Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference (한국전기전자재료학회:학술대회논문집)
- 2007.06a
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- Pages.405-405
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- 2007
Optical and electrical properties of n-ZnO/p-Si heterojunctions and its dependence on annealing conditions
열처리 조건에 따른 n-ZnO/p-Si 이종접합 다이오드의 광학적, 전기적 성질의 변화
- Han, Won-Suk (Sungkyunkwan University, School of Advanced Materials Science & Engineering) ;
- Kong, Bo-Hyun (Sungkyunkwan University, School of Advanced Materials Science & Engineering) ;
- Ahn, Cheol-Hyoun (Sungkyunkwan University, School of Advanced Materials Science & Engineering) ;
- Kim, Young-Yi (Sungkyunkwan University, School of Advanced Materials Science & Engineering) ;
- Kim, Dong-Chan (Sungkyunkwan University, School of Advanced Materials Science & Engineering) ;
- Kang, Si-Woo (Sungkyunkwan University, School of Advanced Materials Science & Engineering) ;
- Yi, Yu-Jin (Sungkyunkwan University, School of Advanced Materials Science & Engineering) ;
- Kim, Hyoung-Sub (Sungkyunkwan University, School of Advanced Materials Science & Engineering) ;
- Cho, Hyung-Koun (Sungkyunkwan University, School of Advanced Materials Science & Engineering)
- 한원석 (성균관대학교 신소재공학부) ;
- 공보현 (성균관대학교 신소재공학부) ;
- 안철현 (성균관대학교 신소재공학부) ;
- 김영이 (성균관대학교 신소재공학부) ;
- 김동찬 (성균관대학교 신소재공학부) ;
- 강시우 (성균관대학교 신소재공학부) ;
- 이유진 (성균관대학교 신소재공학부) ;
- 김형섭 (성균관대학교 신소재공학부) ;
- 조형균 (성균관대학교 신소재공학부)
- Published : 2007.06.21
Abstract
ZnO는 상온에서 3.38eV의 넓은 밴드갭을 가지는 직접천이형 반도체이며, 60meV의 큰 엑시톤 결합에너지를 가지는 UV 영역의 광소자로 응용할 수 있는 물질이다. 특히 ZnO를 이용한 LED에 대한 연구가 최근 활발히 이루어지고 있다. 그러나 n-ZnO/p-ZnO 동종접합 다이오드는 p-ZnO의 재현성이 없고, 낮은 정공농도를 보이기 때문에 n-ZnO를 기반으로 한 이종접합 다이오드의 개발이 필요하게 되었다. 특히 n-ZnO/p-Si 이종접합 다이오드는 낮은 구동전압과 제조단가가 저렴하다는 장점이 있다 또한 n-ZnO를 스퍼터링을 이용하여 증착할 경우 고온에서 성장함에도 불구하고 케리어 농도 및 이동도가 매우 낮다. 반면 MOCVD 법은 대면적 증착이 가능하고 비교적 낮은 온도에서 박막을 성장할 수 있고 전기적 특성 또한 매우 우수하다. 본 연구에서는 p-Si 기판위에 MOCVD 를 이용하여 n-ZnO를 증착하고, 이를 열처리하여 n-ZnO/p-Si 이종접합 다이오드의 특성 변화를 관찰하고자 하였다. n-ZnO/p-Si 시편을