• 한국진공학회지
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• 제20권1호
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• pp.50-56
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• 2011

본 논문에서는 버퍼막 두께 및 열처리 온도에 따른 ZnO/b-ZnO/p-Si(111) 기반 이종접합 다이오드 전류 특성에 대한 연구가 진행되었고, b-ZnO (ZnO buffer layer) 버퍼막 두께 및 열처리 온도에 따른 p-Si(111) 기판 위에 증착시킨 ZnO 박막의 구조적, 전기적 특성 또한 연구되었다. X-ray diffraction (XRD) 방법을 이용하여 ZnO 박막의 구조적 특성을 측정하였고, semiconductor parameter analyzer를 이용하여 ZnO/b-ZnO/p-Si(111) 이종접합 다이오드의 I-V 특성을 평가하였다. XRD 분석 결과 버퍼막 열처리 온도 $700^{\circ}C$, 버퍼막 두께 70 nm에서 ZnO 박막은 우세한 (002) 방향의 c-축 배향성을 갖는 육방정계(hexagonal wurtize) 결정 구조를 나타내었다. 전기적 특성인 운반자 농도, 비저항 값의 경우에는 버퍼막 열처리 온도 $700^{\circ}C$, 버퍼막 두께 50 nm에서 우수한 전기적 특성(비저항: $2.58{\times}10^{-4}[{\Omega}-cm]$, 운반자 농도: $1.16{\times}10^{20}[cm^{-3}]$)을 보였다. 또한 ZnO/b-ZnO/p-Si(111) 이종접합 다이오드의 전류 특성은 버퍼막 열처리 온도 $700^{\circ}C$에서 버퍼막 두께가 증가할수록 전류 특성이 향상되는 경향을 보였다.

• Current Photovoltaic Research
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• 제1권1호
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• pp.52-58
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• 2013

Two different window-structured $CuInGaSe_2$(CIGS) solar cells, i.e., CIGS/thin-CdS/ZnO:B(sample A) and CIGS/very thin-CdS/Zn(S/O)/ZnO:B(sample B), were prepared, and the diffusivity of Zn, Cd, S, and B atoms, respectively, in the CIGS, ZnO or Zn(S/O) layer was estimated by a theoretical fit to experimental secondary ion mass spectrometer data. Diffusivities of Zn, Cd, S, and B atoms in CIGS were $2.0{\times}10^{-13}(1.5{\times}10^{-13})$, $4.6{\times}10^{-13}(4.4{\times}10^{-13})$, $1.6{\times}10^{-13}(1.8{\times}10^{-13})$, and $1.2{\times}10^{-12}cm^2/s$ at 423K, respectively, where the values in parentheses were obtained from sample B and the others from sample A. The diffusivity of the B atom in a Zn(S/O) of sample B was $2.1{\times}10^{-14}cm^2/sec$. Moreover, the diffusivities of Cd and S atoms diffusing back into ZnO(sample A) or Zn(S/O)(sample A) layers were extremely low at 423K, and the estimated diffusion coefficients were $2.2{\times}10^{-15}cm^2/s$ for Cd and $3.0{\times}10^{-15}cm^2/s$ for S.

• 한국안전학회지
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• 제20권4호
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• pp.29-33
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• 2005

In this paper, reflectance and the dielectric characteristics for $P_2O_5-ZnO-BaO$ system and $SiO_2-ZnO-B_2O_3$ system have been investigated as a function of contents of $TiO_2$. The reflectance was decreased with increasing the contents of $TiO_2$ and the reflectance of $P_2O_5-ZnO-BaO$ system was lowered than that of $SiO_2-ZnO-B_2O_3$ system. The dielectric constant of $P_2O_5-ZnO-BaO$ system was higher than $SiO_2-ZnO-B_2O_3$ system, and the dielectric constant in the both system was increased with increasing of $TiO_2$ contents. This can be explained as the space charge effects. These results are could be applied to the under plate dielectrics of PDP required high reflective ratio and breakdown strength.

• 한국세라믹학회지
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• 제50권1호
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• pp.57-62
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• 2013

We investigated the thermal and electrical properties of the $B_2O_3-ZnO-Bi_2O_3$ glass system as a sealing material in sheath heater modules. A composition with over 90 wt% $Bi_2O_3$ in the $B_2O_3-ZnO-Bi_2O_3$ system was glassified by controlling the cooling rate. The glass transition temperature and thermal expansion coefficient in bismate glass could be controlled by the minor ingredients of ZnO, $SiO_2$, $BaO_2$, and $K_2O$. The $B_2O_3-ZnO-Bi_2O_3$ glass system bonded well to metal, and bismate glass insulating properties were comparable to those of bismate glass $B_2O_3-ZnO-PbO$ glass system in a sheath heater module.

• 전자공학회논문지 IE
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• 제43권4호
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• pp.8-12
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• 2006

본 논문에서는 $SiO_2-ZnO-B_2O_3$ 계 및 $P_2O_5$-ZnO-BaO 계의 반사율과 유전특성을 $TiO_2$의 양에 따라 조사하였다. 반사율은 $TiO_2$ 함량이 증가함에 따랴 감소하였다 여기서 $P_2O_5$-ZnO-BaO계는 $SiO_2-ZnO-B_2O_3$ 계보다 더 낮은 반사율을 나타내었으며, 유전상수는 $P_2O_5$-ZnO-BaO 계가 $SiO_2-ZnO-B_2O_3$ 계보다 높았다. 두 계 모두 유전상수는 $TiO_2$의 양에 따라 증가하는 특성을 보였다. 이 결과는 높은 반사율과 항복특성이 요구되는 PDP디스플레이의 후면 유전층에 적용할 수 있을 것으로 생각된다.

• 한국세라믹학회지
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• 제35권1호
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• pp.17-22
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• 1998

B-doped ZnO thin films on glass substrates were prepared by sputtering the ceramic targets which had been prepared by sintering disks consisting of ZnO and various amounts of B2O3 While pure ZnO films show-ed a c-axis oriented growth the B-doping retarded the prefered orientation and grain growth of the film. Electron concentrations for undoped and B-doped ZnO films were on the order of 7.8${\times}$1018 cm-3 and 5${\times}${{{{ {10 }^{20 } }} c{{{{ {m }^{-3 } }} respectively. The electron mobility however decreased with the B-doping concentration. Optical meas-urements on the films showed that the average transmittance in the visible range was higher than 85% The measurements also indicated a blueshift of the absorption edge with doping.

• 한국자기학회지
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• 제12권5호
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• pp.195-200
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• 2002

각종 산화물을 첨가하여 Co$_2$Z type Ba-ferrite의 저온소결에 관하여 연구하였다. Co$_2$Z type Ba-ferrite 상은 2회 하소과정을 통하여 얻을 수 있었으며, 생성된 상의 XRD peaks는 일부 minor peaks 제외하고는 standard peaks와 거의 일치하였다 제조된 분말은 저온소결을 위하여 ZnO-B$_2$O$_3$ glass리 단독 첨가 및 CuO 또는 Bi$_2$O$_3$와 복합 첨가하였으며, 또한 ZnO-Bi$_2$O$_3$ glass를 단독 첨가하였다. 소결은 900~100$0^{\circ}C$에서 수행하였다. ZnO-B$_2$O$_3$ glass의 단독 첨가 시, 첨가량이 7.5 wt%일 때 가장 높은 수축거동을 나타내었다. ZnO-Bi$_2$O$_3$ glass와 CuO 또는 Bi$_2$O$_3$를 복합 첨가하였을 때, glass를 단독 첨가하였을 경우보다 수축률이 급격히 증가되었다. 또한 ZnO-Bi$_2$O$_3$ glass를 단독 첨가한 시편의 수축률과 초기 투자율은 ZnO-B$_2$O$_3$ glass를 단독 첨가한 시편보다 높은 값을 나타내었다.

• 한국전기전자재료학회논문지
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• 제21권3호
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• pp.242-248
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• 2008

The structural, optical and electrical properties of ZnO films doped with 1.5 at% of 3A materials(B, Al, Ga, In) were studied by sol-gel process. The films were found to be c-axis (002) oriented hexagonal structure on glass substrate, when post heated at 500 $^{\circ}C$. The surface of the films showed a uniform and nano size microstructure and the crystalline size of doped films decreased. The lattice constants of ZnO:B/Al/Ga increased than that of ZnO, while ZnO:In decreased. All the films were highly transparent(above 90 %) in the visible region. The energy gaps of ZnO:B/Al/Ga were increased a little, but that of ZnO:In was not changed. The resistivities of ZnO:Al/Ga/In were less than 0.1 $\Omega$cm. All the films showed a semiconductor properties in the light or temperature, however ZnO:In was less sensitive to it. A figure of merit of ZnO:In had the highest value of 0.025 $\Omega^{-1}$ in all samples.

• 공업화학
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• 제26권3호
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• pp.356-361
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• 2015

$Cd_{0.5}Zn_{0.5}S/ZnO$ 형태의 복합체 광촉매를 침전법으로 제조하였고, 이들 화합물의 특성을 XRD, UV-vis DRS, PL 및 FE-SEM 등을 이용하여 조사하였다. 그리고 가시광선 조사 하에서의 로다민 B 분해반응에 대한 광촉매로서의 활성을 조사하였다. ZnO와는 달리 $Cd_{0.5}Zn_{0.5}S/ZnO$는 자외선 뿐만 아니라 가시광선 영역의 빛도 효율적으로 흡수하며 특히 $Cd_{0.5}Zn_{0.5}S$의 함량 증가에 따라 가시광선 영역의 빛에 대한 흡광도도 증가하였다. 또한 $Cd_{0.5}Zn_{0.5}S/ZnO$에 있어서 $Cd_{0.5}Zn_{0.5}S$의 함량이 증가할수록 최종 입자들의 크기가 작아지고 그 결과 비 표면적이 증가하였다. 로다민 B의 광분해 반응에 있어서는 $Cd_{0.5}Zn_{0.5}S$ 함량이 높은 $Cd_{0.5}Zn_{0.5}S/ZnO$ 촉매일수록 상대적으로 높은 광촉매 활성을 보여주었다. 그러므로 $Cd_{0.5}Zn_{0.5}S/ZnO$ 광촉매의 활성에 있어서는 촉매의 흡착능력 뿐만 아니라 $Cd_{0.5}Zn_{0.5}S$와 ZnO 사이의 heterojunction 효과도 중요하게 작용하는 것으로 보인다.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2007년도 추계학술대회 논문집
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• pp.265-265
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• 2007

In the present work, we have studied low temperature sintering and microwave dielectric properties of $ZnAl_2O_4$-zinc borosilicate (ZBS, 65ZnO-$25B_2O_3-10SiO_2$) glass composites. The focus of this paper was on the improvement of sinterability, low dielectric constant, and on the theoretical proof regarding of microwave dielectric properties in $ZnAl_2O_4$-ZBS glass composites, respectively. The $ZnAl_2O_4$ with 60 vo1% ZBS glass ensured successful sintering below $900^{\circ}C$. It is considered that the non-reactive liquid phase sintering (NPLS) occurred. In addition, $ZnAl_2O_4$ was observed in the $ZnAl_2O_4$-(x)ZBS composites, indicating that there were no reactions between $ZnAl_2O_4$ and ZBS glass. $ZnB_2O_4\;and\;Zn_2SiO_4$ with the willemite structure as the secondary phase was observed in the all $ZnAl_2O_4$-(x)ZBScomposites. In terms of dielectric properties, the application of the $ZnAl_2O_4$-(x)ZBS composites sintered at $900^{\circ}C$ to LTCC substrate were shown to be appropriate; $ZnAl_2O_4$-60ZBS (${\varepsilon}_r$= 6.7, $Q{\times}f$ value= 13,000 GHz, ${\tau}_f$= -30 ppm/$^{\circ}C$). Also, in this work was possible theoretical proof regarding of microwave dielectric properties in $ZnAl_2O_4$-(x)ZBS composites.