• 대한화학회지
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• 제39권3호
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• pp.204-212
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• 1995

매트릭스 개선제를 이용하여 물시료중 흔적량 납의 흑연로 원자흡수 분광분석에 관하여 검토하였다. 이 때 시료의 매트릭스를 개선시킬 수 있는 개선제의 종류를 찾고 그것의 사용량을 최적화시켰다. 쉽게 휘발하는 성질을 가진 납은 개선제가 없으면 희화 및 원자화 온도가 많이 낮으며 측정되는 흡광도도 낮고, 재현성도 좋지 않다. 따라서 개선제를 사용할 필요가 있는데, 납 50 ${\mu}g/mL$ 용액에 팔라듐을 5 ng/mL되게 첨가하면 희화온도를 400$^{\circ}C$에서 1,000$^{\circ}C$로, 원자화 온도를 1800$^{\circ}C$에서 2,000$^{\circ}C$로 증가시킬 수 있었다. 또, 보조 개선제로 알루미늄을 1.5 ${\mu}g/mL$ 혼합하여 사용하면 희화온도를 150$^{\circ}C$ 더 증가시킬 수 있다. 개선제로 팔라듐을 사용했을 경우가 개선제를 사용하지 않았을 경우보다 감도를 5배 이상 증가시킬 수 있었고, 상대 표준편차도 5% 이내가 될 정도로 좋은 재현성을 나타내었다. 그리고 본 실험방법의 유용성을 알아보기 위하여 학교 폐수와 파이프 세정 작업중의 수돗물을 실제 시료로 선택하여 정량하였는데 재현성이 좋은 결과를 얻었고. 이들 시료에 일정량의 납을 첨가하여 회수율을 얻었는데 89% 이상으로 정량적이었다.

• 한국자원식물학회지
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• 제19권2호
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• pp.243-247
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• 2006

천연 갈색 염모제를 개발하기 위하여 한국자생 거북꼬리 추출물로 염색한 머리카락의 염색성 조사와 함께 세정횟수에 따른 색깔변화를 화학 염모제로 염색한 머리카락과 비교하였다. 거북꼬리 추출물로 머리카락을 염색한 결과 대조구에 비해 ${\Delta}E$값이 11이상 나타났으며, 모두 YR계열로 염색이 되었다. 매염제 처리에 따른 ${\Delta}E$ 값은 사스레피나무 회즙을 사용했을 때 15.52로 가장 크게 나타났다. 거북꼬리 추출물로 머리카락을 염색 후 세정 횟수에 따른 L값은 사스레피나무 회즙처리구에서 가장 낮았고, a, b 및 $\Delta$ 값은 사스레피나무 회즙처리구에서 가장 높게 나타났다. 염색한 머리카락을 30회 세정한 결과 L값은 화학염모제로 염색한 머리카락 보다 거북꼬리 추출물(사스레피나무 회즙 매염)로 염색한 것에서 낮게 나타났다. 염색한 머리카락의 세정횟수에 따른 a, b, 및 ${\Delta}E$값의 변화는 화학염모제로 염색한 머리카락 보다 거북꼬리 추출물(사스레피나무 회즙 매염)로 염색한 것에서 적게 나타났다. 따라서 거북꼬리 추출물은 천연 갈색 염모제로서 실용성이 있는 것으로 나타났다.

• 한국정보통신학회논문지
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• 제11권6호
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• pp.1099-1103
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• 2007

본 연구는 기존의 방식으로 만든 비정질 실리콘 박막 트랜지스터의 제조공정에서 발생되는 결함에 대한 원인을 분석하고 해결함으로써 수율을 증대시키고 신뢰성을 개선하고자한다. 본 연구의 수소화 된 비정질 실리콘 박막 트랜지스터는 Inverted Staggered 형태로 게이트 전극이 하부에 있다. 실험 방법은 게이트전극, 절연층, 전도층, 에치스토퍼 및 포토레지스터층을 연속 증착한다. 스토퍼층을 게이트 전극의 패턴으로 남기고, 그 위에 n+a-Si:H층 및 NPR(Negative Photo Resister)을 형성시킨다. 상부 게이트 전극과 반대의 패턴으로 NPR층을 패터닝 하여 그것을 마스크로 상부 n+a-Si:H 층을 식각하고, 남아있는 NPR층을 제거한다. 그 위에 Cr층을 증착한 후 패터닝하여 소오스-드레인 전극을 위한 Cr층을 형성시켜 박막 트랜지스터를 제조한다. 이렇게 제조한 박막 트랜지스터에서 생기는 문제는 주로 광식각공정시 PR의 잔존이나 세척시 얇은 화학막이 표면에 남거나 생겨서 발생되며, 이는 소자를 파괴시키는 주된 원인이 된다. 그러므로 이를 개선하기 위하여 ashing이나 세척공정을 보다 엄격하게 수행하였다. 이와 같이 공정에 보다 엄격한 기준의 세척과 여분의 처리 공정을 가하여 수율을 확실히 개선 할 수 있었다.

• 전기의세계
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• 제34권8호
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• pp.470-475
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• 1985

우주물질의 대부분이 플라즈마 상태에 있지마는 지구상에서는 천둥이 칠 때 생기는 방전이나 극지방에서 볼 수 있는 오로라와 같이 극히 일부분이 자연상태의 프라즈마로 존재한다. 지금까지 플라즈마의 이용은 그것이 내는 밝은 빛을 이용한 조명이나, 높은 열을 이용한 용접이나 절단이 고작이었으나, 최근에 들어 초고온, 고밀도 플라즈마를 이용한 핵융합 에너지 연구나 Free Electron Laser나 Gyrotron과 같이 새로운 Radiation Source로써 종래의 Source가 만들지 못하던 주파수 영역이나 Glow Discharge에서 생기는 저온 Plasma를 이용한 Plasma Etching PECVD(Plasma Enhanced CHemical Vapor Deposition), Plasma Ashing, Sputtering등은 VLSI의 제조에 필요불가결한 공정의 일부분이 되고 있다. 앞으로 수회에 걸쳐 본 기술해설란을 통하여 이들 Plasma의 이용 기술을 소개하고자 하며 본회에서는 그중에서 Plasma Etching에 대해서 그 원리와 기술상의 특징을 살펴보고자 한다.

• 분석과학
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• 제12권5호
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• pp.355-359
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• 1999

뇨중 미량 카드뮴 분석에 흑연로 장치가 부착된 원자흡수분광광도계(GFAAS)를 사용하였다. 불꽃분광법에서 시료는 회화하여 Na-DDTC로 착물을 형성한 후 MIBK로 추출하였으며, 비불꽃분광법에서는 1% Triton X-100과 1% $HNO_3$으로 5배 희석시킨 후 $Pd(NO_3)_2$를 매트릭스 개선제로 농도를 변화시키면서 회화 온도 $450-750^{\circ}C$에서 pyrocoated 흑연 튜브를 사용하여 분석하였다. 그 결과 불꽃분광법보다는 비불꽃분광법이 전처리가 간단하고 재현성있게 나타났으며, 비불꽃분광법을 이용한 경우 $Pd(NO_3)_2$ 100 mg/L을 사용하여 회화온도 $550^{\circ}C$에서 분석시 가장 높은 흡광도를 나타냈다. 본 분석법을 표준뇨인 Lononorm-Metalle 3 중의 카드뮴 분석에 적용하였다.

• 한국환경농학회지
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• 제14권3호
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• pp.338-344
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• 1995

현미중 카드뮴의 분석을 위한 보다 효율적인 방법을 찾기 위해 현미중 카드뮴의 공정시험방법을 표준으로 수종의 습식 및 건식방법에 대해 카드뮴의 회수율, 표준편차 및 표준방법과의 상관성등을 비교, 검토한 결과 현미 시료량 50g, 회화온도 $600^{\circ}C$의 건식방법은 회수율이 79.6%로 표준분석방법(87.2%)을 제외한 타 분석방법보다 높고, 표준편차도 평균${\pm}2.6$으로 표준분석방법의 평균+6.4 보다 약간 작았으며, 표준분석방법으로 분석된 카드뮴함량과의 상관성($r=0.977^{\ast\ast}$)도 크게 높아 본 방법은 습식으로 분해하는 현행 수질오염 공정시험 방법과 함께 현미중 카드뮴 분석방법으로 사용하여도 좋을 것으로 판단된다.

• 한국진공학회지
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• 제6권2호
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• pp.103-108
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• 1997

본 연구에서는 2단계 실리콘 건식식각 공정과 게이트 절연막으로 열산화막과 tetraethylorthosilicate(TEOS) 산화막의 이중막을 사용하고, 스핀-온-그래스 (Spin-on-glass:SOG) 에치백(etch-back) 공정에 의하여 게이트를 제작하는 새로운 방법을 통하여 실리콘 전계방출소자를 제작하고 그 특성을 분석하였다. 게이트 절연막의 누설전류 를 감소시키면서 팁과 게이트의 간격을 줄이는 구조인 이중 게이트 절연막을 형성하기 위하 여 팁 첨예화 산화 공정후 낮은 점도의 감광막(photo resist)을 시료에 도포한 후, $O_2$ 플라 즈마 에싱(ashing)하는 공정을 채택하였다. 이러한 공정으로 제작된 에미터 팁의 높이와 팁 반경은 각각 1.1$\mu\textrm{m}$와 100$\AA$정도이었으며, 256개 팁 어레이에서 전계방출의 문턱전압은 40V 이하이었다. 60V의 게이트전압에서 23$\mu\textrm{A}$(즉, 90nA/팁)의 높은 아노드 전류를 얻을 수 있었 다. 이때, 게이트 전류는 아노드전류의 약0.1%이하였다. 개발된 공정기술로 게이트 개구도 크게 감소시켰을 뿐 아니라, 게이트 누설전류를 현저히 감소시켰다.

• 한국정보통신학회:학술대회논문집
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• 한국해양정보통신학회 2007년도 춘계종합학술대회
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• pp.507-509
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• 2007

본 연구는 기존의 방식으로 만든 비정질 실리콘 박막 트랜지스터의 제조공정에서 발생되는 결함에 대한 원인을 분석하고 해결함으로써 수율을 증대시키고 신뢰성을 개선하고자한다. 본 연구의 수소화 된 비정질 실리콘 박막 트랜지스터는 Inverted Staggered 형태로 게이트 전극이 하부에 있다. 실험 방법은 게이트전극, 절연층, 전도층, 에치스토퍼 및 포토레지스터층을 연속 증착한다. 스토퍼층을 게이트 전극의 패턴으로 남기고, 그 위에 $n^+a-Si:H$ 층 및 NPR(Negative Photo Resister)을 형성시킨다. 상부 게이트 전극과 반대의 패턴으로 NPR층을 패터닝하여 그것을 마스크로 상부 $n^+a-Si:H$ 층을 식각하고, 남아있는 NPR층을 제거한다. 그 위에 Cr층을 증착한 후 패터닝하여 소오스-드레인 전극을 위한 Cr층을 형성시켜 박막 트랜지스터를 제조한다. 이렇게 제조한 박막 트랜지스터에서 생기는 문제는 주로 광식각공정시 PR의 잔존이나 세척 시 얇은 화학막이 표면에 남거나 생겨서 발생되며, 이는 소자를 파괴시키는 주된 원인이 된다. 그러므로 이를 개선하기 위하여 ashing 이나 세척공정을 보다 엄격하게 수행하였다. 이와 같이 공정에 보다 엄격한 기준의 세척과 여분의 처리공정을 가하여 수율을 확실히 개선 할 수 있었다.

• Tribology and Lubricants
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• 제19권5호
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• pp.280-284
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• 2003

High performance characteristics are required for rolling bearings and the various functions of bearing are greatly influenced by grease. Recently, higher performance is being demanded of rolling bearing greases for bearing lubrication. Four special greases with different composition such as lithium soap/ester oil, urea/ester oil, urea/ether oil and PTFE/fluorine oil were synthesized to compare the performance of these greases with that of the conventional lithium soap/mineral oil grease. The grease properties were investigated using a series of typical grease testing methods and grease life test. After the life test, the greases were charaterized by FTIR analysis and a microscope. And the iron amount in the greases was analyzed by AAS after ashing. The composition and manufacturing process determined the grease performance. The grease with a base oil of synthetic oil showed higher performance and the urea/ester oil and PTFE/fluorine oil showed about three times longer life as compared with conventional lithium grease.

• 대한기계학회논문집A
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• 제31권1호
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• pp.50-54
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• 2007

Nickel nano and microstructures are fabricated with simple process. The fabrication process consists of nickel deposition, lithography, nickel ion etching and plasma ashing. Well-aligned nickel nanowalls and nickel self-encapsulated microchannels were fabricated. We found that the ion etching condition as a key fabrication process of nickel nanowalls and self-encapsulated microchannels, i.e., 40 sccm Ar flow, 550 W RF power, 15 mTorr working pressure, and $20^{\circ}C$ water cooled platen without using He backside cooling unit and with using it, respectively. We present the experimental results and discuss the formational conditions and the effect of nickel redeposition on the fabrication of nickel nano and microstructures.