• 한국정보처리학회:학술대회논문집
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• 한국정보처리학회 2011년도 추계학술발표대회
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• pp.1174-1176
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• 2011

Unfortunately, the number of blind people increases every 5 seconds in our world. An extensive research was made on improving the conventional walking cane and developing a microcontroller based walking stick for the blind with sensors and a feedback in form of vibration. Two different kinds of sensors are used to detect obstacles, ultrasonic and infrared distance sensors. The signal from an ultrasonic sensor is fed to a microcontroller. With the help of the supporting software, the Pulse Width Modulation (PWM) principle is extensively used to form three zones and run the corresponding vibration motor at different spends according to how far the detected object is located. The other infrared distance sensors are connected to amplifiers and after that to their corresponding vibration motors through motor drivers. The vibration motors are to be located around the user's arm to notify the blind of the obstacles in the intended walking way. It can be very reliable and sufficient device guiding the blind other than the conventional walking cane which has many drawbacks which will be explained and discussed.

• 한국음향학회지
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• 제26권5호
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• pp.188-193
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• 2007

일반적으로 현재 사용하고 있는 홈시어터를 구성하기 위해서는 5.1 채널 이상의 아날로그 앰프를 주로 사용한다. 그러나 고성능의 시스템을 구성하기 위해서는 스피커의 출력이나 효율을 고려하여 음향 신호 처리를 디지털로 하는 것이 유리하다. 특히 음향을 효과적으로 분리하기 위해서는 7.1채널의 사용이 필요하다. 본 논문에서는 홈시어터 스피커를 위한 S/PDIF 7.1 채널 디지털 앰프의 구조를 연구하고 설계하였다. S/PDIF 7.1 채널 디지털 앰프는 노이즈에 강하고 S/PDIF를 사용하여 디지털 데이터를 직접 입력받아서 처리하기 때문에 디지털 원음의 손실이 적은 우수한 성능을 보여주고 있다.

• ETRI Journal
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• 제46권3호
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• pp.550-563
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• 2024

A novel inductance simulation circuit employing only two dual-output voltage-differencing buffered amplifiers (DO-VDBAs) and a single capacitance (grounded) is proposed in this paper. The reported configuration is a purely resistor-less realization that provides electronically controllable realized inductance through biasing quantities of DO-VDBAs and does not rely on any constraints related to matched values of parameters. This structure exhibits excellent behavior under the influence of tracking errors in DO-VDBAs and does not exhibit instability at high frequencies. The simple and compact metal-oxide semiconductor (MOS) implementation of the DO-VDBAs (eight MOS per DO-VDBA) and adoption of grounded capacitance make the proposed circuit suitable for on-chip realization from the perspective of chip area consumption. The function of the pure grounded inductance is validated through high pass/bandpass filtering applications. To test the proposed design, simulations were performed in the PSPICE environment. Experimental validation was also conducted using the integrated circuit CA3080 and operational amplifier LF-356.

• 대한전자공학회논문지SD
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• 제41권9호
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• pp.25-30
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• 2004

본 논문에서는 0.1㎛ InGaAs/InAlAs/GaAs Metamorphic HEMT (High Electron Mobility Transistor)를 이용하여 100 GHz 대역의 MIMIC(Millimeter-wave Monolithic Integrated Circuit) 증폭기를 설계 및 제작하였다. MIMIC 증폭기의 제작을 위해 Metamorphic HEMT(MHEMT)를 설계 및 제작하였으며, 제작된 MHEMT의 드레인 전류 밀도는 640 mA/mm 최대 전달컨덕턴스(Gm)는 653 mS/mm를 얻었으며, RF 특성으로 fT는 173 GHz, fmax는 271 GHz의 양호한 성능을 나타내었다. 100 GHz MIMIC 증폭기의 개발을 위해 MHEMT의 소신호 모델과 CPW 라이브러리를 구축하였으며, 이를 이용하여 MIMIC 증폭기를 설계하였다. 설계된 증폭기는 본 연구에서 개발된 MHEMT MIMIC 공정을 이용해 제작되었으며, 100 GHz MIMIC 증폭기의 측정결과, 100 GHz에서 10.1 dB 및 97.8 Gllz에서 12.74 dB의 양호한 S21 이득 특성을 나타내었다.

• 대한전자공학회논문지TC
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• 제43권5호
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• pp.128-136
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• 2006

본 논문에서는 3GPP 중계기 및 기지국용 50W급 Doherty 전력증폭기를 설계 및 제작하였다. 이상적인 Doherty 전력증폭기는 효율개선과 고출력 특성이 뛰어나지만 이를 구현하기 위해서는 바이어스 조절이 어렵다. 이를 해결하고자 기존의 Gate 바이어스 조절회로를 가진 Doherty(GDCHD) 전력증폭기에 Drain 바이어스 조절회로를 첨가한 GDCHD(Gate and Drain Control Hybrid Doherty) 전력증폭기를 구현하였다. 실험결과 3GPP 동작주파수 대역인 $2.11{\sim}2.17\;GHz$에서 이득이 57.03 dB이고, PEP 출력이 50.30 dBm, W-CDMA 평균전력 47.01 dBm, 5MHz offset 주파수대역에서 -40.45 dBc의 ACLR 특성을 가졌으며, 각각의 파라미터는 설계하고자 하는 증폭기의 사양을 만족하였다. 특히 GDCHD 전력증폭기는 일반적인 Doherty 전력증폭기에 비해 ACLR에 따른 효율 개선성능이 우수하였다.

• 전자공학회논문지
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• 제50권4호
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• pp.43-51
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• 2013

디지털 보청기에 적합한 저전력 3차 델타-시그마 모듈레이터를 설계하였다. 적분기의 출력 스윙을 최소화 하도록 모듈레이터 구조의 계수를 최적화하고, AB급 출력단을 갖는 2단 연산증폭기와 switched-capacitor 구조를 사용하여 전력소모를 최소화 하였다. 본 모듈레이터는 130nm CMOS 공정을 이용하여 제작되었으며, 샘플링 주파수가 3.2MHz일 때 100Hz-10kHz의 신호대역에서 79dB의 SNR(Signal-to-Noise Ratio)이 측정되었다. 전력소모는 1.2V 전원전압에서 $60{\mu}W$에 불과하며 A/D 변환기 코어의 크기는 $0.53mm{\times}0.53mm$ 이다.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2016년도 제50회 동계 정기학술대회 초록집
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• pp.159-159
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• 2016

Vertically-aligned carbon nanotubes (VCNT) have attracted much attention due to their unique structural, mechanical and electronic properties, and possess many advantages for a wide range of multifunctional applications such as field emission displays, heat dissipation and potential energy conversion devices. Surface modification of the VCNT plays a fundamental role to meet specific demands for the applications and control their surface property. Recent studies have been focused on the improvement of the electron emission property and the structural modification of CNTs to enable the mass fabrication, since the VCNT considered as an ideal candidate for various field emission applications such as lamps and flat panel display devices, X-ray tubes, vacuum gauges, and microwave amplifiers. Here, we investigate the effect of surface morphology of the VCNT by water vapor exposure and coating materials on field emission property. VCNT with various height were prepared by thermal chemical vapor deposition: short-length around $200{\mu}m$, medium-length around $500{\mu}m$, and long-length around 1 mm. The surface morphology is modified by water vapor exposure by adjusting exposure time and temperature with ranges from 2 to 10 min and from 60 to 120oC, respectively. Thin films of SiO2 and W are coated on the structure-modified VCNT to confirm the effect of coated materials on field emission properties. As a result, the surface morphology of VCNT dramatically changes with increasing temperature and exposure time. Especially, the shorter VCNT change their surface morphology most rapidly. The difference of field emission property depending on the coating materials is discussed from the point of work function and field concentration factor based on Fowler-Nordheim tunneling.

• 한국융합학회논문지
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• 제7권3호
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• pp.77-85
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• 2016

음향 전력 증폭기의 출력단에서 발생하는 비선형성을 보상하는 디지털 신호 처리 기술을 제안하고 그 모의실험 결과를 제시한다. 음향 전력 증폭기에 사용되는 소자에 의한 비선형성을 간접학습구조와 적응형 필터로 구성되는 디지털 신호 처리 기술로 보상한다. 적응형 필터를 사용함으로써 증폭기의 비선형 특성이 시간적으로 변하더라도 이를 적응적으로 보상할 수 있다. 모의실험 결과 전치 보상기는 3 차의 다항식으로 구현할 수 있으며 홀수차 비선형성을 효과적으로 제거할 수 있음을 보였다. 짝수 차 비선형은 출력 신호에 존재하는 직류 옵셋이 가장 큰 부분을 차지하며 이는 제안하는 기술로는 제거가 어려우므로 바이어스 회로 설계 시 유의해야 한다. 제안하는 기술은 아날로그 시스템의 본질적 특성 결함을 디지털 신호 처리 기술로서 보상할 수 있음을 보여준다.

• 스마트미디어저널
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• 제4권2호
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• pp.55-61
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• 2015

A bandwidth-enhanced ultra-wide band (UWB) CMOS balun-LNA is implemented as a part of a software defined radio (SDR) receiver which supports multi-band and multi-standard. The proposed balun-LNA is composed of a single-to-differential converter, a differential-to-single voltage summer with inductive shunt peaking, a negative feedback network, and a differential output buffer with composite common-drain (CD) and common-source (CS) amplifiers. By feeding the single-ended output of the voltage summer to the input of the LNA through a feedback network, a wideband balun-LNA exploiting negative feedback is implemented. By adopting a source follower-based inductive shunt peaking, the proposed balun-LNA achieves a wider gain bandwidth. Two LNA design examples are presented to demonstrate the usefulness of the proposed approach. The LNA I adopts the CS amplifier with a common gate common source (CGCS) balun load as the S-to-D converter for high gain and low noise figure (NF) and the LNA II uses the differential amplifier with the ac-grounded second input terminal as the S-to-D converter for high second-order input-referred intercept point (IIP2). The 3 dB gain bandwidth of the proposed balun-LNA (LNA I) is above 5 GHz and the NF is below 4 dB from 100 MHz to 5 GHz. An average power gain of 18 dB and an IIP3 of -8 ~ -2 dBm are obtained. In simulation, IIP2 of the LNA II is at least 5 dB higher than that of the LNA I with same power consumption.

• 대한전자공학회논문지SD
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• 제38권11호
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• pp.828-835
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• 2001

고정도 전류-모드 신호 처리를 위한 새로운 바이폴라 트랜스레지스턴스 증폭기(TRA)와 이것의 오프셋 보상된 TRA를 제안하였다. 두 TRA는 전류 입력을 위한 두 개의 전류 폴로워, 전류차를 얻기 위한 전류 가산기, 전류를 전압으로 변환시키기 위한 저항, 그리고 전압 출력을 위한 전압 폴로워로 구성되었다. 오프셋 보상된 TRA는 TRA의 오프셋 전압을 감소시키기 위한 다이오드 결선된 npn과 pnp 트랜지스터를 채용하였다. 시뮬레이션 결과, TRA근 입-출력 단자에서 0.5 Ω의 임피던스와 40 mV의 오프셋 전압을 갖고 있다는 것이 확인되었다. 오프셋 보상된 TRA는 1.1 mV의 오프셋 전압과 0.25 Ω의 임피던스를 갖고 있다. 두 개의 TRA를 단위-이득의 트랜스레지스턴스를 갖는 전류-전압 변환기로 이용할 때 3-dB 차단 주파수는 40 MHz이다. 제안한 두 TRA의 전력 소비는 11.25 mW이다.