• 한국전기전자재료학회논문지
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• 제20권4호
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• pp.363-366
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• 2007

[ $Zn_2SiO_4:Mn$ ] green phosphors doped with $NH_4Cl$ and Al for PDP were synthesized by solid state reaction method. The luminescence of 532 nm in $Zn_2SiO_4:Mn$ phosphors was associated with $^4T_1{\to}^6A_1$ transition. Photoluminescence intensity of $Zn_2SiO_4:Mn$ doped with $NH_4Cl$ 15 mol% increased about two times as compared with that of $NH_4Cl$ non-doped sample. The color of the emission of Al-doped $Zn_2SiO_4:Mn$ phosphors changed to yellowish green.

• 한국전기전자재료학회논문지
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• 제22권2호
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• pp.158-162
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• 2009

$Zn_2SiO_4$:Mn green phosphors doped with Ga for PDP were synthesized by solid state reaction method. Photoluminescence measurements showed a new emission peak at around 600 nm for $Zn_2SiO_4$:Mn phosphors doped with Ga. Also, the luminescent color with doping $Ga^{3+}$ in the $Zn_2SiO_4$:Mn phosphors changed to green from yellowish green. Consequently, the new peak and charge of the luminescent color in the $Zn_2SiO_4$:Mn, Ga phosphors were attributed to $^2E{\rightarrow}^6A_2$ transition of $Mn^{4+}$.

• 전자공학회논문지 IE
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• 제43권4호
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• pp.8-12
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• 2006

본 논문에서는 $SiO_2-ZnO-B_2O_3$ 계 및 $P_2O_5$-ZnO-BaO 계의 반사율과 유전특성을 $TiO_2$의 양에 따라 조사하였다. 반사율은 $TiO_2$ 함량이 증가함에 따랴 감소하였다 여기서 $P_2O_5$-ZnO-BaO계는 $SiO_2-ZnO-B_2O_3$ 계보다 더 낮은 반사율을 나타내었으며, 유전상수는 $P_2O_5$-ZnO-BaO 계가 $SiO_2-ZnO-B_2O_3$ 계보다 높았다. 두 계 모두 유전상수는 $TiO_2$의 양에 따라 증가하는 특성을 보였다. 이 결과는 높은 반사율과 항복특성이 요구되는 PDP디스플레이의 후면 유전층에 적용할 수 있을 것으로 생각된다.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2007년도 하계학술대회 논문집 Vol.8
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• pp.405-405
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• 2007

ZnO는 상온에서 3.38eV의 넓은 밴드갭을 가지는 직접천이형 반도체이며, 60meV의 큰 엑시톤 결합에너지를 가지는 UV 영역의 광소자로 응용할 수 있는 물질이다. 특히 ZnO를 이용한 LED에 대한 연구가 최근 활발히 이루어지고 있다. 그러나 n-ZnO/p-ZnO 동종접합 다이오드는 p-ZnO의 재현성이 없고, 낮은 정공농도를 보이기 때문에 n-ZnO를 기반으로 한 이종접합 다이오드의 개발이 필요하게 되었다. 특히 n-ZnO/p-Si 이종접합 다이오드는 낮은 구동전압과 제조단가가 저렴하다는 장점이 있다 또한 n-ZnO를 스퍼터링을 이용하여 증착할 경우 고온에서 성장함에도 불구하고 케리어 농도 및 이동도가 매우 낮다. 반면 MOCVD 법은 대면적 증착이 가능하고 비교적 낮은 온도에서 박막을 성장할 수 있고 전기적 특성 또한 매우 우수하다. 본 연구에서는 p-Si 기판위에 MOCVD 를 이용하여 n-ZnO를 증착하고, 이를 열처리하여 n-ZnO/p-Si 이종접합 다이오드의 특성 변화를 관찰하고자 하였다. n-ZnO/p-Si 시편을 $N_2$ 및 $O_2$ 가스 분위기에서 열처리한 후 소자의 광학적, 전기적 특성을 관찰하였다.

• Korean Chemical Engineering Research
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• 제40권6호
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• pp.752-756
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• 2002

PDP(Plasma Display Panel)용 녹색 형광체인 $Zn_2SiO_4:Mn$ 형광체의 제조에 있어 콜로이드 분무 열분해법을 도입하고, $Zn_2SiO_4$ wellimite 결정의 $Si^{4+}$ 자리를 치환하는 $Gd^{3+}/Li^+$ 부활성제를 첨가하여 형광체의 발광특성을 향상시키고자 하였다. 14 nm 크기의 fumed silica 입자를 규소 전구체로 도입한 콜로이드 분무열분해법에 의해서 제조되어진 $Zn_2SiO_4:Mn$ 입자는 응집이 없는 구형의 형상, 작은 입자 크기 및 좁은 입도 분포를 가졌다. $Gd^{3+}/Li^+$ 함량은 $Zn_2SiO_4:Mn$ 형광체 입자의 발광특성에 영향을 끼쳤으며, 적정한 함량의 $Gd^{3+}/Li^+$ 부활성제를 첨가함으로써 진공 자외선하에서 형광체의 발광휘도를 향상시키고, 잔광시간을 크게 줄일 수 있었다. 분무 열분해법에 의한 $Gd^{3+}/Li^+$이 코도핑된 $Zn_2SiO_4:Mn$ 형광체 입자의 제조에 있어서 후열처리 온도는 형광체의 발광특성을 결정짓는 주요한 인자이다. 0.1 mol%의 $Gd^{3+}/Li^+$ 부활제를 포함하고 $1,145^{\circ}C$ 온도에서 소결된 $Zn_2SiO_4:Mn$ 형광체 입자는 상업용 형광체에 비해 5% 높은 발광 휘도과 5.7 ms의 잔광시간을 가졌다.

• 한국산학기술학회논문지
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• 제11권1호
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• pp.228-233
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• 2010

Methyl hydrogen polysiloxne으로 처리한 ZnO, fumed $SiO_2$와 다양한 망간 전구체를 이용하여 서브마이크로미터 크기를 갖는 망간이 도핑된 $Zn_2SiO_4$ 형광체 입자를 고상법으로 제조하였다. 결정화와 광발광 특성은 XRD, SEM, PL스펙트라를 이용하여 분석하였다. 고상법으로 제조한 망간 도핑된 $Zn_2SiO_4$는 methyl hydrogen polysiloxne 처리한 ZnO의 분산과 응집 때문에 $1000^{\circ}C$에서 성공적으로 얻어졌고, 진공자외선 여기하에서 제조된 입자의 최대 PL강도는 0.02mol Mn, $1000^{\circ}C$에서 확인되었다.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2006년도 하계학술대회 논문집 Vol.7
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• pp.116-117
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• 2006

I-D ZnO nanostructures were fabricated by thermal evaporation method on Si(100), GaN and $Al_2O_3$ substrates without a catalyst at the reaction temperature of $700^{\circ}C$. Only pure Zn powder was used as a source material and Ar was used as a carrier gas. The shape and growth direction of synthesized ZnO nanostructures is determined by the crystal structure and the lattice mismatch between ZnO and substrates. The ZnO nanostructure on Si substrate were inclined regardless of their substrate orientation. The origin of ZnO/Si interface is highly lattice-mismatched and the surface of the Si substrate inevitably has the $SiO_2$ layer. The ZnO nanostructure on the $Al_2O_3$ substrate was synthesized into the rod shape and grown into particular direction. For the GaN substrate, however, ZnO nanostructure with the honeycomb-like shape was vertically grown, owing to the similar lattice parameter with GaN substrate.

• 한국진공학회지
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• 제12권4호
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• pp.214-217
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• 2003

본 연구에서는 박막 증착시 발생되는 $\gamma$-전자와 같은 고에너지 입자들의 막 충돌에 의한 손상이 적은 대향타겟식 스퍼터링 장치를 이용하여 $SiO_2$/Si 기판강에 ZnO 박막을 제작하였으며, 막의 결정성에 악 영향을 미치는 초기 성장층을 제어 할 수 있는 ZnO buffer-layer를 도입하여 박막의 결정학적 특성을 알아보았다. 제작된 박막의 결정성 및 c-축 우선배향성은 XRD를 사용하여 측정하였다. 측정 결과 ZnO buffer layer의 두께 10, 20 nm와 가스압력 1 mTorr일 때 ZnO 박막의 결정성이 가장 우수함을 알 수 있었다.

• Transactions on Electrical and Electronic Materials
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• 제12권3호
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• pp.102-105
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• 2011

This work describes the characteristics of zinc oxide (ZnO) thin films formed on a polycrystalline (poly) 3C-SiC buffer layer using a sol-gel process. The deposited ZnO films were characterized using X-ray diffraction, scanning electron microscopy, and photoluminescence (PL) spectra. ZnO thin films grown on the poly 3C-SiC buffer layer had a nanoparticle structure and porous film. The effects of post-annealing on ZnO film were also studied. The PL spectra at room temperature confirmed the crystal quality and optical properties of ZnO thin films formed on the 3C-SiC buffer layer were improved due to close lattice mismatch in the ZnO/3C-SiC interface.

• 태양에너지
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• 제19권1호
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• pp.29-36
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• 1999

ZnO/n-Si junctions were fabricated by spin coating with ZnO precursor produced by the sol-gel process. In order to increase the electrical conductivity of ZnO films, the films were n-doped with Al impurity and subsequently annealed at about $450^{\circ}C$ under reducing environments. The ohmic contacts between n-Si and AI for a bottom electrode were successfully fabricated by doping the rear surface of Si substrate with phosphorous atoms. The front surface of the substrate was also doped with phosphorous atoms for improving the efficiency of the solar cells. Consequently, conversion efficiencies ranging up to about 5.3% were obtained. These efficiencies were found to decrease slowly with time because of the oxide films formed at the ZnO/Si interface upon oxygen penetration through the porous ZnO. Oxygen barrier layers could be necessary in order to prevent the reduction of conversion efficiencies.