Degradation problem due to long term service in machine or structure is now one of important problems in whole industrial field. In this study, pressure vessel steel, Cr-Mo steel, which was used more than 60,000 hours, was surface-modified by laser beam radiation for the improvement of fatigue strength. To find out optimum radiation condition, hardness, residual stress measurement and fatigue tests were carried out with the specimen of different radiation conditions. Experimental results show that micro-hardness values on the surface of the radiated specimens were approximately 2.2 times higher than those of un-radiated ones. In the depth direction of the specimen, hardness on the surface showed maximum value and was decreased at the inside the specimen. Different hardness values are due to the energy density Q which was absorbed by the specimen. Fatigue tests show that fatigue life was improved by the compressive residual stress after laser beam radiation. However, some specimens with differednt conditions show the shorter fatigue life. It means that laser beam radiation with optimum parameter can improve thae fatigue strength.
In this study the subcritical crack growth behavior in an Al2O3-SiCw composite has been investigated using in situ fracture technique of applied moment double cantilever beam (AMDCB) specimens indside an SEM. This technique allows the detailed observation of whisker and grain bridging in the crack wake region. The experimental results indicated that the KI-a curve was deviated from the conventional powder law form and that the existed a region where the rate of microcrack growth was decreased with increasing the externally applied stress intensity factor. This behavior could be explained by arising crack growth resistance i.e. R-curve behavior which was associated with crack shielding due to whisker and grain bridging. The R-curve was also analyzed from the KI-a curve data in order to quantify the bridging effect in the Al2O3-SiCw composite.
우리는 분자선 에피택시(Molecular Beam Epitaxy) 법을 사용하여 광전기화학적 물분해 수소생산용 고종횡비 GaN 기반 나노와이어를 Si 기판 위에 성공적으로 제작하였다. 주사전자현미경(SEM)과 에너지분산형 분광법(EDX)은 p-GaN:Mg 및 p-InGaN 나노와이어가 고밀도와 함께 수직으로 성장 되었음을 증명하였다. 또한, p-InGaN 나노와이어의 발광 파장을 552 nm에서 590 nm까지의 조절이 가능하다는 것을 확인하였다. 이렇게 제작된 p-InGaN 나노와이어는 태양광을 통해 외부 전위 없이 물분해가 가능한 수소생산용 광촉매로써 매우 유용하게 사용될 수 있다.
중성자선은 고 LET (linear energy transfer) 방사선으로 X선이나 감마선 등의 저 LET 방사선보다 세포에 더욱 큰 손상을 입힌다. 중성자에 의한 손상은 일반적으로 세포에 있어서 치명적이며, 중성자선은 X선이나 감마선에 비하여 직접작용을 통하여 세포사를 일으키는 경향이 있다. 본 연구에서는 고속중성자선의 성장지연비 및 산소증강비를 동물실험을 통하여 측정하고자 하였다. BALB-c 마우스의 우측 하지에 EMT-6 세포주를 이식한 후 종양의 평균용적이 $200-300mm^3$가 되었을 때 X선 및 고속중성자선을 조사하였다. 정상산소환경 및 저산소환경의 종양에 대하여 X선은 0, 11, 15.4 Gy를 조사하였고 고속중성자선은 0, 5, 7, Gy를 조사하였다. 방사선조사 후에는 종양의 용적을 주 3회 측정하였다. 정상산소환경 실험군의 경우 저산소환경 실험군에 비하여 X선 11 Gy를 조사하였을 때 성장지연비가 1.34였고, 15.4 Gy를 조사하였을 때 1.33였다. 고속중성자선을 조사한 경우정상산소환경 실험군이 저산소환경 실험군에 비하여 고속중성자선 5 Gy를 조사하였을 때 성장지연비는 0.94였고, 고속중성자선 7 Gy를 조사하였을 때 0.98였다. 고속중성자선의 산소증강비는 0.97이었다. 고속중성자선은 X선에 비하여 저산소환경에 있는 종양의 성장억제에 있어서 보다 효과적이었다.
신선 돈육을 준비하여 두 가지의 conveyer 이동 속도(10과 20 Hz)로 전자선을 조사(3.0 과 5.0 kGy)한 후 저장 중 돈육의 지방 산화와 일반 세균 그리고 중온균의 증식 억제를 비교하여 측정하였다. 본 실험 결과를 종합하여 볼 때 전자선의 처리는 확실하고 뚜렷한 살균 효과가 있는 것으로 밝혀졌으며 대체적으로 3.0 보다는 5.0 kGy 처리육의 살균 효과가 훨씬 우수하였다. 지방의 산화는 전자선 조사에 의해서 촉진되는 것으로 확인되었기 때문에 전자선을 돈육에 활용하려면 전자선 처리에 의한 지방의 산화를 억제해야 하는 필요성이 절실하게 대두되고 있다. 전자선의 conveyer이동 속도를 10에서 20 Hz로 증가시켰을 때 살균 효과가 감소한다는 사실은 의외의 결과이나 전자선의 조사가 대조구에 비해 일반세균과 중온균의 증식은 억제하였다. 한편 conveyer 이동 속도를 10에서 20 Hz로 증가시킨 경우 돈육의 산화가 억제된다는 사실은 매우 고무적이며 전자선 처리에 의한 살균 효과를 식육에서 극대화하기 위하여는 본 실험에서 확인된 전자선 주사 속도의 증가에 의한 항산화 작용 이외에 더 추가적으로 탈기 변형 포장 방법 등을 도입하여 산화를 더욱 억제하여야 할 것으로 생각된다.
In our researches we made mix-design, with the mixing ratio and pre-cracked ratio of steel fibrous different from each other, building the steel fibrous concrete beam which had pre-cracks. To obtain the fracture characteristics of steel fibrous reinforced concrete, series of experiment were conducted on pre-cracked beam subjected to 3-point bending. Thus, we carried out experiments on the destructive characteristics of its pre-crack and post-crack and the result is as follows. 1. The compressive strength of steel fibrous concrete beam increased more slightly than plane beam, and the tensile strength increased 37%, 59%, 94% and 121% respectively when the amount of fibrous was 0.5%, 0.1% 1.5%, and 1.75% respectively. 2. As the amount of steel fibrous mixing increased ant the steel fibrous inhibited the crack growth, the crack condition of steel fibrous concrete beam was retarded irregularly, and this increased fracture load. 3. The defiance of destruction was reduced in the ratio of 1.35 times and 1.22 times respectively when the length of pre-crack was each 2cm and 4cm in comparison with the case of being without the length, and was similar to that of plane beam when the amount of steel fibrous mixing was below 1.0%, and increased linearly when it as above 1.0%. 4. The experimental formula seeking fracture energy was follows and thus we found that the value of fracture energy depended upon tensile strength and the size of speciment. $G_f=K\;{\cdot}\;f_f^'{\cdot}$da/Ec 5. We observed that in the load-strain curve of steel fibrous concrete beam the progress of the crack became slow, compared with plane beam because the crack condition became long to the extent of about 10 times. Concrete was faultiest brittleness fracture through the study, it was known ductile.
본 연구는 전자빔 조사에 따른 잿빛곰팡이병 방제효과와 절화 장미의 수확 후 품질을 알아보고자 수행하였다. 10MeV 전자가속기를 이용하여 0.1, 0.2, 0.4, 0.6, 0.8, 1, 2, 10, 20kGy로 조사했을 때 전자빔 선량이 높아짐에 따라 Botrytis cinerea 포자 발아와 균사 생장은 억제되었다. 전자빔 조사가 B. cinerea 포자 발아와 균사 생장에 미치는 영향을 비교했을 때, 포자 발아를 50% 억제하는 선량은 2.02kGy, 균사 생장을 50% 억제하는 선량은 0.89kGy였으므로 포자가 균사에 비해 전자빔에 대한 저항성이 더 높았다. 전자빔 조사후 배양온도에 따른 B. cinerea 균사 생장을 비교한 결과 잿빛곰팡이병균에 대한 전자빔 효과는 배양온도가 낮아질수록 증가하였으며, 특히 $10^{\circ}C$에서 가장 높은 균사 생장 억제효과를 보였다. 토마토 유묘를 이용하여 전자빔의 in vivo 살균활성을 검정한 결과 전자빔 선량이 높아짐에 따라 방제효과도 증가하였다. 절화 장미는 전자빔 선량이 높아짐에 따라 절화수명 및 생체중의 감소, 개화 지연 등을 보였으며, 'Decoration', 'Il se Bronze', 'Queen Bee', 'Revue'는 0.4kGy이하에서 전반적인 절화품질이 유지되었지만 'Vivian'은 0.2kGy 이하에서만 절화품질이 유지되어 장미 품종에 따라 전자빔에 대한 감수성이 다르게 나타났다.
치콘의 미생물학적 안전성을 확보하기 위해 50 ppm 이산화염소수와 5 kJ/$m^2$ UV-C 및 2 kGy 전자빔 조사 병합처리에 따른 저장 중 미생물 수 및 품질 변화를 $4{\pm}1^{\circ}C$에서 11일 동안 저장하면서 측정하였다. 이산화염소수와 UV-C 병합처리 후 치콘의 총 호기성 세균 수는 대조구와 비교하여 1.49~2.92 log CFU/g, 효모 및 곰팡이는 1.63~1.78 log CFU/g의 감소를 보였다. 반면에, 이산화염소수와 2 kGy 전자빔 병합처리구의 경우 총 호기성 세균은 저장기간 동안 검출되지 않았으며, 효모 및 곰팡이 역시 11일 간의 저장기간 동안 나타나지 않았다. 이산화염소수와 전자빔의 병합처리는 대조구와 비교하여 치콘의 저장 중 Hunter 색도 값에 부정적 영향을 미치지 않았다. 관능검사에 있어서도 저장기간 동안 대조구와 비교 시 유의적인 차이가 없는 것으로 나타났다. 따라서 본 연구결과, 이산화염소수와 전자빔 조사의 병합처리가 치콘의 저장 중 오염될 수 있는 위해미생물의 감소와 외관적 품질유지에 효과적인 살균처리 기술이라고 판단된다.
분자선 에피택시 장비를 이용하여 두 단계 방법(two-step method)으로 Si (100) 기판 위에 GaAs 에피층을 성장하였다. Si 기판은 초고진공을 유지하고 있는 MBE 성장 챔버 속에서 세척 방법을 달리하여 Si 기판표면에 존재하는 불순물(산소, 탄소 등)을 제거하였다. 첫 번째는 Si 기판을 몰리브덴 히터를 사용하여 $800^{\circ}C$로 직접 가열하였다. 두 번째는 Si 기판 표면에 As 빔을 조사시켜 주면서 $800^{\circ}C$로 Si 기판을 가열하였다. 세 번째는 Si 기판 표면에 Ga을 증착한 후 Si 기판을 $800^{\circ}C$로 가열하였다. 이와 같은 세 가지 다른 조건으로 세척한 Si(100) 기판 위에 성장한 GaAs 에피층의 특성은 reflection high-energy electron diffraction (RHEED), atomic force microscope (AFM), double crystal x-ray diffraction (DXRD), photoluminescence (PL), photoreflectance(PR) 등으로 조사하였다. Ga 빔을 증착하여 세척한 Si 기판 위에 성장된 GaAs 에피층의 RHEED 패턴은 ($2{\times}4$) 구조를 가지고 있었다. Ga 빔을 증착하여 세척한 Si 기판 위에 성장된 GaAs 에피층이 가장 좋은 결정성을 가지고 있었다.
분자선에피를 이용한 $In_{0.2}Ga_{0.8}N/GaN$ 이종접합 구조의 에피성장에 미치는 플라즈마의 rf전력의 영향에 대해 고찰하였다. 플라즈마를 발생시키는 rf 전력과 플라즈마 챔버압력의 조건에 따라 성장표면에 도달하는 분자나 원자의 에너지와 flux가 조절되어 에피성장 속도와 물질적 특성을 변화시킨다. 전력이 너무 낮거나 높은 조건에서 표면거칠기와 광특성이 각각 저하된 결과를 보였으며, 적정한 전력인 400W에서 성장한 $In_{0.2}Ga_{0.8}N/GaN$이 종접합 구조에서 날카로운 계면과 강한 photoluminescence 피크를 보였다. 이러한 현상에 대한 원인으로 고에너지 입자들이 성장표면에서 작용하는 기구들인 플라즈마에 의한 탈착과 표면확산, 성장표면의 하부에 주입되는 결함의 발생에 대하여 논하였다.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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