• 한국세라믹학회지
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• 제39권3호
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• pp.233-239
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• 2002

CRT의 전면에 전자파차폐, 정전기 방지 및 저반사 효과를 위해 코팅되는 $SiO_2$/ITO (Indium Tin Oxide) 이층박막의 반사특성에 관하여 연구하였다. 실리카층 및 ITO층의 두께를 변화시키며 나타나는 반사율의 경향을 고찰하고, 이론적인 2층, 3층 저반사코팅의 디자인에 적용시켜 보았다. 입자 상으로 코팅된 ITO는 두께가 증가할수록 기공에 의해 박막의 불균일성이 증가하면서 이론적인 반사모델과의 차이가 커졌다. 실리카와 ITO의 계면에 존재하는 혼합층의 영향으로 인하여 실제측정반사율은 2층으로 디자인한 이론반사율보다 $SiO_2$/$SiO_2$+ITO/ITO의 3층으로 디자인한 반사모델에 보다 잘 적용되었다. 이론적인 저반사 디자인은 근거로 $SiO_2$/ITO 박막의 두께를 90, 65 nm로 조절한 이층막은 기준파장에서 2.5%의 반사율을 나타내었고, 가시광선 영역에서 이론반사율과 유사한 거동을 보였다.

• 한국광학회:학술대회논문집
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• 한국광학회 1999년도 제16회 광학 및 양자전자 학술발표회Proceedings of 16th Optics and Quantum Electronics Conference, 1999
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• pp.224-225
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• 1999

• 한국태양에너지학회:학술대회논문집
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• 한국태양에너지학회 2012년도 춘계학술발표대회 논문집
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• pp.237-242
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• 2012

At present, crystalline solar cells take up a significant percentage of the solar industry. The ways of increasing the efficiency of crystalline solar cell are texturing and AR(Anti-Reflection) coating, and the purpose of these technologies is to increase the amount of available light on the solar cell by reducing the reflectivity. The reflectance of crystalline silicon solar cell combined with such technologies will be able to predict using the proposed simulation in this paper. The simulation algorithm was made using MATLAB, and it is a combination of the theories of reflection in textured wafer and in anti-reflection coated wafer. The simulation results were divided into three wavelength band and were compared with actual reflectance measured by a spectrometer. The wavelength band from 300 to 380 was named ultraviolet region and the wavelength band from 380 to 780 is named visible region. Finally, the wavelength band from 780 to 1200 named infrared region. When compared with measured reflection data, the simulation results had a small error from 0.4 to 0.5[%] in visible region. The error occurred in the rest two regions is larger than visible region. The extreme error occurred the infrared region is due to internal reflection effect, but in the ultraviolet region, the rationale on reduction phenomenon of reflectance occurred in small range did not proved. If these problem will be solve, this simulation will have high reliability more than now and be able to predict the reflectance of solar cells.

• 한국정보디스플레이학회:학술대회논문집
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• 한국정보디스플레이학회 2006년도 6th International Meeting on Information Display
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• pp.1295-1298
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• 2006

Influences of anti-reflection surface treatment, radius of curvature and ambient illuminance on legibility of reflective-type displays were studied. The results showed that legibility mainly depended on the surface treatment. Better surface treatment also produced less visual fatigue after the letter-search task

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2010년도 하계학술대회 논문집
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• pp.235-235
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• 2010

The Anti-reflection coating(ARC) properties can be formed on silicon substrate using a simple electrochemical etching technique. This etching step can be improve solar cell efficiency for a solar cell manufacturing process. This paper is based on the removal of silicon atoms from the surface a layer of porous silicon(PSi). Porous silicon is form by anodization and can be obtained in an electrolyte with hydrofluoric. It have demonstrated the feasibility of a very efficient porous Si layer, prepared by a simple, cost effective, electrochemical etching method. We expect our research can results approaching to lower than 10% of reflectance by optimization of process parametaer.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2014년도 제46회 동계 정기학술대회 초록집
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• pp.349-349
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• 2014

ITO는 결정질 실리콘 태양전지의 anti-reflection coating (ARC) 층으로써 적합한 물질이다. ARC layer로써 구조적, 전기적 그리고 광학적 최적 조건의 특성을 얻기 위해는 높은 figure of merit(FOM)를 가져야 하고 결정방향 제어를 해야 한다. 본 연구에서는 결정질 실리콘 태양전지에 가장 적합한 ITO ARC layer의 특성 찾기 위해 Radio frequency magnetron sputter를 이용하여 공정 조건가변 실험을 진행 하였으며 높은 FOM을 갖는 ITO 반사방지막을 shallow emitter형 결정질 실리콘 태양전지에 적용하였으며 ITO 박막은 shallow emitter층과 완벽한 ohmic 접합을 이루었다. ITO ARC layer를 적용한 Shallow emitter형 태양전지는 81.59%의 fill factor와 $35.52mA/cm^2$의 단락전류를 보이며 17.27%의 광변환 효율을 보였다.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2012년도 제42회 동계 정기 학술대회 초록집
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• pp.600-600
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• 2012

실리콘 이종접합 태양전지는 diffused dopant를 이용하여 high conductivity의 emitter를 가지는 기존의 crystalline silicon 태양전지와는 다르게 a-Si:H를 이용한 low conductivity emitter 때문에 TCO를 front electrode 및 anti-reflection layer로 사용한다. 하지만 TCO와 emitter사이의 work function mismatch에 의한 band-offset이 발생하고 photo-generation된 carrier의 injection을 막아 효율 상승을 제한하게 된다. 본 연구는 산소 반응성 스퍼터링을 통한 front TCO의 일함수 변경과 이에 따른 TCO와 emitter 계면에 존재하는 band-offset 변화에 대하여 분석하였다. 특히 산소 분압에 따른 front TCO의 일함수 변화에 따라 개방전압 및 단락전류 변화가 두드러지게 나타났으며, 직렬저항 성분 변화에 따른 충진률 변화에 따른 효율상승을 얻을 수 있었다.

• 한국표면공학회:학술대회논문집
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• 한국표면공학회 2011년도 춘계학술대회 및 Fine pattern PCB 표면 처리 기술 워크샵
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• pp.172-173
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• 2011

실리콘 태양전지의 공정의 단순화와 효율을 극대화시키기 위하여 전기화학적 방법을 통하여 반사방지막(Anti-Reflection layer)의 선택적 식각공정과 선택적 오믹 전극을 형성하였다. Anti-Reflection coating 층의 식각 공정은 종전의 사진공정을 이용하지 않는 전기-화학적 나노식각을 적용하여 보다 용이한 공정을 연구하였다. 또한 태양전지의 효율을 증대시키기 위하여 전면에서 받은 빛 에너지로 발생된 전자가 전극부분에서 회로로 이동하기 위해 더욱 낮은 저항 값을 가지는 전극 구조가 필요하다. 이를 위해 Ni-P 박막을 형성시킨 전극부분을 열처리함으로써 오믹 접합 특성을 향상시켜 접촉 저항을 현격히 낮출 수 있는 기술을 연구하였다.

• 한국산학기술학회논문지
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• 제1권1호
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• pp.33-36
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• 2000

대형 진공증착기내에 대형 피코팅물 고정대를 방사형으로 배치고 대용량의 피코팅물이 균일하게 코팅되도록 공전과 자전을 병행하도록 하여, 1회 진공으로 피코팅물의 양면을 동시에 코팅하므로 증착시간을 절약하고 전력소비를 줄일 수 있으며 대기중 이물질에 의한 오염방지를 할 수 있었다. 내부에 이중 전자빔을 설치하여 자동 다층막 증착이 가능하며, 유효증착면적을 크게 할 수 있었다. 이런 장치를 이용하여 증착 시간의 30% 단축, 작업 생산성 50% 향상과 아울러 증착막의 전도막 특성도 향상되었으며 증착막의 균일도도 향상되었다. 증착막의 광학적 특성인 반사방지 투과율 특성도 향상되었다.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2006년도 하계학술대회 논문집 Vol.7
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• pp.152-153
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• 2006

본 연구에서는 태양전지 표면에 입사된 광자의 반사손실을 최소화하기 위한 방법으로써 기판 표면에 다공성 실리콘층을 이용한 반사방지막 (Anti-Reflection Coating, ARC)을 형성하는 실험을 하였다. 다공성 실리콘(Porous silicon, PSi)은 실온에서 일정 비율로 만든 전해질 용액($HF-C_2H_5OH-H_2O$)을 사용하여 실리콘 표면을 양극산화처리 함으로써 단순 공정만으로 실리콘 기판의 반사율을 높일 수 있다. 또한 새로운 레이어(layer)없이 기존 기판을 식각시켜 만들기 때문에 박막형 태양전지를 제작시 적용이 용이하다. 저비용, 단순공정의 이점을 살려 전류밀도에 따른 PSi의 반사방지막으로써의 특성을 비교 분석하였다.