AgInCd alloy is widely used as neutron absorber in nuclear reactors. However, the AgInCd control rods may fail during service due to the irradiation swelling. In the present study, a calculational method is proposed to calculate the composition change of the AgInCd absorber. Calculated results show that neutron fluence has significant impact on the chemical compositions. Ag and In contents gradually decrease while Cd and Sn conversely increases from the center to the rim of AgInCd absorber due to the depression of neutron flux. The composition change at the surface is higher almost two times than that at the center. Based on the calculated compositions, six simulated AgInCdSn alloys were prepared and examined. With the increase of Cd and Sn, the simulated AgInCdSn alloys transform from a single fcc phase into the mixed fcc and hcp phases, and finally into the single hcp phase. The atomic volume of the hcp phase is obviously larger than the fcc phase. The fcc-hcp transformation results in considerable volume swelling of the AgInCd absorber. Moreover, the lattice parameters of the fcc and hcp phases gradually increase with Cd and Sn contents, which also can induce small volume swelling.
단층형 전자파 흡수체의 흡수 성능은 입사파의 반사 손실(return loss)이 최대가 되는 두께 정합 조건 및 주파수 정합 조건에서 최적화 된다. 본 연구에서는 재료의 복소 투자율과 복소 유전율에 의존하는 전송선 이론을 적용하여 광대역 흡수체의 정합 조건을 계산하였다. 그 결과 주파수에 따른 복소 투자율 감소 특성이 두께 정합 조건을 광대역으로 확대하는 효과를 지니기 때문에 광대역 전자파 흡수체에 자성 재료가 이용될 수 있다는 것을 알 수 있었다. 따라서 향후 확대될 EMC(Electromagnetic compatibility) 규격을 대비한 차세대 광대역 전자파 흡수체를 만들기 위하여 현재 사용되고 있는 NiZn 페라이트 소결체 보다 포화 자화량이 크고 유전율 값이 작은 자성 재료들을 사용하여야 한다는 것을 보였다.
KMRR의 중성자 스펙트럼은 기존 상업로와는 달리 경화되어 있으며, 흡수체가 그 내부에 중성자 증배물질을 내포할 수 있는 원통형이기 때문에 KMRR 흡수체의 노물리 특성은 아주 다르다. 하프니움 제어흡수체의 특성을 여러가지 조건에 대하여 연구하였다. 흡수체 내부의 물질, 흡수체 두께, 흡수체 자체의 연소효과 및 주변 또는 내부의 핵연료 연소도 둥을 고려하였다. 연구된 특성으로는 중성자 흡수에 대한 에너지별, 위치별 및 동위원소별 기여도와 반응도값이 있다. 중요한 흡수체 특성을 분석결과로부터 확인하였다.
$CuInSe_2$(CIS) chalcopyrite 물질은 고효율 박막 태양전지를 위한 광흡수층의 물질로 매우 잘 알려져 있다. 최근 태양광 산업의 흐름은 안정적인 재료 개발과 가격 경쟁력 있는 태양전지를 위한 효율적인 제조 공정을 일치시키는 것이다. 저가의 CIS 광흡수층 위해 다양한 방법으로 제조를 시도하였고, 본 논문에서는 CIS 광흡수층을 저가형으로 제조를 위해 상용화되는 6 mm pieces를 사용하여 high frequency ball milling과 cryogenic milling을 이용해 CIS 나노입자를 얻었다. 그리고, CIS 광흡수층은 불활성 분위기의 glove box 안에서 milling된 나노입자를 사용하여 paste coating법으로 제조하였다. Chalcopyrite CIS 박막은 기판온도 550도에서 30분간 셀렌화 한 후 성공적으로 제조되었으며, Al/ZnO/CdS/CIS/Mo 구조의 CIS 태양전지는 evaporation, sputtering 및 chemical bath deposition(CBD) 등 다양한 증착 방법으로 각각 제조하였다. 결론적으로, 나노입자를 이용한 CIS 태양전지 전기적 변환효율은 1.74 %를 얻었으며, 개방전압(Voc)는 29 mV, 합선전류밀도(Jsc)는 35 $mA/cm^2$, 그리고 충진율(FF)은 17.2 %였다. 나노입자 CIS 광흡수층은 energy dispersive spectroscopy(EDS), x-ray diffraction(XRD) 그리고 high-resolution scanning electron microscopy(HRSEM) 등으로 특성 분석을 하였다.
Chalcogenide-based semiconductors, such as $CuInSe_2$, $CuGaSe_2$, Cu(In,Ga)$Se_2$ (CIGS), and CdTe have attracted considerable interest as efficient materials in thin film solar cells (TFSCs). Currently, CIGS and CdTe TFSCs have demonstrated the highest power conversion efficiency (PCE) of over 11% in module production. However, commercialized CIGS and CdTe TFSCs have some limitations due to the scarcity of In, Ga, and Te and the environmental issues associated with Cd and Se. Recently, kesterite CZTS, which is one of the In- and Ga- free absorber materials, has been attracted considerable attention as a new candidate for use as an absorber material in thin film solar cells. The CZTS-based absorber material has outstanding characteristics such as band gap energy of 1.0 eV to 1.5 eV, high absorption coefficient on the order of $10^4cm^{-1}$, and high theoretical conversion efficiency of 32.2% in thin film solar cells. Despite these promising characteristics, research into CZTS-based thin film solar cells is still incomprehensive and related reports are quite few compared to those for CIGS thin film solar cells, which show high efficiency of over 20%. The recent development of kesterite-based CZTS thin film solar cells is summarized in this work. The new challenges for enhanced performance in CZTS thin films are examined and prospective issues are addressed as well.
High frequency electromagnetic(EM) waves are increasingly being applied in industries because of saturationat lower frequency bands as a result of huge demand. However, electromagneticinterference (EMI) has become a serious problem, and as a result, highfrequency EM absorbers are now being extensively studied. Also, recentdevelopments in absorber technology have focused on producing absorbers thatare thin, flexible, and strong. Hence, one-dimension ferrous nano-materials area potential research field, because of their interesting electronic andmagnetic properties. Commercially, EM wave absorbing products are made ofcomposites, which blend the insulating polymer with magnetic fillers. Inparticular, the shape of the magnetic fillers, such flaky, acicular, or fibrousmagnetic metal particles, rather than spherical, is essential for synthesizingthin and lightweight EM wave absorbers with higher permeability. High aspectratio materials exhibit a higher permeability value and therefore betterabsorption of the EM wave, because of electromagnetic anisotropy. Nanowires areusually fabricated by drawing, template synthesis, phase separation, selfassembly, and electrospinning with a thermal treatment and reduction process.Producing nanowires by the electrospinning method involves a conventionalsol-gel process that is simple, unique, and cost-effective. In thispresentation, Magnetic nanowire and dielectric materials coated magneticnanowire with a high aspect ratio were successfully synthesized by theelectrospinning process with heat treatment and reduction. In addition toestimating the EM wave absorption ability of the synthesized magnetic anddielectric materials coated magnetic nanowire with a network analyzer, weinvestigated the possibility of using these nanowires as high-frequency EM waveabsorbers. Furthermore, a wide variety of topics will be discussed such as thetransparent conducting nanowire and semiconducting nanowire/tube with theelectrospinning process.
Cu2ZnSn(S,Se)4 (CZTSSe) based thin-film solar cells have attracted growing attention because of their earth-abundant and non-toxic elements. However, because of their large open-circuit voltage (Voc)-deficit, CZTSSe solar cells exhibit poor device performance compared to well-established Cu(In,Ga)(S,Se)2 (CIGS) and CdTe based solar cells. One of the main causes of this large Voc-deficit is poor absorber properties for example, high band tailing properties, defects, secondary phases, carrier recombination, etc. In particular, the fabrication of absorbers using physical methods results in poor surface morphology, such as pin-holes and voids. To overcome this problem and form large and homogeneous CZTSSe grains, CZTSSe based absorber layers are prepared by a sputtering technique with different RTA conditions. The temperature is varied from 510 ℃ to 540 ℃ during the rapid thermal annealing (RTA) process. Further, CZTSSe thin films are examined with X-ray diffraction, X-ray fluorescence, Raman spectroscopy, IPCE, Energy dispersive spectroscopy and Scanning electron microscopy techniques. The present work shows that Cu-based secondary phase formation can be suppressed in the CZTSSe absorber layer at an optimum RTA condition.
Copper zinc tin sulfide ($Cu_2ZnSnS_4$, CZTS) is a very promising material as a low cost absorber alternative to other chalcopyrite-type semiconductors based on Ga or In because of the abundant and economical elements. In addition, CZTS has a band-gap energy of 1.4~1.5eV and large absorption coefficient over ${\sim}10^4cm^{-1}$, which is similar to those of $Cu(In,Ga)Se_2$(CIGS) regarded as one of the most successful absorber materials for high efficient solar cell. Most previous works on the fabrication of CZTS thin films were based on the vacuum deposition such as thermal evaporation and RF magnetron sputtering. Although the vacuum deposition has been widely adopted, it is quite expensive and complicated. In this regard, the solution processes such as sol-gel method, nanocrystal dispersion and hybrid slurry method have been developed for easy and cost-effective fabrication of CZTS film. Among these methods, the hybrid slurry method is favorable to make high crystalline and dense absorber layer. However, this method has the demerit using the toxic and explosive hydrazine solvent, which has severe limitation for common use. With these considerations, it is highly desirable to develop a robust, easily scalable and relatively safe solution-based process for the fabrication of a high quality CZTS absorber layer. Here, we demonstrate the fabrication of a high quality CZTS absorber layer with a thickness of 1.5~2.0 ${\mu}m$ and micrometer-scaled grains using two different non-vacuum approaches. The first solution-processing approach includes air-stable non-toxic solvent-based inks in which the commercially available precursor nanoparticles are dispersed in ethanol. Our readily achievable air-stable precursor ink, without the involvement of complex particle synthesis, high toxic solvents, or organic additives, facilitates a convenient method to fabricate a high quality CZTS absorber layer with uniform surface composition and across the film depth when annealed at $530^{\circ}C$. The conversion efficiency and fill factor for the non-toxic ink based solar cells are 5.14% and 52.8%, respectively. The other method is based on the nanocrystal dispersions that are a key ingredient in the deposition of thermally annealed absorber layers. We report a facile synthetic method to produce phase-pure CZTS nanocrystals capped with less toxic and more easily removable ligands. The resulting CZTS nanoparticle dispersion enables us to fabricate uniform, crack-free absorber layer onto Mo-coated soda-lime glass at $500^{\circ}C$, which exhibits a robust and reproducible photovoltaic response. Our simple and less-toxic approach for the fabrication of CZTS layer, reported here, will be the first step in realizing the low-cost solution-processed CZTS solar cell with high efficiency.
This paper reviews the current status of R&D work on selective absorber materials. For the efficient utilization of solar energy, various types of selective absorber materials are being used for solar hot water heaters. Many selective absorbers which have been proposed and designed up to data are classified according to the absorption mechanisms. Temperature-time cycle method is often recommended for the measurement of solar absorptance. In addition, conversion efficiency of the solar collector with selective surface is compared with one with black paint surface.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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