed by scanning electron microscopy. As a result, the SnO nanostructures were transformed to a $SnO_2$ phase by a post-annealing process.
Journal of the Computational Structural Engineering Institute of Korea
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v.27
no.2
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pp.63-70
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2014
Design sensitivity analysis and topology design optimization for a piezoelectric crystal resonator are developed. The piezoelectric crystal resonator is deformed mechanically when subjected to electric charge on the electrodes, or vice versa. The Mindlin plate theory with higher-order interpolations along thickness direction is employed for analyzing the thickness-shear vibrations of the crystal resonator. Thin electrode plates are masked on the top and bottom layers of the crystal plate in order to enforce to vibrate it or detect electric signals. Although the electrode is very thin, its weight and shape could change the performance of the resonators. Thus, the design variables are the bulk material densities corresponding to the mass of masking electrode plates. An optimization problem is formulated to find the optimal topology of electrodes, maximizing the thickness-shear contribution of strain energy at the desired motion and restricting the allowable volume and area of masking plates. The necessary design gradients for the thickness-shear frequency(eigenvalue) and the corresponding mode shape(eigenvector) are computed very efficiently and accurately using the analytical design sensitivity analysis method using the eigenvector expansion concept. Through some demonstrative numerical examples, the design sensitivity analysis method is verified to be very efficient and accurate by comparing with the finite difference method. It is also observed that the optimal electrode design yields an improved mode shape and thickness-shear energy.
Journal of the Computational Structural Engineering Institute of Korea
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v.28
no.5
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pp.441-449
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2015
In this paper we perform a linearized buckling analysis using the Kirchhoff plate theory and the von Karman nonlinear strain-displacement relation. Design sensitivity analysis(DSA) expressions for plane elasticity and buckling problems are derived with respect to Young's modulus and thickness. Using the design sensitivity, we can formulate the topology optimization method for minimizing the compliance and maximizing eigenvalues. We develop a topology optimization method applicable to plate buckling problems using the prestress for buckling analysis. Since the prestress is needed to assemble the stress matrix for buckling problem using the von Karman nonlinear strain, we introduced out-of-plane motion. The design variables are parameterized into normalized bulk material densities. The objective functions are the minimum compliance and the maximum eigenvalues and the constraint is the allowable volume. Through several numerical examples, the developed DSA method is verified to yield very accurate sensitivity results compared with the finite difference ones and the topology optimization yields physically meaningful results.
Journal of the Society of Naval Architects of Korea
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v.34
no.1
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pp.1-10
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1997
Viscous flow around actual ship is calculated by an use of RANS equations. The propriety of this computing method, usefulness to hull form design and the scale effect which is the effect of viscous flow depending on the scale of ship model are investigated. Reynolds stress is modelled by using k-${\varepsilon}$ turbulence model and the law of wall is applied near the body. Body fitted coordinates are introduced for the treatment of the arbitrary 3-dimensional shape of the ship hull form. The transformed equations in the computational domain are numerically solved by an employment of FVM. In the calculation of pressure, SIMPLE method is adopted and the solution of the discretized equation is obtained by the line-by-line method with the use of TDMA The calculations of two ships, 4410 TEU container carrier and 50,000 DWT class bulk carrier, are performed at model and actual ship scale. The results are compared and discussed with the model test results which are viscous resistance, nominal wake distribution at propeller plane and limiting streamline on the hull surface. They describe the effect of stem form and the scale effect very well. In particular, the calculated nominal wake distribution and limiting streamline are agreed qualitatively with the experiments and the viscous resistance values are estimated within ${\pm}5%$ difference from the resistance tests.
Park, Su-Bin;Je, Tae-Wan;Jang, Hui-Yeon;Choi, Su-Min;Park, Mi-Seon;Jang, Yeon-Suk;Moon, Yoon-Gon;Kang, Jin-Ki;Lee, Won-Jae
Journal of the Korean Crystal Growth and Crystal Technology
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v.32
no.4
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pp.121-127
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2022
β-Gallium oxide (Ga2O3), an ultra-wide bandgap semiconductor, has attracted great attention due to its promising applications for high voltage power devices. The most stable phase among five different polytypes, β-Ga2O3 has the wider bandgap of 4.9 eV and higher breakdown electric field of 8 MV/cm. Furthermore, it can be grown from melt source, implying higher growth rate and lower fabrication cost than other wide bandgap semiconductors such as SiC, GaN and diamond for the power device applications. In this study, β-Ga2O3 bulk crystals were grown by the edge-defined film-fed growth (EFG) process. The growth direction and the principal surface were set to be the [010] direction and the (100) plane of the β-Ga2O3 crystal, respectively. The spectra measured by Raman an alysis could exhibit the crystal phase an d impurity dopin g in the β-Ga2O3 ingot, and the crystallinity quality and crystal direction were analyzed using high-resolution X-ray diffraction (HRXRD). The crystal quality and various properties of as-grown β-Ga2O3 ribbon was systematically analyzed in order to investigate the spatial variation in entire crystal grown by EFG method.
We examined the mineralogical composition of pyrite-bearing rocks by quantitative powder X-ray diffraction analysis using the matrix-flushing method and ROCKJOCK (a full pattern fitting computer program). The neutralization potential (NP) and acid generating potential (AP) were calculated on the basis of mineralogical compositions. The mineralogical AP was compared with the conventional AP calculated from bulk sulfur concentration to assess the applicability to the prediction of acid rock drainage(ARD). The pyrite content calculated by matrix-flushing method showed a high positive correlation($r^2$=0.95) with those by ROCKJOCK. The pyrite contents by matrix-flushing method was 1.45 times larger than those by ROCKJOCK. The pyrite content and mineralogical AP obtained by the matrix-flushing method had a better correlation($r^2$=0.98) with those by the total sulfur concentrations in the all samples except KB sample. The mineralogical NPs of YJ sample were 23.0 and 34.0(kg $CaCO_3$ equivalent per tonne) by matrix-flushing method and ROCKJOCK, respectively. The AP calculated by matrix-flushing method and ROCKJOCK program were 47% and 72% of those by the conventional ABA test. We hereby suggested that the quantitative analysis using XRD data can be applied to prediction of ARD. For more reliable calculation of the mineralogical NP and AP, other sulfide and carbonate minerals such as pyrrhotite, dolomite, ankerite, siderite, rhodochrosite which can affact the mineralogical NP and AP should be considered.
Journal of the Korean Crystal Growth and Crystal Technology
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v.21
no.2
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pp.92-97
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2011
Landfill is the main treatment method for bottom-ash because it has not only an irregular particle size and ingredients but also not proper recycling treatment. The aim of this study is to raise recycling rate of bottom-ash(nonplasticity pulverulent) and for the purpose of alternatives of clay to investigate the properties of Bottom-ash (B/A)-Hard Clay (H/C) bodies with controlled interfacial chemistry properties. After investigating the sedimentation height of suspensions with controlled pH, it was discovered that there was no hetero-polar aggregation for mixed slips because hard clay and bottom-ash had similar interfacial chemistry properties. Also, bulk density, water absorption, and microstructure properties of each pellet was observed that made by silp casting method and manufactured at $50^{\circ}C$ intervals between $1000{\sim}1250^{\circ}C$. As a result, dispersed slip of clay and bottom ash are possible for slip casting and plastic forming process because they exhibit Bingham plastic behavior. Products that made by slip with dispersed clay and bottom ash are not only suitable for KS L 4201 and KS L 1001 at $1250^{\circ}C$ but it is also possible to apply for ceramic and sanitary ware because specific gravity was about 15 % lighter than general ceramic materials.
Using Pechini method, we synthesized the $La_{0.6}Ca_{0.41}CrO_3$ (LCC41) and $La_{0.8}Sr_{0.05}Ca_{0.15}CrO_3$ (LSCC) powders for slurry dip coating, and $La_{0.75}Ca_{0.27}CrO_3$ (LCC27) powder for air plasma spray coating. The sintering property of the powders and their coating properties were investigated. The average particle sizes of the LCC41, LSCC, LCC27 were 0.6, 0.9, $1.5{\mu}m$, respectively. The relative density of LCC41 bulk was to be found about 98%. The LSCC coating on anode support prevented Ca migration of the coated LCC41 on the anode some or less, which was confirmed from EDS result. The air plasma spray-coated LCC27 with the dip-coated LCC41 were more dense and showed better electrical conductivity than those of the air plasma spray-coated LCC27 and the dip-coated LSCC and LSCC41. The LCC41 and LCC27 showed good electrical conductivities, but the LSCC had a poor electrical conductivity probably due to low sinterability
Journal of the Korea Academia-Industrial cooperation Society
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v.19
no.10
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pp.1-7
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2018
Tin dioxide, $SnO_2$, is applied as an anode material in Li-ion batteries and a gas sensing materials, which shows changes in resistance in the presence of gas molecules, such as $H_2$, NO, $NO_2$ etc. Considerable research has been done on the synthesis of $SnO_2$ nanostructures. Nanomaterials exhibit a high surface to volume ratio, which means it has an advantage in sensing gas molecules and improving the specific capacity of Li-ion batteries. In this study, $SnO_2$ nanostructures were grown on a Si substrate using a thermal CVD process with the vapor transport method. The carrier gas was mixed with high purity Ar gas and oxygen gas. The crystalline phase of the as-grown tin oxide nanostructures was affected by the oxygen gas flow rate. The crystallographic property of the as-grown tin oxide nanostructures were investigated by Raman spectroscopy and XRD. The morphology of the as-grown tin oxide nanostructures was confirmed by scanning electron microscopy. As a result, the $SnO_2$ nanostructures were grown directly on Si wafers with moderate thickness and a nanodot surface morphology for a carrier gas mixture ratio of Ar gas 1000 SCCM : $O_2$ gas 10 SCCM.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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