• 대한전자공학회논문지TE
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• 제37권5호
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• pp.7-16
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• 2000

본 논문은 고속 지수 선택기를 이용한 여분 부동 소수점 이진수의 제산/스퀘어-루트 설계 및 구현에 관하여 기술하였다. 본 제산/스퀘어-루트는 처리 속도 25㎒를 갖는 여분 이진수의 가산 방식을 사용하여 올림수 지연을 제거함으로써 비트 크기에 관계없이 일정한 시간으로 가산을 수행한다. 각각의 반복 단계에 널리 사용된 제산과 스퀘어-루트에 대해 16-비트 VLSI 회로를 설계하였다. 이것은 매번 16개 클럭마다 시프트된 이진수를 여분 가산하여 제산 및 스퀘어-루트를 실행한다. 또한 이 회로는 비복원 방법을 사용하여 지수 비트를 얻는다. 지수 선택 논리의 간단한 회로를 구현하기 위하여 나머지 비트의 주요 세 자리를 사용하였다. 결과적으로, 이 회로의 성능은 새로운 지수 선택 가산 논리를 적용하여 지수 결정 영역을 병렬 처리함으로써 한층 더 연산 처리 속도를 높인 것이다. 이전에 동일한 알고리즘을 사용하여 제안된 설계보다 13% 빠른 속도 증가를 보였다.

• 대한전자공학회:학술대회논문집
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• 대한전자공학회 2002년도 하계종합학술대회 논문집(2)
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• pp.345-348
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• 2002

This paper presents new fast scalar multiplier of elliptic curve cryptosystem that is regarded as next generation public-key crypto processor. For fast operation of scalar multiplication a finite field multiplier is designed with LFSR type of bit serial structure and a finite field inversion operator uses extended binary euclidean algorithm for reducing one multiplying operation on point operation. Also the use of the window non-adjacent form (WNAF) method can reduce addition operation of each other different points.

• 대한전자공학회논문지SD
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• 제48권10호
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• pp.67-71
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• 2011

디지털 도어락, 디지털 카메라, 비디오 감시 시스템 등에서 사용되는 기존의 얼굴 검출 시스템은 비교적 낮은 해상도의 영상 처리를 사용하고 있으며 이를 위해서 소프트웨어 기반의 구현을 하고 있다. 하지만 이 경우에는 높은 해상도를 위한 얼굴 검출이 어려울 뿐만 아니라 수행해야할 영산 처리 양이 많기 때문에 실시간으로 얼굴을 검출하는데 어려움이 있다. 실시간 임베디드 시스템에서 HD(High Definition) 영상을 위한 효과적인 얼굴 검출을 위해서는 하드웨어적인 접근이 필요하다. 이에 본 논문에서는 얼굴 검출을 위해 사용되는 전처리 과정 중에 하나이며 처리시간이 많이 소요되는 국부 이진 패턴(LBP, Local Binary Pattern) 연산을 하드웨어 구조를 제시하고 설계했다. 그리고 제시한 하드웨어 구조를 FPGA(Field Programmable Gate Array) 칩을 통해서 구현 및 검증을 통해 고해상도 HD급 영상에서 효율적인 얼굴 검출이 가능 한 것을 확인했다.

• 한국환경과학회지
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• 제30권11호
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• pp.945-956
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• 2021

In this study, the effects of single and binary heavy metals toxicity on the growth and phosphorus removal ability of Bacillus sp.. known as be a phosphorus-removing microorganism, were quantitatively evaluated. Cd, Cu, Zn, Pb, Ni were used as heavy metals. As a result of analysis of variance of the half of inhibition concentration and half of effective concentration for each single heavy metal treatment group, the inhibitory effect on the growth of Bacillus sp. was Ni < Pb < Zn < Cu < Cd. And the inhibitory effect on phosphorus removal by Bacillus sp. was Ni < Pb < Zn < Cu < Cd. When analyzing the correlation between growth inhibition and phosphorus removal efficiency of a single heavy metal treatment group, a negative correlation was found (R² = 0.815), and a positive correlation was found when the correlation between IC₅₀ and EC₅₀ was analyzed (R² = 0.959). In all binary heavy metal treatment groups, the interaction was an antagonistic effect when evaluated using the additive toxicity index method. This paper is considered to be basic data on the toxic effects of heavy metals when phosphorus is removed using phosphorus removal microorganisms in wastewater.

• East Asian mathematical journal
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• 제37권1호
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• pp.87-95
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• 2021

Let K be an imaginary quadratic field with ��K its ring of integers. For a positive integer N, let K(N) be the ray class field of K modulo N��K, and let ��N be the field of meromorphic modular functions of level N whose Fourier coefficients lie in the Nth cyclotomic field. For each h ∈ ��N, we construct a ray class invariant as its special value in terms of the extended form class group, and show that the invariant satisfies the natural transformation formula via the Artin map in the sense of Siegel and Stark. Finally, we establish an isomorphism between the extended form class group and Gal(K(N)/K) without any restriction on K.

• 한국주조공학회지
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• 제37권6호
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• pp.199-206
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• 2017

In this study, the variations of microstructures and tensile properties of Ti-(44-54)at.%Al binary alloys were investigated. The heat-treated microstructure depended greatly on their solidification structure and annealing temperature. We measured the variations of volume fractions of primary and secondary lamellar structure as a function of the heat treatment temperature in a Ti-47at.%Al alloy. The variation of ductility as a function of Al content was in good agreement with the change of fracture mode in the tensile fracture surface. It can be inferred that the variations of yield stress and hardness of ${\gamma}$ phase in a single ${\gamma}$-phase field region are enhanced by anti-site defects created by deviations from the stoichiometric composition. In a Ti-47at.%Al alloy within the (${\alpha}_2+{\gamma}$) two-phase field, the yield stress tended to be the maximum at a near equal volume fraction of lamellar and ${\gamma}$ grains. The ductility depended sensitively on the overall grain size and Al content. The calculation of fracture strain using Chan's model indicated that the change of ductility as a function of annealing temperature was primarily determined by the variations in the overall grain size and lamellar volume fraction.

• Structural Engineering and Mechanics
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• 제75권1호
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• pp.59-69
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• 2020

The purpose of this study is to develop practical tools for the mechanical design of cylindrical porous media subjected to a broad gap in a hygrothermal environment. The planar axisymmetrical and transient hygrothermoelastic field in a porous hollow cylinder that is exposed to a broad gap of temperature and dissolved moisture content and is free from mechanical constraint on all surfaces is investigated considering the nonlinear coupling between heat and binary moisture and the diffusive properties of both phases of moisture. The system of hygrothermal governing equations is derived for the cylindrical case and solved to illustrate the distributions of hygrothermal-field quantities and the effect of diffusive properties on the distributions. The distribution of the resulting stress is theoretically analyzed based on the fundamental equations for hygrothermoelasticity. The safety hazard because of the analysis disregarding the nonlinear coupling underestimating the stress is illustrated. By comparing the cylinder with an infinitesimal curvature with the straight strip, the significance to consider the existence of curvature, even if it is infinitesimally small, is demonstrated qualitatively and quantitatively. Moreover, by investigating the bending moment, the necessities to consider an actual finite curvature and to perform the transient analysis are illustrated.

• 전기전자학회논문지
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• 제27권1호
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• pp.65-70
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• 2023

높은 캐리어 이동도, 큰 포화 속도, 낮은 고유 정전 용량, 유연성, 그리고 투명성을 장점으로 가진 CNTFET(Carbon NanoTube Field Effect Transistor) 10,000개 이상을 현존하는 반도체 디자인 절차와 공정 프로세서를 활용하여 하나의 반도체 칩에 집적하는데 성공하였다. 제작된 반도체 칩의 3차원 다층 구조와 다양한 CNTFET 생산 공정 연구는 기존 MOSFET과 CNTFET를 하나의 반도체 칩에 함께 사용하는 hybrid MOSFET-CNTFET 반도체 칩 제작에 대한 가능성을 보여주고 있다. 본 논문에서는 hybrid MOSFET-CNTFET을 활용한 6T binary SRAM을 디자인하는 방법에 대해 논하고자 한다. 기존 MOSFET SRAM 또는 CNTFET SRAM 디자인 방법을 활용하여 hybrid MOSFET-CNTFET SRAM을 디자인 하는 방법을 소개하고 그 성능을 기존 MOSFET SRAM 그리고 CNTFET SRAM과 비교하고자 한다.

• 한국통신학회논문지
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• 제21권11호
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• pp.2991-3000
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• 1996

이 논문에서는 DS/SS 통신 시스팀에서의 초기 동기를 위한 효율적인 신경 시스팀이 제시된다. 이 시스팀은 주어진 의사잡음 수열을 이진 필드에서 기하학적으로 분석하여 학습하는 이진 신경회로망을 사용한다. 주어진 시스팀에서의 검출 확률과 오경보 확률을 얻고 실제 모의 시험과 비교하여 구한 식을 검증한다. 또한 초기 동기 시간의 식이 유도되고 직렬 탐색의 2중 적분 시간과 비교하여 더욱 나은 성능을 가짐을 보인다. 또한 동기 수열의 길이와 갯수에 따른 시스팀의 성능을 분석하여 동기 수열의 길이를 늘릴수록, 동기 수열의 갯수를 늘릴수록 성능이 향상됨을 보인다.

• 대한용접접합학회:학술대회논문집
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• 대한용접접합학회 2006년도 춘계 학술대회 개요집
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• pp.218-220
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• 2006

Sn-3.0Ag-0.5Cu solder is widely used as micro-joining materials of flip chip package(FCP) because of the fact that it causes less dissolution and has good thermal fatigue property. However, compared with ternary electroplating in the manufacturing process, binary electroplating is still used in industrial field because of easy to make plating solution and composition control. The objective of this research is to fabricate Sn-3.0Ag-0.5Cu solder bumping having accurate composition. The ternary Sn-3.0Ag-0.5Cu solder bumping could be made on a Cu pad by sequent binary electroplating of Sn-Cu and Sn-Ag. Composition of the solder was estimated by EDS and ICP-OES. The thickness of the bump was measured using SEM and the microstructure of intermetallic-compounds(IMCs) was observed by SEM and EDS. From the results, contents of Ag and CU found to be at $2.7{\pm}0.3wt%\;and\;0.4{\pm}0.1wt%$, respectively.