• 한국재료학회지
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• 제8권8호
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• pp.672-677
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• 1998

오원계 AI-합금의 용융산화에 의한 $AI_2O_3$ 복합재료의 형성속도와 미세구조에 대하여 연구하였다. AI-1Mg-3Si-3Zn 합금과 AI-1Mg-3Si-5Zn합금에 Cu, Ni 각각을 1% 무게비로 첨가하였다. 각 오원계 합금은 1373K, 1473K에서 최대 20시간 동안 산화시켰으며, 산화속도는 무게증가 측정을 통하여 조사하였다. 산화층의거시적 형상과 미세구조를 광학현미경으로 관찰하였다. AI-1Mg-3Si-5Zn-1Cu 합금이 가장 우수한 산화거동을 보였으나, 산화층이 불균일하였다. 합금위에 $SiO_2$를 도포하였더니 산화속도가 증진되었으며, 균일하고 조직이 친밀한 산화층이 얻어졌다.

• 한국재료학회지
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• 제7권8호
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• pp.660-667
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• 1997

AI-Mg-합금의 용융산화에 의해 생성되는 AlO$_{2}$O$_{3}$-복합재료의 미세구조에 미치는 합금원소의 영향을 연구하였다. AI-1Mg 합금과 AI-3Mg 합금을 기본으로하여 Si, Zn, Sn, Cu, Ni, Ca, Ce를 1, 3, 5 %를 무게비로 첨가하였다. 각 합금을 1473K에서 20시간 유지하여 산화시킨 후 산화층의 거시적 형상과 미세구조를 광학현미경으로 관찰하였다. 각 미세구조의 상분율을 상분석기로 측정하였다. 산화층의 최첨단면은 SEM과 EDX로 관찰하고 분석하였다. Cu나 Ni를 첨가한 합금으로부터 성장한 산화층의 미세구조가 가장 치밀하였다. Zn이 포함된 합금으로부터 성장한 산화층 최첨단 성장면에는 ZnO가 관찰되었다. Zn이 포함되지 않은 다른 합금의 성장 전면에는 항상 MgAi$_{2}$O$_{4}$상이 관찰되었다.

• E2M - 전기 전자와 첨단 소재
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• 제10권1호
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• pp.33-38
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• 1997

The green emitting phosphors of the Field Emission Display(FED), Al codoped ZnGa$_{2}$O$_{4}$:Mn, were synthesized and sintered at high temperature. From X-ray diffraction measurements, it was confirmed that poly crystalline ZnGa$_{2}$O$_{4}$ and ZnAI$_{2}$O$_{4}$ solid solution coexist in Al codoped ZnGa$_{2}$O$_{4}$:Mn. Photoluminescence spectra of Al codoped ZnGa$_{2}$O$_{4}$:Mn show that the main peak position is shifted from 504 nm to 513 nm with the increase of Al concentration. The brightness was improved with the amount of Al dopant. It showed the maximum value at the doping level of 0.03 mole and then, it degraded rapidly. These results are due to the superposition of emission from . ZnGa$_{2}$O$_{4}$:Mn and ZnAI$_{2}$O$_{4}$:Mn.

• 한국조명전기설비학회:학술대회논문집
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• 한국조명전기설비학회 2009년도 추계학술대회 논문집
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• pp.177-179
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• 2009

In order to investigate the possible application of ZnO films as a transparent conducting oxide (TCO) electrode, ZnO:Al films were prepared by RF magnetron sputtering method. The effects of surface treatment and doping concentration on the structural and electrical properties of ZnO films were mainly studied experimentally. Five-inch PDP cells using either a ZnO:Al or indium tin oxide (ITO) electrode were also fabricated separately under the same manufacturing conditions. The luminous properties of both the transparent conducting oxide electrode were measured and compared with each other. By doping the ZnO target with 2 wt% of Al2O3, the film deposited at a chemical surface treatment resulted in the minimum resistivity of 8.5 _ 10_4 U-cm and a transmittance of 91.7%. And DBD surface treatment resulted in the minimum resistivity of 8.5 _ 10_4 U-cm and a transmittance of 91.7%. Although the luminance and luminous efficiency of the transparent conducting oxide electrode using ZnO:AI are lower than those of the cell with the ITO electrode by about 10%, these values are sufficient enough to be considered for the normal operation of TCO.

• 한국전기전자재료학회논문지
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• 제21권3호
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• pp.242-248
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• 2008

The structural, optical and electrical properties of ZnO films doped with 1.5 at% of 3A materials(B, Al, Ga, In) were studied by sol-gel process. The films were found to be c-axis (002) oriented hexagonal structure on glass substrate, when post heated at 500 $^{\circ}C$. The surface of the films showed a uniform and nano size microstructure and the crystalline size of doped films decreased. The lattice constants of ZnO:B/Al/Ga increased than that of ZnO, while ZnO:In decreased. All the films were highly transparent(above 90 %) in the visible region. The energy gaps of ZnO:B/Al/Ga were increased a little, but that of ZnO:In was not changed. The resistivities of ZnO:Al/Ga/In were less than 0.1 $\Omega$cm. All the films showed a semiconductor properties in the light or temperature, however ZnO:In was less sensitive to it. A figure of merit of ZnO:In had the highest value of 0.025 $\Omega^{-1}$ in all samples.

• 태양에너지
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• 제19권1호
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• pp.29-36
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• 1999

ZnO/n-Si junctions were fabricated by spin coating with ZnO precursor produced by the sol-gel process. In order to increase the electrical conductivity of ZnO films, the films were n-doped with Al impurity and subsequently annealed at about $450^{\circ}C$ under reducing environments. The ohmic contacts between n-Si and AI for a bottom electrode were successfully fabricated by doping the rear surface of Si substrate with phosphorous atoms. The front surface of the substrate was also doped with phosphorous atoms for improving the efficiency of the solar cells. Consequently, conversion efficiencies ranging up to about 5.3% were obtained. These efficiencies were found to decrease slowly with time because of the oxide films formed at the ZnO/Si interface upon oxygen penetration through the porous ZnO. Oxygen barrier layers could be necessary in order to prevent the reduction of conversion efficiencies.

• 대한전기학회:학술대회논문집
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• 대한전기학회 1999년도 하계학술대회 논문집 D
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• pp.1710-1712
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• 1999

암모니아가스에 민감한 In이 도핑된 ZnO(ZnO:In) 박막을 In 박막$(100{\AA})$ 및 ZnO박막$(3000{\AA})$의 연속적인 증착과 열처리공정을 통하여 제조하고, 이와 같은 방법으로 Al과 In이 도핑된 ZnO (ZnO:Al, In) 박막을 In 박막과 ZnO:Al 박막의 연속적인 증착과 같은 조건에서의 열처리를 통하여 제조하였다. 기판은 $1000{\AA}$의 산화막이 열적으로 성장되어 있는 Si 기판을 사용하였다. In/ZnO 및 In/ZnO:Al 박막 이중층의 열처리온도에 따른 구조적 및 전기적 특성을 x-선회절기, 주사전자현미경, 오제전자분광법 및 4점측정시스템을 통하여 조사하였다. 이들 막에 대하여 열처리온도에 따른 암모니아가스에 대한 감도, 선택성 및 시간응답특성을 구하였다. 열처리온도 $400^{\circ}C$, 동작온도 $300^{\circ}C$에서 100 ppm의 암모니아가스를 주입한 결과 140 %의 최대감도를 나타내었으며 CO, $NO_x$ 가스에 대한 감도는 아주 낮은 것으로 나타났다.

• 한국재료학회지
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• 제8권3호
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• pp.256-262
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• 1998

산소이온전도체 13mol% CaO안정화 $ZrO_{2}$에 대한 $AI_{2}$$O_{3}$의 첨가효과를 살펴보기 위해 출발원료분말을 ($Zr_{0.87}$ $Ca_{0.13}$ O$1.87_{1-x}$ $AI_{2}$$O_{3}$)x,(x=0,0.01,0.02,0.03,0.05)와 같은 조성이 되도록 공침법으로 합성하고 $1400^{\circ}C$에서 소결시켜, $AI_{2}$$O_{3}$의 첨가에 따른 /grain size의 변화, $AI_{2}$$O_{3}$의 형태 및 존재위치, 소결밀도의 변화, 그리고 저항률의 변화를 살펴보았다. 그 결과, 결정립의 크기는 1mol% A $I_{2}$$O_{3}$첨가까지는 증가하였고, 2mol%첨가이상에서는 입계로 석출하기 시작한 $AI_{2}$$O_{3}$의 pinning효과에 기인되어 감소하였다. 또 1mol% $AI_{2}$$O_{3}$첨가시에 격자상수값의 급격한 감소가 보여지고, 그 이상에서는 변화가 별로 없어 13mol%CaO안정화 $ZnO_{2}$의 고용도한은 최대 1mol%임을 알 수 있었다. 전기전도도 또한 1mol% $AI_{2}$$O_{3}$첨가시에 증가됨을 나타냈다. $ZrO_{2}$에의 고용도한까지의 $AI_{2}$$O_{3}$첨가는 결정립성장을 촉진시키며 밀도값의 증대를 가져오고 전기전도도의 증가를 가져오는 긍정적인 효과를 나타냈다.

• 한국정보통신학회:학술대회논문집
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• 한국해양정보통신학회 2003년도 춘계종합학술대회
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• pp.88-92
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• 2003

본 논문에서는 Al 하부전극 상에서 RF magnetron sputtering 기술을 이용한 ZnO 박막 증착 및 공정온도가 ZnO 결정성장에 미치는 영향을 고려하여 제작한 FBAR 소자에 대한 연구를 발표한다. 결과적으로, 20$0^{\circ}C$의 공정온도에서 주상형 결정립(columnar grain)을 가지고 c축 우선 배향된 ZnO 박막을 얻을 수 있었다. 이렇게 얻은 ZnO 박막을 FBAR 소자에 적용하여 제작한 결과, 2.05GHz의 공진 주파수에서 ~19.5dB의 반사손실을 보였다.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2001년도 춘계학술대회 논문집 반도체재료
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• pp.26-29
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• 2001

ZnO thin film had been deposited on the glass by Evaporation Ramped method. and electrical and resistivity were investigated. Evaporation gas($O_{2}$,) pressure was 10mTorr~100mTorr, chamber pressure was $2{\times}10^{-5}$, and then ZnO film were deposited. AI-doped ZnO thin film had the lowest resistivity ($1{\times}10^{4}\;{\Omega}{\cdot}cm$), and then carrier concentration and Hall mobility were$6.27{\times}10^{20}\;cm^{3}$ and $22.04 cm^{2}/V{\cdot}s$, respectively. When ZnO film had been deposited by Ramp6ed method compared with normal method and investigated resistivity.