• 대한전자공학회논문지SD
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• 제40권1호
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• pp.20-28
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• 2003

In this paper, we present results of the comparative analysis of the flicker phenomena in the poly-Si TFT-LCD and a-Si:H TFT-LCD arrays for the development and manufacturing of wide-area and high-quality TFT-LCD displays. We used four different types of TFTs; a-Si:H TFT, excimer laser annealed (ELA) poly-Si TFT, silicide mediated crystallization (SMC) poly-Si TFT, and counter-doped lateral body terminal (LBT), poly-Si TFT. We defined the electrical quantity of the flicker so that we could compare the flickers quantitatively for four different 40" UXGA TFT-LCDs. We identify three factors contributing to the flicker, such as charging time, kickback voltage and leakage current, and analyze how much each of three factors give rise to the flincker in the different TFT-LCD arrays. In addition, we suggest and show that, in the case of the poly-Si TFT-LCD arrays, the low-level (minimum) gate voltages should be carefully chosen to minimize the flicker because of their larger leakage currents compared with a-Si TFT-LCD arrays.

• ETRI Journal
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• 제34권4호
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• pp.633-636
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• 2012

A dynamic analysis of an amorphous silicon (a-Si) thin film transistor liquid crystal display (TFT-LCD) pixel is presented using new a-Si TFT and liquid crystal (LC) capacitance models for a Simulation Program with Integrated Circuit Emphasis (SPICE) simulator. This dynamic analysis will be useful when predicting the performance of LCDs. The a-Si TFT model is developed to accurately estimate a-Si TFT characteristics of a bias-dependent gate to source and gate to drain capacitance. Moreover, the LC capacitance model is developed using a simplified diode circuit model. It is possible to accurately predict TFT-LCD characteristics such as flicker phenomena when implementing the proposed simulation model.

• Journal of Information Display
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• 제5권2호
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• pp.1-5
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• 2004

We developed an a-Si TFT-LCD panel with integrated gate driver circuit using a standard 5-MASK process. To minimize the effect of the a-Si TFT current and LC's capacitance variation with temperature, we developed a new a-Si TFT circuit structure and minimized coupling capacitance by changing vertical architecture above gate driver circuit. Integration of gate driver circuit on glass substrate enables single chip and 3-side free panel structure in a-Si TFT-LCD of QVGA ($240{\times}320$) resolution. And using double ASG structure the dead space of TFT-LCD panel could be further decreased.

• 한국정보디스플레이학회:학술대회논문집
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• 한국정보디스플레이학회 2004년도 Asia Display / IMID 04
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• pp.395-398
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• 2004

We developed an a-Si TFT-LCD panel with integrated gate driver circuit using a standard 5-MASK process. To minimize the effect of the a-Si TFT current and LC's capacitance variation with temperature, we developed a new a-Si TFT circuit structure and minimized coupling capacitance by changing vertical architecture above gate driver circuit. Integration of gate driver circuit on glass substrate enables single chip and 3-side free panel structure in a-Si TFT-LCD of QVGA(240$^{\ast}$320) resolution. And using double ASG structure the dead space of TFT-LCD panel could be further decreased.

• 한국정보디스플레이학회:학술대회논문집
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• 한국정보디스플레이학회 2007년도 7th International Meeting on Information Display 제7권2호
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• pp.1168-1171
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• 2007

Integrating systems on TFT-LCD panels is more and more popular for the mobile display application. However, it may not be necessary to use LTPS TFT devices. A-Si TFTs are used to integrate systems on TFT-LCD panels, especially scan (gate) drivers. To further reduce the chip size of driver IC, the triplegate pixel structure is developed. Therefore, the number of the source lines is reduced to 1/3 times.

• 대한전자공학회:학술대회논문집
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• 대한전자공학회 2001년도 하계종합학술대회 논문집(2)
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• pp.225-228
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• 2001

We simulated and analyzed the flicker phenomena in the poly-Si TFT-LCD using PSpice for the development of wide-area and high-quality LCD display We define the electric quantity of flicker in the TFT-LCD, which is the ratio of half frame frequency (30Hz) to DC (0 Hz) frequency. We compared two different types of TFTs, excimer laser annealed (ELA) poly-Si TFT and silicide mediated crystallization (SMC) poly-Si TFT, and found that the ELA and SMC TFTs show different flicker characteristics because of their mobility and leakage current. In addition, we showed that the gate voltage should be chosen carefully at the minimum flicker because of the larger leakage current of poly-Si Tn as compared with a-Si TFT

• 대한전자공학회논문지SD
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• 제38권12호
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• pp.25-35
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• 2001

복잡한 thin film transistor-liquid crystal display (TFT-LCD) array 회로의 전기적 특성을 분석하기 위해서는 PSPICE나 AIM-SPICE와 같은 회로 시뮬레이터를 사용하는 것이 필수적이다. 본 논문에서는 SPICE 시뮬레이션을 위한 다결정 실리콘 (poly-Si) TFT 소자의 입력 변수 추출을 체계화하는 방법을 도입한다. 이 방법을 excimer laser annealing 및 silicide mediated crystallization 방법으로 각각 제작된 다결정 실리콘 TFT 소자에 적용하여 실험 결과와 잘 일치하는 결과를 얻었다. SPICE 시뮬레이터 중에서 PSPICE는 graphic user interface(GUI) 방식의 편의성을 제공하므로 손쉽게 복잡한 회로를 구성할 수가 있다는 장점이 있으나, poly-Si TFT 소자 모델을 가지고 있지 않다. 이 연구에서는 PSPICE에 다결정 실리콘 TFT 소자 모델을 이식하고, TFT가 이식된 PSPICE를 사용하여 poly-Si TFT-LCD 단위 화소 및 라인 RC 지연을 고려한 화소에 대한 전기적 특성을 분석하였다. 이러한 결과는 TFT-LCD 어레이 특성 분석을 위한 시뮬레이션을 효율적으로 수행하는데 기여할 수 있을 것으로 기대된다.

• 대한전자공학회:학술대회논문집
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• 대한전자공학회 2000년도 하계종합학술대회 논문집(2)
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• pp.314-317
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• 2000

In order to analyze the characteristics of complicated TFT-LCD (Thin Film Transistor-Liquid Crystal Display) circuits, it is indispensible to use simulation programs. In this study, we present a systematic method of extracting the input parameters of poly-Si TFT for Spice simulation. This method is applied to two different types of poly-Si TFTs fabricated in our group with good results. Among the Spice simulators, Pspice has the graphic user interface feature making the composition of complicated circuits easier. We added successfully a poly-Si TFT model on the Pspice simulator, which would contribute to efficient simulations of poly-Si TFT-LCD pixels and arrays.

• 한국진공학회지
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• 제10권1호
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• pp.72-80
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• 2001

본 논문에서는 ELA(excimer laser annealing) 및 SMC(silicide mediated crystallization) 공정으로 제작된 다결정 실리콘 TFT-LCD(Thin Film Transistor-Liquid Crystal Display) 화소의 전기적 특성을 Spice회로 시뮬레이션을 통해 비교 분석하였다. 복잡한 TFT-LCD 어레이 (array) 회로의 전기적 특성 분석을 위하여 GUI(Graphic User Interface) 방식으로 손쉽게 복잡한 회로를 구성할 수 있는 PSpice에 AIM-Spice의 다결정 실리콘 박막 트랜지스터 소자 모델을 이식하고, AIM-Spice의 변수 추출법을 개선 체계화하였으며 ELA 및 SMC공정으로 각기 제작된 다결정 실리콘 박막트랜지스터에 적용하여 단위 화소 및 라인 RC 지연을 고려한 화소 특성을 비교 분석하였다. 비교 결과 ELA 다결정 실리콘 박막 트랜지스터 소자가 SMC에 비해 TFT-LCD의 화소 충전 시간 및 킥백(kickback) 전압 특성이 모두 우수하게 나타남을 확인하였다.

• 한국통신학회논문지
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• 제24권12A호
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• pp.2002-2007
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• 1999

본 논문에서는 유리기판 위에 고상결정화(SPC)로 제작된 n-채널 다결정 박막 트랜지스터(poly-Si TFT's)에 대해 전류-전압 특성, 이동도, 누설전류, 문턱전압, 그리고 부임계 기울기 등과 같은 전기적 특성을 측정함으로서 대면적, 고밀도 TFT-LCD에의 적용 가능성을 조사하였다. 채널 길이가 각각 2, 10, 25$\mu\textrm{m}$로 제작된 n-채널 poly-Si TFT에서, 전계 효과 이동도는 각각 11, 125, 116 $\textrm{cm}^2$/V-s이었으며, 누설전류는 각각 0.6, 0.1, 0.02 pA/$\mu\textrm{m}$로 나타났다. 또한 낮은 문턱전압과 q임계 기울기 그리고 양호한 ON-OFF ratio이 나타났다. 따라서, SPC로 제작된 poly-Si TFT는 대형유리기판에 디스플레이 패널과 구동시스템을 동시에 집적하는 대면적, 고밀도 TFT-LCD에 적용 가능한 것으로 판단된다.