International journal of advanced smart convergence
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제8권3호
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pp.46-53
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2019
When a partitioned structure is derived from a data set using a clustering algorithm, it is not unusual to have a different set of outcomes when it runs with a different order of data. This problem is known as the order bias problem. Many algorithms in machine learning fields try to achieve optimized result from available training and test data. Optimization is determined by an evaluation function which has also a tendency toward a certain goal. It is inevitable to have a tendency in the evaluation function both for efficiency and for consistency in the result. But its preference for a specific goal in the evaluation function may sometimes lead to unfavorable consequences in the final result of the clustering. To overcome this bias problems, the first clustering process proceeds to construct an initial partition. The initial partition is expected to imply the possible range in the number of final clusters. We apply the data centric sorting to the data objects in the clusters of the partition to rearrange them in a new order. The same clustering procedure is reapplied to the newly arranged data set to build a new partition. We have developed an algorithm that reduces bias effect resulting from how data is fed into the algorithm. Experiment results have been presented to show that the algorithm helps minimize the order bias effects. We have also shown that the current evaluation measure used for the clustering algorithm is biased toward favoring a smaller number of clusters and a larger size of clusters as a result.
A status of air traffic controller is a government officer and air traffic controllers who work at airport are divided by duty rating and work experience. Abiding by law, rules and regulation, air traffic controllers are working together based on mutual trust. This paper's theoretical background is based on cultural bias theory. The theory divide people group into four groups according to cultural bias such as fatalism, hierarchy, individualism and egalitarianism. A research model was designed how such four cultural bias could affect air traffic controller's risk response in case of emergency or abnormal situation during their work. Depend on empirical research, it was found that air traffic controllers perceived they had been more biased to fatalism than hierarchy. The characteristics of fatalism group are as follows: first of all, they follow rigid rules and regulation. However, they have less self-efficacy compared to other government officers. According to structural equation model, air traffic controller's fatalism had a significant negative effect on organizational royalty. Their royalty, however, had a very significant positive effect on planning response and immediate response.
본 연구는 사회복지 전공대학생의 정보보안 태도와 정보보안 행위와의 관계에서 개인의 낙관적 편견과 정보보안 의도의 이중 매개효과가 있는지 실증 검증하는 데 있다. 사회복지 전공대학생 295명을 대상으로 하였다. 수집된 자료는 SPSS Process macro를 활용하여 빈도분석, 기술통계 분석, 요인분석과 신뢰도 분석, 상관분석, 부트스트랩을 이용하여 분석하였다. 그 결과 첫째, 변인 간에는 모두 유의한 상관관계가 있었다. 둘째, 정보보안 태도와 정보보안 행위의 관계에서 개인의 낙관적 편견과 정보보안 의도는 각각 단순 매개효과가 있었다. 셋째, 정보보안 태도와 정보보안 행위의 관계에서 개인의 낙관적 편견과 정보보안 의도를 동시 투입하였을 때 각각 단순 매개효과가 있었다. 넷째, 개인의 낙관적 편견과 정보보안 의도는 이중 매개효과가 있었다. 본 연구는 사회복지 전공대학생들의 정보보안에 대한 정보보안 태도, 개인의 낙관적 편견, 정보보안 의도, 정보보안 행위를 활용한 모델의 확장성과 사회복지 정보보안 교육을 위한 기초 자료를 제공하였다.
By means of Monte Carlo simulation, we investigate the effects of interface roughness and temperature on the exchange bias and coercivity in ferromagnetic (FM)/antiferromagnetic (AFM) bilayers. Both exchange bias and coercivity are strongly dependent on interface roughness. For a perfect uncompensated interface a domain wall is formed in the AFM system during FM reversal, which results in a very small exchange bias. However, a finite interface roughness leads to a finite value of the exchange bias due to the existence of pinned spins at the AFM surface adjacent to the mixed interface. It is observed that the exchange bias decreases with increasing temperature, consistent with the experimental results. It is also observed that a bump in coercivity occurs around the blocking temperature.
The effects of alternate bias stress on p-channel poly-Si TFT\`s has been systematically investigated. We alternately applied positive and negative bias stress on p-channel poly-Si TFT\`s, device Performance(V$\_$th/, g$\_$m/, leakage current, S-slope) are alternately appeared to be increasing and decreasing. It has been shown that device performance degrade under the negative bias stress while improve under the positive bias stress. This effects have been related to the hot carrier injection into the gate oxide rather than the generation of defect states within the poly-Si/SiO$_2$ interface under alternate bias stress.
The effect of DC bias on the growth of nanocrystalline diamond films on silicon substrate by microwave plasma chemical vapor deposition has been studied varying the substrate temperature (400, 500, 600, and $700^{\circ}C$), deposition time (0.5, 1, and 2h), and bias voltage (-50, -100, -150, and -200 V) at the microwave power of 1.2 kW, working pressure of 110 torr, and gas ratio of Ar/1%$CH_4$. In the case of low negative bias voltages (-50 and -100 V), the diamond particles were observed to grow to thin film slower than the case without bias. Applying the moderate DC bias is believed to induce the bombardment of energetic carbon and argon ions on the substrate to result in etching the surfaces of growing diamond particles or film. In the case of higher negative voltages (-150 and -200 V), the growth rate of diamond film increased with the increasing DC bias. Applying the higher DC bias increased the number of nucleation sites, and, subsequently, enhanced the film growth rate. Under the -150 V bias, the height (h) of diamond films exhibited an $h=k{\sqrt{t}}$ relationship with deposition time (t), where the growth rate constant (k) showed an Arrhenius relationship with the activation energy of 7.19 kcal/mol. The rate determining step is believed to be the surface diffusion of activated carbon species, but the more subtle theoretical treatment is required for the more precise interpretation.
This paper describes the effect of substrate back bias of CMOS Inverter. When the substrate back bias applied in body, the MOS transistor threshold voltage increased and drain saturation current decreased. The back gate reverse bias or substrate bias has been widely utilized and the following advantage has suppressing subthreshold leakage, lowering parasitic junction capacitance, preventing latch up or parasitic bipolar transistor, etc. When the reverse voltage applied substrate, this paper stimulated the propagation delay time CMOS inverter.
In this paper, the effects of back-gate bias on n-channel SOI MOSFETs has been systematically investigated. Back-gate surface is accumulated when negative bias is applied. It is found that the driving current ability of SOI MOSFETs is reduced because the threshold voltage and subthreshold slope are increased and transconductance is decreased due to the hole accumulation in Si body.
창업효능감은 창업에 대한 사람들의 태도와 행동을 설명하는 중요한 변수이다. 본 연구에서는 창업효능감에 영향을 미치는 개인의 심리특성변수인 행운신념과 긍정적 인지편향을 주목하였다. 본 연구에서 특히 주목한 것은 행운이다. 사업성공이 행운에 의해서 좌우된다는 생각과 믿음이 널리 퍼져있다. 그럼에도 이에 대한 학술적 검토와 논의는 제대로 되지 않았다. 학술적으로 무관심했던 이유는 행운이 일종의 미신이며, 예지나 초감각적 지각과 관련이 있고, 외부환경에 의해 무작위적으로 일어난다고 보았기 때문이다. 행운을 개성과 같은 개인의 특성변수로 보고 이를 측정하기 위한 척도가 개발되면서 부터 행운에 대한 연구가 본격적으로 시작되었다. 본 연구에서는 행운신념에 대한 기존연구들을 검토하고, 이 행운신념이 긍정적 인지편향과 창업효능감에 미치는 영향을 실증분석을 통해 살펴보고자 하였다. 실증분석을 위해 본 연구는 일반인 400명을 대상으로 온라인 설문조사를 실사하였다. 가설검증을 위해 AMOS 21.0을 이용하여 구조방정식 모형분석을 실시하였다. 가설검증 결과, 행운신념이 긍정적 인지편향인 자기고양 편향과 통제착각 편향, 낙관주의 편향에 정(+)의 영향을 미칠 것이라는 가설은 모두 채택되었다. 긍정적 인지편향(자기고양 편향, 통제착각 편향, 낙관주의 편향)이 창업효능감에 정(+)의 영향을 미칠 것이라는 가설도 또한 모두 채택되었다. 행운신념과 창업효능감의 관계에서 긍정적 인지편향의 매개적 역할을 살펴보기 위해 추가분석을 실시하였다. 이 분석에서 '행운신념→긍정적 인지편향→창업효능감'의 경로계수 값이 통계적으로 유의하게 나타났다. 이를 통해 행운신념과 창업효능감의 관계에서 행운신념의 간접효과, 즉 긍정적 인지편향의 매개효과를 확인하였다. 마지막 결론에서는 이상의 실증분석 결과를 바탕으로 본 연구의 시사점과 한계점을 논의하였다.
Multitarget bias cosputter deposition(MBCD)에 의해 저온($200^{\circ}C$)에서 NaCI(100)상에 정합$CoSi_2$를 성장시켰다. X-선회절과 투과전자현미경에 의해 증착온도와 기판 bias전압에 따른 각각 silicide의 상전이와 결정성을 관찰하였다. Metal induced crystallization(MIC) 과 self bias 효과에 의해 $200^{\circ}C$에서 기판전압을 인가하지 않은 경우에도 결정질 Si이 성장하였다. MIC현상을 이론 및 실험적으로 고찰하였다. 관찰된 상전이는 $Co_2Si \to CoSi \to Cosi_2$로서 유효생성열법칙에 의해 예측된 상전이와 일치하였다. 기판 bias전압 인가시 발생한 이온충돌에 의한 충돌연쇄혼합(collisional cascade mixing), 성장박막 표면의 in situ cleaning, 핵생성처(nucleation site)이 증가로 인하여 상전이, CoSi(111)우선방위, 결정성은 증착온도에 비해 기판bias전압에 더 큰 영향을 받았다. $200^{\circ}C$에서 기판 bias전압을 증가시킴에 따라 이온충돌에 의한 결정입성장이 관찰되었으며, 이를 이온충독파괴(ion bombardment dissociation)모델에 의해 해석하였다. $200^{\circ}C$에서의 기판 bias전압증가에 따른 결정성변화를 정량적으로 고찰하기 위해 Langmuir탐침을 이용하여 $E_{Ar},\; \alpha(V_s)$를 계산하였다.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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