• 한국전기전자재료학회논문지
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• 제11권12호
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• pp.1079-1083
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• 1998

In this study, ultrasonic power of Aluminum wire bonder, bond time and bond force are investigated and valued in order to minimize failure of bonding pad lift. We also tried to control those 3 factors properly. We got the conclusion that if we turn down the ability of ultrasonic power or bond time, we can get a pad lift from a boundary between bond pad ad wire because pad metal and wire joining is unstable, but it is best condition when it ultrasonic power is 100∼130unit, bond time is 15∼20msec and bond force is 4∼6gf.

• 한국철도학회:학술대회논문집
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• 한국철도학회 2004년도 추계학술대회 논문집
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• pp.824-829
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• 2004

In this paper, the process of development of resilient sleepers, which improves the train safety, passenger comfort and reduces the noise and vibration, is presented. To optimize the bonding method between elastic pad and PC sleeper, special pad shape like arrow is adopted and is applied in manufacturing. Bonding strength and reduction effects of vibration of the resilient sleepers are experimentally investigated. From the experiment results, it is investigated that the bonding strenth is enough to satisfaction the criteria and the vibration characteristic is also more effective for sleeper with elastic pad than that in ordinary PC form. These results indicate that the elastic pad can reduce possibility of rail-corrugations and thus resulting in the reduction of maintenance costs.

• 전기학회논문지
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• 제56권12호
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• pp.2217-2220
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• 2007

In this paper, we propose a new wafer level package (WLP) for the RF MEMS applications. The Film Bulk Acoustic Resonator (FBAR) are fabricated and hermetically packaged in a new wafer level packaging process. With the use of Au-Sn eutectic bonding method, we bonded glass cap and FBAR device wafer which has groove-shaped via formed in the backside. The device wafer includes a electrical bonding pad and groove-shaped via for connecting to the external bonding pad on the device wafer backside and a peripheral pad placed around the perimeter of the device for bonding the glass wafer and device wafer. The glass cap prevents the device from being exposed and ensures excellent mechanical and environmental protection. The frequency characteristics show that the change of bandwidth and frequency shift before and after bonding is less than 0.5 MHz. Two packaged devices, Tx and Rx filters, are attached to a printed circuit board, wire bonded, and encapsulated in plastic to form the duplexer. We have designed and built a low-cost, high performance, duplexer based on the FBARs and presented the results of performance and reliability test.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2008년도 추계학술대회 논문집 Vol.21
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• pp.171-171
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• 2008

본 연구는 초음파 알루미늄 웨지 및 금 볼 본딩을 동시에 적용 가능한 본딩 Pad의 금속학적 안정성을 고려한 표층전극 형성 방법에 관한 것이다. 특히, 이동통신 및 전장용 모듈의 복합 및 융합화로 LTCC기판 패키징에 있어서 다양한 본딩 기술이 요구되고 있다. 전통적인 interconnection 기술인 Au ball 본딩 및 초음파 에너지를 이용한 Al wedge 본딩 기술이 동시에 사용되어야 하는 패키지 구조의 경우 본딩 패드의 표층전극 설계는 서로 상충되는 조건이 요구된다. 따라서, 본 연구에서는 LTCC기판의 표층전극의 Metal finish 방법으로 이용되는 ENEPIG(무전해 Ni/Pd/Au도금)공법으로 Au ball 본딩 및 초음파 Al wedge 본딩을 동시에 가능하게 하는 solution을 제시하여 패키징 자유도뿐만 아니라 Interconnection 신뢰성을 확보할 수 있었다.

• 마이크로전자및패키징학회지
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• 제22권3호
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• pp.39-44
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• 2015

이방성 전도접착제를 이용하여 Cu/Au 칩 범프를 Cu 기판 배선에 플립칩 실장한 접속부에 대해 CNT-Ag 복합패드가 접속저항에 미치는 영향을 연구하였다. CNT-Ag 복합패드가 내재된 플립칩 접속부가 CNT-Ag 복합패드가 없는 접속부에 비해 더 낮은 접속저항을 나타내었다. 각기 25 MPa, 50 MPa 및 100 MPa의 본딩압력에서 CNT-Ag 복합패드가 내재된 접속부는 $164m{\Omega}$, $141m{\Omega}$ 및 $132m{\Omega}$의 평균 접속저항을 나타내었으며, CNT-Ag 복합패드를 형성하지 않은 접속부는 $200m{\Omega}$, $150m{\Omega}$ 및 $140m{\Omega}$의 평균 접속저항을 나타내었다.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2010년도 하계학술대회 논문집
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• pp.159-159
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• 2010

We conducted bum-in test by current stress to evaluate acceleration reliability characteristics about p-resistivity influence of GaN-based light-emitting diodes. The LEDs used in this study are the polarization field-induced LED(PF-LED) having low p-resistivity and the highly resistive LED(HR-LED) having high p-resistivity. The result of high stress experiment shows that current crowding phenomenon is occurred from the center of between p-bonding pad and n-bonding pad to either electrodes. In addition, series resistance and optical power decrease dramatically. These results means that the resistance of between p-bonding pad and p-GaN affect reliability. That's why we need to consider the ohmic contact of p-bonding pad when design the high efficiency and high reliability LEDs.

• 대한전자공학회:학술대회논문집
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• 대한전자공학회 2003년도 하계종합학술대회 논문집 II
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• pp.899-902
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• 2003

Chip Pin Parasitic은 실제 Chip Pad에서부터 Bonding Wire를 통한 Package Lead Frame까지를 의미한다. 여기서, Lead Frame 및 Bonding Wire에서 Inductance 및 작은 저항이 보이고, Chip Pad에서의 Capacitance, 그리고 Pad 부터 Ground까지의 Return Path에서 발생하는 저항이 보인다. 이들을 모두 합하면 L, R, C의 Series로 나타낼 수 있다. 본 논문에서는 이런 Chip Pin Parasitic을 추출 하기 위해서 TDR(Time Domain Reflectometer)과 NA(Network Analyzer)를 사용하였는데, TDR의 경우 PCB를 제작하여 Chip을 Board위에 붙인 후 Time Domain에서 측정 하였고 NA의 경우 Pico Probe를 이용하여 Chip pin에 직접 Probing해서 Smith Chart를 통하여 Extraction 값을 추출했다. 이 경우, NA를 이용한 측정이 좀 더 정확한 Parasitic 값을 추출할 수 있으리라 예상되겠지만, 실제로 Chip이 구동하기 위해서는 Board위에 있을 때의 상황도 고려해야 하기 때문에 TDR 추출 값과 NA 추출 값을 모두 비교하였다.

• 대한전자공학회논문지SD
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• 제41권12호
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• pp.21-26
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• 2004

본 논문에서는 package된 BJT의 RF 등가회로 모델을 optimization과정 없이 직접 추출하는 방법을 개발하였다. 먼저, open 과 short package 구조를 사용하여 plastic package의 기생성분을 측정된 S-파라미터로부터 정확히 제거하였다. 이와 같이 package do-embedding된 S-파라미터로부터 package lead와 chip pad 사이의 bonding wire 인덕턴스와 chip pad 캐패시턴스를 직접 추출하는 간단한 방법을 구축하였다. 그 후에 내부 BJT소자의 소신호 모델변수들은 RF 등가회로로부터 유도된 Z나 Y-파라미터 방정식을 이용하여 결정하였다. 이 방법으로 모델화된 packaged BJT의 S-파라미터는 측정 데이터와 아주 잘 일치하였으며 이는 새로운 추출방법의 정확성을 증명한다.

• 마이크로전자및패키징학회지
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• 제10권2호
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• pp.27-31
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• 2003

플립 칩 패키징에 있어 CPW배선 구조에 본딩 패드를 구성하여 1GHz부터 35GHz 범위에서 고주파 특성 변화를 관찰하였다. 본딩 패드로 구성된 구조들에 대한 시뮬레이션을 수행하고, 제작된 CPW의 S 파라미터를 측정하였다. 측정 결과 접지선과 신호선에 본딩 패드를 구성한 패턴은 기존 CPW의 S 파라미터 특성과 대등한 $S_{11}$은 -31 dB 이하, $S_{21}$은 -0.19 dB 이상이 관찰되었다. 아울러 접지선 폭에 따른 고주파 특성에서는 접지선 폭의 증가가 고주파 특성 개선을 가져왔다. 고주파 대역에서 플립 칩의 배선 구조로 제안된 본 연구의 본딩 패턴은 유효하였다.

• 한국재료학회:학술대회논문집
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• 한국재료학회 1994년도 추계 학술발표 강연 및 논문 개요집
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• pp.64-64
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• 1994