• Title/Summary/Keyword: a-SiO:H

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금 나노미립자가 함침된 $TiO_2/SiO_2$ 박막의 광학적 성질 (Optical Property of Au-doped $TIO_2/SiO_2$ thin film)

  • 정미원;김지은;이경철
    • 대한화학회지
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    • 제44권1호
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    • pp.60-67
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    • 2000
  • 표면공명흡수는 매질의 유전상수값에 의존한다. 금 나노미립자가 함침된 $TiO_2/SiO_2$ 복합산화물 박막을 $Ti(OPr^i)_4$$Si(OEt)_4$, 그리고 $HAuCl_4{\cdot}7H_2O$를 사용하여 졸-겔 방법으로 제조하였다. $TiO_2/SiO_2$ 박막에 함침된 금 나노미립자의 최대 표면 공명 흡수는 $TiO_2/SiO_2$의 몰비에 따라 540 nm에서 615 nm 까지 선형적으로 변하였다. 이러한 박막에 함침된 금 나노미립자의 크기와 구조를 TEM과 XRD로 측정하였다. 그리고 $TiO_2/SiO_2$ 박막의 유전상수값을 실험 data로부터 이론적으로 계산하였다

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정수슬러지를 이용한 제올라이트의 합성 및 특성연구 (Synthesis and Characterization of Zeolite Using Water Treatment Sludge)

  • 고현진;고용식
    • 청정기술
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    • 제26권4호
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    • pp.263-269
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    • 2020
  • 정수슬러지를 이용하여 제올라이트(zeolite)를 수열합성하고, 제올라이트의 결정화에 대한 반응온도, 반응시간, Na2O/SiO2 몰비의 영향을 살펴보았다. 제조한 제올라이트의 결정구조, 물성 및 열적 특성은 각각 X-선 회절분석, FTIR, BET 질소흡착 및 TGA로 분석하였다. 제올라이트의 흡착성능을 조사하기 위해 암모니아성 질소, 중금속이온 및 TOC 제거효율을 측정하였다. 정수슬러지의 주성분은 Al2O3와 SiO2로서 각각 28.79%와 27.06%을 나타내었으며, 제올라이트 합성을 위한 실리카 및 알루미나 원료는 정수슬러지 이외에 어떠한 화학원료도 추가로 첨가하지 않고 합성을 진행하였다. 정수슬러지를 이용하여 제조한 제올라이트는 A형 제올라이트의 구조를 나타내었으며, 반응기질의 조성을 2.1Na2O-Al2O3-1.6SiO2-65H2O으로 하고, 반응온도 90 ℃, 반응시간 5시간, Na2O/SiO2 몰비가 1.3인 경우에 가장 높은 결정성을 나타내었다. 합성 제올라이트의 비표면적은 55 ㎡ g-1로서 상업용 제올라이트 A 보다 높게 나타났다. 합성 제올라이트의 암모니아성 질소(NH4+) 제거율은 3시간 반응한 경우 68%를 나타내었으며, 제올라이트의 Pb2+ 및 Cd2+ 이온에 대한 흡착실험 결과 제거율은 각각 99.1% 및 99.3%를 나타내었다. 이는 제올라이트의 격자 내에 존재하는 Na+ 이온과 Pb2+ 및 Cd2+ 이온 간의 원활한 이온교환이 이루어졌음을 나타낸다. 300 ppm 부식산 용액에 제올라이트의 첨가량을 변화시켜 3시간 동안 흡착실험을 수행한 결과 제올라이트 5 g을 첨가한 경우 TOC 제거율이 83%로서 가장 높게 나타났다.

다양한 SiO2 코팅 제어를 통한 화장품용 루타일형 TiO2의 색상 및 물성 연구 (A Study of Various SiO2 Coating Control on White TiO2 Pigment for Cosmetic Applications)

  • 박민솔;심우영;김유진
    • 한국분말재료학회지
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    • 제29권3호
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    • pp.207-212
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    • 2022
  • Nanosized rutile titanium dioxide (TiO2) is used in inorganic pigments and cosmetics because of its high whiteness and duality. The high quality of the white pigments depends on their surface coating technique via the solgel process. SiO2 coatings are required to improve the dispersibility, UV-blocking, and whiteness of TiO2. Tetraethyl orthosilicate (TEOS) is an important coating precursor owing to its ability to control various thicknesses and densities. In addition, we use Na2SiO3 (sodium silicate) as a precursor because of its low cost. Compared to TEOS, which controls the pH using a basic catalyst, Na2SiO3 controls the pH using an acid catalyst, giving a uniform coating. The coating thickness of TiO2 is controlled using a surface modifier, cetrimonium bromide, which is used in various applications. The shape and thickness of the nanosized coating layer on TiO2 are analyzed using transmission electron microscopy, and the SiO2 nanoparticle behavior in terms of the before-and-after size distribution is measured using a particle size analyzer. The color measurements of the SiO2 pigment are performed using UV-visible spectroscopy.

CrAlMgSiN 박막의 600-900℃에서의 대기중 산화 (Oxidation of CrAlMgSiN thin films between 600 and 900℃ in air)

  • 원성빈;;황연상;이동복
    • 한국표면공학회:학술대회논문집
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    • 한국표면공학회 2013년도 춘계학술대회 논문집
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    • pp.112-113
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    • 2013
  • Thin CrAlMgSiN films, whose composition were 30.6Cr-11.1Al-7.3Mg-1.2Si-49.8N (at.%), were deposited on steel substrates in a cathodic arc plasma deposition system. They consisted of alternating crystalline Cr-N and AlMgSiN nanolayers. After oxidation at $800^{\circ}C$ for 200 h in air, a thin oxide layer formed by outward diffusion of Cr, Mg, Al, Fe, and N, and inward diffusion of O ions. Silicon ions were relatively immobile at $800^{\circ}C$. After oxidation at $900^{\circ}C$ for 10 h in air, a thin $Cr_2O_3$ layer containing dissolved ions of Al, Mg, Si, and Fe formed. Silicon ions became mobile at $900^{\circ}C$. After oxidation at $900^{\circ}C$ for 50 h in air, a thin $SiO_2-rich$ layer formed underneath the thin $Cr_2O_3$ layer. The film displayed good oxidation resistance. The main factor that decreased the oxidation resistance of the film was the outward diffusion and subsequent oxidation of Fe at the sample surface, particularly along the coated sample edge.

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Sol-gel 법으로 제조된 강유전체 Sr0.9Bi2.1Ta1.8Nb0.2O9 박막의 저온결정화 공정 (Low Temperature Sintering Process of Sol-gel Derived Ferroelectric Sr0.9Bi2.1Ta1.8Nb0.2O9 Thin films)

  • 김영준;김병호
    • 한국세라믹학회지
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    • 제40권3호
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    • pp.279-285
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    • 2003
  • Sol-gel 법으로 200 nm 정도의 두께를 가진 강유전성 S $r_{0.9}$B $i_{2.1}$T $a_{1.8}$ N $b_{0.2}$ 박막을 Pt/Ti $O_2$/ $SiO_2$/Si 기판 위에 증착하였다. 본 실험에서는 Sr(O $C_2$ $H_{5}$)$_2$, Bi(TMHD)$_3$, Ta(O $C_2$ $H_{5}$)$_{5}$ 그리고, Nb(O $C_2$ $H_{5}$)$_{5}$를 출발 물질로 사용하였으며 2-methoxyethanol을 용매로 사용하였다. UV 노광과 급속열처리가 SBTN 박막의 구조와 전기적 특성에 어떤 영향을 주는 가를 연구하였다. UV 노광과 급속열처리를 한 후에 $650^{\circ}C$ 열처리한 SBTN 박막의 3V와 5V 인가 전압하에서의 잔류분극 값은 각각 8.49와 11.94 $\mu$C/$ extrm{cm}^2$이었다.

유기 금속 화학 증착법(MOCVD)으로 4H-SiC 기판에 성장한 Ga2O3 박막과 결정 상에 따른 특성 (Growth of Ga2O3 films on 4H-SiC substrates by metal organic chemical vapor deposition and their characteristics depend on crystal phase)

  • 김소윤;이정복;안형수;김경화;양민
    • 한국결정성장학회지
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    • 제31권4호
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    • pp.149-153
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    • 2021
  • ε-Ga2O3 박막은 금속 유기 화학 기상 증착법(MOCVD)에 의해 4H-SiC 기판에 성장되었으며, 결정성은 성장 조건에 따라 평가되었다. ε-Ga2O3의 최적 조건은 665℃의 성장 온도와 200 sccm의 산소 유량에서 성장한 것으로 나타났다. hexagonal 핵이 합쳐지면서 2차원으로 성장되었고, hexagonal 핵의 배열 방향은 기판의 결정 방향과 밀접한 관련이 있었다. 그러나 ε-Ga2O3의 결정 구조는 hexagonal이 아닌 orthorhombic 구조를 가짐을 확인하였다. 결정상 전이는 열처리에 의해 수행되었다. 그리고 상 전이된 β-Ga2O3 박막과 비교하기 위해 4H-SiC에서 β-Ga2O3 박막을 바로 성장하였다. 상 전이된 β-Ga2O3 박막은 바로 성장한 것보다 더 나은 결정성을 보여주었다.

Study on Sliding Wear Characteristics and Processing of MoSi

  • Park, Sungho;Park, Wonjo;Huh, Sunchul
    • International Journal of Ocean System Engineering
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    • 제2권4호
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    • pp.244-249
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    • 2012
  • In this study, a monolithic MoSi2 matrix reinforced with 20 vol% SiC particles, a SiC/MoSi2 composite matrix reinforced with 20 vol% ZrO2 particles, and a ZrO2/MoSi2 composite were fabricated using hot press sintering at $1350^{\circ}C$ for 1 h under a pressure of 30 MPa. The Vickers hardness and sliding wear resistance of the monolithic MoSi2, ZrO2/MoSi2, and SiC/MoSi2 composite were investigated at room temperature. A wear behavior test was carried out using a disk-type wear tester with a silicon nitride ball. The ZrO2/MoSi2 composite showed an average Vickers hardness value and excellent wear resistance compared with the monolithic MoSi2 and SiC/MoSi2 composite at room temperature.

저압화학기상 성장법으로 제작된 $Si_{x}O_{y}N_{z}$의 알칼리이온 감지성에 관한 연구 (A Study on Alkali ion-Sensitivity of $Si_{x}O_{y}N_{z}$ Fabricated by Low Pressure Chemical Vapor Deposition)

  • 신백균;이덕출
    • 센서학회지
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    • 제6권3호
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    • pp.200-206
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    • 1997
  • 열산화시킨 실리콘 웨이퍼 위에 저압화학기상성장법으로 $SiCl_{2}H_{2}$, $NH_{3}$$N_{2}O$ 기체를 사용하여 실리콘 옥시나이트라이드($Si_{x}O_{y}N_{z}$) 층을 제작하였다. 세 가지의 다른 조성이 기체 유속비($NH_{3}/N_{2}O$)를 각기 0.2, 0.5 및 2로 변화시키고 $SiCl_{2}H_{2}$의 기체 유속은 고정시킴으로써 얻어졌다. 엘립소메트리와 HFCV(High Frequency Capacitance-Voltage) 측정법을 채택하여 굴절율, 유전율 및 조성의 차이를 각각 조사했다. 실리콘 옥시나이트라이드는 내부에 포함된 실리콘 나이트라이드 성분량에 관계없이 용액 중에서 순수한 실리콘 나이트라이드와 유사한 안정성을 보유했다. 실리콘 옥시나이트라이드 층 알칼리이온 감지성의 크기 순서는 실리콘 나이트라이드 성분량에 영향을 받았다. 보다 나은 알칼리이온 감지성이 실리콘 옥시나이트라이드의 벌크 내에 있는 실리콘 디옥시드의 성분량을 증가시킴으로써 얻어졌다.

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Al2O3/SiC Whisker원료 합성 (Synthesis of Al2O3/SiC Whisker)

  • 정광철;주경;전윤석;오근호;김의훈;이석근
    • 한국세라믹학회지
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    • 제26권2호
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    • pp.167-170
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    • 1989
  • Al2O3/SiC composite-material was synthesized by the birth-spread mechanism through the carbothermal reduction reaction of SiO2 in Ha-Dong Kaolin with carbon powder under H2 gas atmosphere at 1300~140$0^{\circ}C$. Average diameter of synthesized SiC whiskers were 1${\mu}{\textrm}{m}$ and aspect ratio (c/a) was 10~100. Al2O3 particles and SiC whiskers were mixed homogeneously in the reacted pellet.

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Al-Si-Mg 합금의 산소 및 황화수소 환경에서의 고온부식 특성 (High Temperature Corrosion Characteristics of Al-Si-Mg Alloy in O2 and H2S/H2 Environments)

  • 이영환;손영진;이병우
    • 동력기계공학회지
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    • 제21권2호
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    • pp.14-19
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    • 2017
  • The corrosion characteristics of Al-Si-Mg alloy were investigated in $O_2$ and $H_2S/H_2$ environments at high temperature. The weight gain and the reaction rate constant of the Al-Si-Mg alloy were measured in the oxygen and hydrogen sulfide environments at 773K. The weight gain of Al-Si-Mg alloy was showed parabolic increase in the oxygen and hydrogen sulfide environments. The reaction rate constants were confirmed to be $1.45{\times}10^{-4}mg^2cm^{-4}sec^{-2}$ in the oxygen environment and $6.19{\times}10^{-4}mg^2cm^{-4}sec^{-2}$ in the hydrogen sulfide environment respectively. As a result of XPS analysis on the specimen surface, $Al_2O_3$ and MgO compounds were detected in oxygen environment and $Al_2(SO_4)_3$ sulfate was detected in the hydrogen sulfide environment. Corrosion rate of Al-Si-Mg alloy was about 4.3 times faster in hydrogen sulfide environment than oxygen environment.