• 제목/요약/키워드: asymmetric channel

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PERISTALTIC PUMPING OF AN ELLIS FLUID IN AN INCLINED ASYMMETRIC CHANNEL

  • A. SMALL;P. NAGARANI;M. NARAHARI
    • Journal of applied mathematics & informatics
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    • 제41권1호
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    • pp.51-70
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    • 2023
  • The flow of an incompressible Ellis fluid in an inclined asymmetric channel, driven by peristaltic waves was studied under low Reynolds number and long wavelength assumptions. The wave on each side of the channel are assumed to be an infinite train of sinusoidal waves, both having the same constant wave speed and wavelength however, they vary in wave amplitude, channel half width and phase angle. We derived expressions for the axial and transverse velocities, volume flow rate, pressure rise per unit wavelength and streamlines. The effects of varying the wave amplitudes, the phase angle, the channel width, the angle of inclination of the channel as well as the fluid parameters on the flow were analyzed. Trapping conditions were determined and the presence of reflux highlighted using the streamlines for the necessary channel and fluid conditions. By varying the fluid parameters, changes in the fluid that deviated from the Newtonian case resulted in a reduction in the axial velocity in the neighborhood of the center of the channel and a simultaneous increase in the velocity at the periphery of the channel. A nonlinear relation was observed with the pressure rise and the volume flow rate. This nonlinear relation is more pronounced with an increase in the absolute value of the volume flow rate. For Newtonian fluids a linear relation exists between these two variables. The fluid parameters had little effects on the streamlines. However, variations of the wave amplitudes, volume flow, channel width and phase angle had greater effects on the streamlines and hence the trapped region.

UTRA TDD 시스템에서 멀티미디어 트래픽의 동적 채널 할당 및 채널 액세스 매커니즘 (Dynamic Channel Allocation and Channel Access Mechanism of Multimedia Traffic in the UTRA TDD Systems)

  • 주용원;윤찬영;오영환
    • 한국통신학회논문지
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    • 제27권8C호
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    • pp.819-827
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    • 2002
  • 개인 휴대 이동통신은 1세대인 아날로그 셀룰러에서 2세대인 디지털 셀룰러 그리고 2.5세대인 PCS를 거쳐 3세대 이동통신 시스템인 IMT-2000으로 발전되어 왔다. 3세대 이전의 이동통신은 음성 위주의 서비스를 고려한 시스템이었으나 그 이후의 이동통신 시스템에서는 멀티미디어 서비스가 핵심 사안으로 부각될 것이다. 현재 음성 트래픽 위주로 고려된 이동통신 시스템에서의 자원 할당 알고리즘은 멀티미디어 트래픽을 지원함에 있어서 트래픽의 성향을 고려하지 못하는 즉, 무선자원을 동적으로 할당해 주지 못하는 문제점을 안고 있다. 본 논문에서는 UTRA TDD 시스템에서 비대칭 트래픽 성항과 멀티미디어 트래픽을 고려한 동적 자원 할당 알고리즘을 제안하였다. 제안한 알고리즘은 셀 내에서의 트래픽 성향을 파악하여 자원 할당 상태 리스트에 따라 각 셀 내에서의 상향, 하향 링크의 스위칭 포인트를 결정하는 동적 채널 할당 방법과 그로 인해 상향, 하향 스위칭 포인트가 결정된 후 셀에서 발생한 베어러 서비스가 RU(Resource Unit)를 액세스하는 채널 액세스 메커니즘으로 세분화된다. 모의실험 결과 제안한 알고리즘은 비대칭적인 트래픽 성향을 지원할 수 있으며 멀티미디어 트래픽에 대하여 동시 접속 가능한 사용자수와 평균 지연 시간에 있어서 좋은 성능을 나타냄을 알 수 있었다.

비대칭 이중게이트 MOSFET의 하단게이트 전압에 따른 문턱전압이동현상 (Threshold Voltage Roll-off for Bottom Gate Voltage of Asymmetric Double Gate MOSFET)

  • 정학기
    • 한국정보통신학회:학술대회논문집
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    • 한국정보통신학회 2014년도 춘계학술대회
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    • pp.741-744
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    • 2014
  • 본 연구에서는 비대칭 이중게이트(double gate; DG) MOSFET의 하단 게이트전압에 대한 문턱전압이동 현상에 대하여 분석하였다. 비대칭 DGMOSFET는 4단자소자로서 상단과 하단의 게이트단자에 별도의 전압을 인가할 수 있으므로 하단게이트전압의 변화가 문턱전압에 영향을 미칠 것이다. 그러므로 단채널효과로 알려져 있는 문턱전압이동현상이 하단게이트전압에 의하여 감소할 수 있는지를 관찰하고자 한다. 이를 위하여 문턱전압 이하영역에서의 차단전류모델을 제시하였으며 차단전류가 채널폭 당 $10^{-7}A/{\mu}m$일 경우의 상단게이트 전압을 문턱전압으로 정의하여 채널길이 및 채널두께의 변화에 따라 하단게이트 전압의 변화에 대한 문턱전압의 이동현상을 관찰하였다. 결과적으로 하단게이트전압은 문턱전압이동현상에 커다란 영향을 미치는 것을 알 수 있었으며, 특히 단채널효과가 심각하게 발생하고 있는 채널길이 및 채널두께 영역에서는 더욱 큰 영향을 미치고 있다는 것을 알 수 있었다.

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채널 내를 비행하는 가변스팬 날개 공력특성 II (비대칭 날개 펼침) (Aerodynamic Characteristics of a Variable-Span Wing Flying Inside a Channel II (Effect of Asymmetric Wing Extensions))

  • 한철희
    • 항공우주시스템공학회지
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    • 제10권3호
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    • pp.39-43
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    • 2016
  • In this paper, a wind-tunnel test is accomplished to investigate the roll characteristics of a variable-span wing flying inside a channel. The factors that affect the roll characteristics of the wing were identified by analyzing the measured data; accordingly, when the wing is flying without both the ground and sidewall effects, the asymmetric wing extension causes the roll moment. Both the ground and the sidewall can increase the roll moment, but when the wing is affected by both the ground and the sidewall, the roll moment does not increase as much as the case where the wing is only affected by the ground. Also, the aerodynamic characteristics of the flying wing inside a channel are the nonlinear function of the wing height and the gap between the wingtip and the sidewall, both of which should be considered in a study of the stability and the flight control of the wing-in-ground effect of the vehicle flying inside a channel.

불균형적 상호의존성과 갈등간 비선형적 관계에 대한 연구 (A Study on the Non-linear Relationship between Asymmetric Interdependence and Conflict)

  • 김종근;김재욱
    • 한국유통학회지:유통연구
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    • 제10권2호
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    • pp.49-72
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    • 2005
  • 상호의존성은 유통경로상에 존재하는 기본적 특성으로서 오랫동안 유통분야에서 관련연구들이 활발하게 진행되어 왔다. 특히 갈등은 유통경로상의 거래관계를 특징짓는 주요 특성으로서 상호의존성과 갈등 간 관계를 규명하는 것은 의미하는 바가 크다. 그러나 사회학 분야에서는 상호의존성과 갈등 간 관계를 설명하는 상반된 이론이 존재하며, 마케팅 분야에서도 상호의존성과 갈등 간 관계에 대해서 상반된 연구결과가 제시되었다. 이에 본 연구에서는 상호의존성과 갈등 간 관계에 대해 대립된 설명을 하고 있는 쌍무적 억제이론과 갈등나선형이론 등의 사회학 이론을 활용하여 붙균형적 상호의존성과 갈등간 비선형적 관계를 제안하고, 이를 위해 소방관련 전문공사업체들과 공급업체들로부터 설문데이타를 수집하여 불균형적 상호의존성과 갈등간 역U형태의 관계가 있음을 증명하고자 한다. 분석결과 구매업체집단과 공급업체집단 모두에서 상호의존성의 총합이 높을 때 불균형적 상호의전성과 갈등간 비선형적 관계가 통제적으로 유의미하게 도출되었다. 마지막으로 몇 가지 학문적 시사점들과 한계점 및 향후 연구 과제를 제시하였다.

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급수함수를 이용한 비대칭 이중게이트 MOSFET의 전위분포 분석 (Analysis for Potentail Distribution of Asymmetric Double Gate MOSFET Using Series Function)

  • 정학기
    • 한국정보통신학회논문지
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    • 제17권11호
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    • pp.2621-2626
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    • 2013
  • 비대칭 이중게이트 MOSFET의 전위분포에 대하여 고찰하였으며 이를 위하여 포아송방정식의 해석학적 해를 구하였다. 대칭 DGMOSFET는 3단자 소자로서 상하단의 게이트단자가 상호 연결되어 있어 상하단 동일한 제어능력을 가지고 있으나 비대칭 DGMOSFET 소자는 4단자 소자로서 상하단 게이트단자의 전류제어능력을 각각 설정할 수 있다는 장점이 있다. 전위분포를 구할 때 포아송방정식을 이용하였으며 도핑분포함수에 가우시안 함수를 적용함으로써 보다 실험값에 근사하게 해석하였다. 비대칭 이중게이트 MOSFET의 게이트 단자전압 및 게이트 산화막 두께 그리고 채널도핑의 변화에 따라 전위분포의 변화를 관찰하였다. 비대칭 DGMOSFET의 전위분포를 관찰한 결과, 게이트단자 전압 및 게이트 산화막 두께 등에 따라 전위분포는 크게 변화하는 것을 알 수 있었다. 특히 게이트 산화막 두께가 증가하는 단자에서 전위분포의 변화가 더욱 크게 나타나고 있었으며 채널도핑이 증가하면 드레인 측보다 소스 측 전위분포가 크게 변화하는 것을 알 수 있었다.

비대칭 이중게이트 MOSFET의 전위분포 분석 (Analysis for Potential Distribution of Asymmetric Double Gate MOSFET)

  • 정학기;이종인
    • 한국정보통신학회:학술대회논문집
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    • 한국정보통신학회 2013년도 추계학술대회
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    • pp.691-694
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    • 2013
  • 비대칭 이중게이트 MOSFET의 전위분포에 대하여 고찰하였으며 이를 위하여 포아송방정식의 해석학적 해를 구하였다. 대칭 DGMOSFET는 3단자 소자로서 상하단의 게이트단자가 상호 연결되어 있어 상하단 동일한 제어능력을 가지고 있으나 비대칭 DGMOSFET 소자는 4단자 소자로서 상하단 게이트단자의 전류제어능력을 각각 설정할 수 있다는 장점이 있다. 전위분포를 구할 때 포아송방정식을 이용하였으며 전하분포함수에 가우시안 함수를 적용함으로써 보다 실험값에 근사하게 해석하였다. 비대칭 이중게이트 MOSFET의 게이트 단자전압 및 게이트 산화막 두께 그리고 채널도핑의 변화에 따라 전위분포의 변화를 관찰하였다. 비대칭 DGMOSFET의 전위분포를 관찰한 결과, 게이트단자 전압 및 게이트 산화막 두께 등에 따라 전위분포는 크게 변화하는 것을 알 수 있었다. 특히 게이트 산화막 두께가 증가하는 단자에서 전위분포의 변화가 더욱 크게 나타나고 있었으며 채널도핑이 증가하면 드레인 측보다 소스 측 전위분포가 크게 변화하는 것을 알 수 있었다.

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이중게이트 MOSFET의 대칭 및 비대칭 산화막 구조에 대한 문턱전압 분석 (Analysis of Threshold Voltage for Symmetric and Asymmetric Oxide Structure of Double Gate MOSFET)

  • 정학기
    • 한국정보통신학회논문지
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    • 제18권12호
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    • pp.2939-2945
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    • 2014
  • 본 연구에서는 대칭 및 비대칭 산화막 구조를 가진 이중게이트(double gate; DG) MOSFET의 문턱전압 변화에 대하여 분석하였다. 상하단 동일한 산화막 두께을 갖는 대칭 DGMOSFET와 달리 비대칭 DGMOSFET는 상하단 게이트 산화막 두께를 다르게 제작할 수 있다. 그러므로 비대칭 DGMOSFET에서 상단과 하단게이트 산화막 두께의 크기 변화에 따라 대칭 DGMOSFET와 문턱전압을 비교하여 상하단 게이트 산화막 두께의 최적값에 대하여 고찰하고자 한다. 문턱전압을 구하기 위하여 포아송방정식에서 해석학적 전위분포모델을 유도하였으며 도핑분포함수는 가우스분포함수를 사용하였다. 문턱전압 모델을 이용하여 하단게이트 전압, 채널길이 및 채널두께 등에 따라 상하단게이트 산화막 두께가 문턱전압에 미치는 영향을 관찰하였다. 결과적으로 문턱전압은 상하단 게이트 산화막 두께에 따라 크게 변화하였으며 변화하는 경향은 하단게이트 전압, 채널길이 그리고 채널두께에 따라 매우 상이하게 나타나고 있다는 것을 알 수 있었다.

비대칭 신호점에 의한 부호화된 16-QAM의 이동 무선 채널에서의 BER 성능 개선에 관한 연구 (An Improvement of BER Performance for Coded 16-QAM over Mobile Communication Channel by Asymmetric Signal Constellation)

  • 김태헌;하덕호
    • 한국전자파학회논문지
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    • 제8권2호
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    • pp.197-206
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    • 1997
  • 본 논문에서는 페이딩 채널에서 16-QAM 통신 방식의 BER을 개선하는 방법을 제안하고자 한다. 페이딩에 의한 BER 성능 열화를 극복하기위하여 대역폭 확장없이 우수한 코딩 이득을 얻을 수 있는 트렐리스 부호 변조방식을 16-QAM에 적용하였다. 또한 이동통신 환경의 주요 성능 열화 요인인 연집오류를 극복하기위해 인터리빙/디인터리빙기법을 연구되고 있는 시스템에 적용하였다. 특히, 비대칭적 신호점 분포를 적용하여 컴퓨터 시뮬레이션한 결과 $10^{-4}$ 근처에서 약 1dB의 성능 개선을 가져왔다.

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고밀도 비선형 광 저장장치를 위한 새로운 부분응답 최대유사도 신호 검출 기술 (PRML Detection for Asymmetric High-density Optical Storage System)

  • 이규석;이재진
    • 한국통신학회논문지
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    • 제31권10C호
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    • pp.927-932
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    • 2006
  • 본 논문은 고밀도 광 기록 저장장치에서 오류의 주 원인이 되는 tangential tilt의 문제를 해결하기 위한 개선된 부분응답최대유사도 신호 검출 방법을 제안한다. 틸트의 변화에 따라 등화기 계수와 비터비 디코더의 가지 기준값을 적응적으로 갱신하여 채널의 변화에 잘 적응하도록 하였다. 채널의 변화를 감지하는 요소로 주기적으로 반복되는 데이터의 동기패턴을 이용하여 누적 평균을 취한 후 변화량에 해당되는 등화기 계수값과 비터비 디코더의 가지 기준값을 동시에 갱신한다. 제안된 방법을 적용한 결과 기존의 PRML 검출기에 비해 비트 오류율 10-6에서 최대 4dB이상 성능이 향상되는 것을 확인할 수 있었다.