This study aims to reduce the rancid odor generated during the fermentation process of kimchi by inserting zinc oxide (ZnO) into an inorganic porous material with a high surface area to decompose or adsorb the fermentation odor. ZnO activated by the presence of moisture exhibits decomposition of rancid odors. Mixed with Titanium dioxide (TiO2), a photocatalyst. To manufacture the packaging liner used in this study, NaOH, ZnCl2, and TiO2 powder were placed in a tank with diatomite and water. The sludge obtained via a hydrothermal ultrasonication synthesis was sintered in an oven. After being pin-milled and melt-blended, the powders were mixed with linear low-density polyethylene (L-LDPE) to make a masterbatch (M/B), which was further used to manufacture liners. A gas detector (GasTiger 2000) was used to investigate the total amount of sulfur compounds during fermentation and determine the reduction rate of the odor-causing compounds. The packaging liner cross-section and surface were investigated using a scanning electron microscope-energy dispersive X-ray spectrometer (SEM-EDS) to observe the adsorption of sulfur compounds. A variety of sulfur compounds associated with the perceived unpleasant odor of kimchi were analyzed using gas chromatography-mass spectrometry (GC-MS). For the analyses, kimchi was homogenized at room temperature and divided into several sample dishes. The performance of the liner was evaluated by comparing the total area of the GC-MS signals of major off-flavor sulfur compounds during the five days of fermentation at 20℃. As a result, Nano-grade inorganic compound liners reduced the sulfur content by 67 % on average, compared to ordinary polyethylene (PE) foam liners. Afterwards SEM-EDS was used to analyze the sulfur content adsorbed by the liners. The findings of this study strongly suggest that decomposition and adsorption of the odor-generating compounds occur more effectively in the newly-developed inorganic nanocomposite liners.
Son, Jin Gyeong;Choi, Eunjin;Piao, Yuanzhe;Han, Sang Woo;Lee, Tae Geol
Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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2016.02a
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pp.355-355
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2016
There has been an explosive development of nanocrystal (NC) synthesis and application due to their composition-dependent specific properties. Despite the composition, shape, and size of NCs foremost determine their physicochemical properties, the surface state and molecule conjugation also drastically change their characteristics. To make practical use of NCs, it is a prerequisite to understand the NC surface state and the degree to which they have been modified because the reaction occurs on the interface between the NCs and the surrounding medium. We report in here an analysis method to identify conjugated ligands and their binding states on semiconductor nanocrystals based on their molecular information. Surface science techniques, such as time-of-flight secondary-ion mass spectrometry (ToF-SIMS) and FT-IR spectroscopy, are adopted based on the micro-aggregated sampling method. Typical trioctylphosphine oxide-based synthesis methods of CdSe/ZnS quantum dots (QDs) have been criticized because of the peculiar effects of impurities on the synthesis processes. Since the ToF-SIMS technique provides molecular composition evidence on the existence of certain ligands, we were able to clearly identify the n-octylphosphonic acid (OPA) as a surface ligand on CdSe/ZnS QDs. Furthermore, the complementary use of the ToF-SIMS technique with the FT-IR technique could reveals the OPA ligands' binding state as bidentate complexes.
Plasma Display Panels(PDPs) require to have improved luminous efficiency, low manufacturing cost, and high image quality to compete with other flat display devices such as Liquid Crystal Displays(LCDs) and organic light-emitting diodes(OLEDs). In addition, the diversity of product line-up may be needed for high market share. In this paper, the optical characteristics of typical green phosphor for PDP application are reviewed and the problem-based solution will be proposed. We also shortly describe the principle of 3D-PDPs which are promising. Then, the requirement of green phosphor for 3D-PDP application is summarized and research achievement, as of now, is described. The typical problems of $Zn_2SiO_4:Mn$ phosphor, which is the most well-known, are the negatively charged surface property and the long decay time, which leads to unstable discharge in green cell and afterimage. These problems were solved by coating the phosphor surface with metallic oxide. It was found that $Al_2O_3$ would be the best material for $Zn_2SiO_4:Mn$ phosphor. It gives longevity as well as low operating voltage due to the charging effect in green cells. Also, new phosphors, $(Y,\;Gd)Al_3(BO_3)_4:Tb$ and $(Mg,\;Zn)Al_2O_4:Mn$ phosphor are proposed for increasing the luminance and reducing the decay time, which are capable to apply for 3D-PDP application.
Kim, Hyun Chul;Cha, Hee Jin;Shin, Dong Un;Koo, Yong Keun;Cho, Hye Won;Lee, Seung Ju
KOREAN JOURNAL OF PACKAGING SCIENCE & TECHNOLOGY
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v.27
no.2
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pp.101-107
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2021
Time-temperature integrators (TTIs) based on aqueous enzyme solutions produce transparent colors which lead to difficulty in distinguishing its color change by naked eye. In this present study, this issue has been solved by increasing the opacity of laccase-based TTI without changes in the kinetics (same zero-order reaction) and temperature dependency (similar Arrhenius activation energy values) of the color change. The opacity was increased by introducing TiO2, latex, BaSO4, or ZnO, in combination with a hydrocolloid (xanthan gum, acacia gum, pectin, and CMC) into the TTI system. The combination of TiO2 and xanthan gum was the best. This finding broadened the advantages of laccase-based TTI to more practical uses for consumer convenience.
Journal of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers
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v.32
no.5
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pp.371-375
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2019
Developing a thin-film transistor with characteristics such as a large area, high mobility, and high reliability are key elements required for the next generation on displays. In this paper, we have investigated the research trends related to improving the reliability of oxide-semiconductor-based thin-film transistors, which are the primary focus of study in the field of optical displays. It has been reported that thermal treatment in a high-pressure oxygen atmosphere reduces the threshold voltage shift from -7.1 V to -1.9 V under NBIS. Additionally, a device with a $SiO_2/Si_3N_4$ dual-structure has a lower threshold voltage (-0.82 V) under NBIS than a single-gate-insulator-based device (-11.6 V). The dual channel structure with different oxygen partial pressures was also confirmed to have a stable threshold voltage under NBIS. These can be considered for further study to improve the NBIS problem.
Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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2015.08a
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pp.192.1-192.1
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2015
We demonstrated the nonvolatile memory functionality of nano-crystalline silicon (nc-Si) and InGaZnOxide (IGZO) thin film transistors (TFTs) using mobile protons that are generated by very short time hydrogen neutral beam (H-NB) treatment in gate insulator (SiO2). The whole memory fabrication process kept under $50^{\circ}C$ (except SiO2 deposition process; $300^{\circ}C$). These devices exhibited reproducible hysteresis, reversible switching, and nonvolatile memory behaviors in comparison with those of the conventional FET devices. We also executed hydrogen treatment in order to figure out the difference of mobile proton generation between PECVD and H-NB CVD that we modified. Our study will further provide a vision of creating memory functionality and incorporating proton-based storage elements onto a probability of next generation flexible memorable electronics such as low power consumption flexible display panel.
Seo, Han;Choe, Byeong-Hyeon;Ji, Mi-Jeong;Won, Ju-Yeon;Nam, Tae-Bang;Ju, Byeong-Gwon
Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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2009.11a
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pp.108-108
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2009
ITO에 사용되는 주된 재료인 인듐의 bixbyite 구조는 TCOs의 전기적 특성에서 매우 중요한 것으로 알려져 있다. 때문에 인듐의 Bixbyite구조를 유지하면서 인듐의 사용량을 줄이기 위해 최적의 Solubility limit에 관해 연구하였다. 이를 위해 In2O3-ZnO-SnO2의 삼성분계 기본 조성에 두가지 물질을 추가로 첨가하여 첨가량에 따른 Solubility limit을 연구하였다. Solubility limit의 측정을 위해 X-ray Diffractometer(XRD)를 사용하였으며, 첨가 원소의 양이 증가할수록 TCOs target의 Latice parameter값은 작아졌다, SEM을 통한 미세구조의 관찰로 원소첨가에 따른 샘플의 소결에너지 변화를 분석할 수 있었다. 제작된 시편의 정성분석 및 Chemical binding Energy를 측정하기 위해 X-ray Photo Spectroscopy (XPS)를 이용하였으며, 전기적인 특성 측정을위해 4-Point prove mesurement 방법을 사용하였다.
Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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1998.11a
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pp.281-285
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1998
The microstructure and conduction characteristics of ZnO varistor fabricated in the range of 0.0 ~ 4.0mol% $Y_20_3$ were investigated. With increasing$Y_20_3$ content, distribution of spinel phase decreased, whereas Y-rich phase segregated to the nodal point increased, as a result, the average grain size decreased in the range of $20.0 ~ 4.8{\mu}m$. $Y_20_3$ content showing relatively good conduction characteristics was l.Omol%, then nonlinear exponent and leakage current was 55.3, 0.66mA.respectively.
Journal of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers
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v.19
no.12
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pp.1144-1148
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2006
We have investigated liquid crystal (LC) aligning capabilities and electro-optical (EO) characteristics of transparent electrodes as Al-doped ZnO (AZO) substituting indium tin oxide (ITO). The experiment results show that a uniform vertical LC alignment on AZO electrodes based on a rubbed polyimide (PI) surface were achieved. A high pretilt angle of about $88^{\circ}$ was obtained. EO performances of the VA cell on rubbed PI surfaces with AZO electrodes are almost the same as that of the VA cell with ITO electrodes. These results appeared that AZO electrodes as transparent electrodes of LCDs could substitute ITO electrodes.
Low cost TCO(Transparent Conductive oxide) thin films were prepared by 3" DC/RF magnetron sputtering systems. For the AZO preparation processes a 99.99% AZO target (Zn: 98 wt.%, $Al_2O_3$: 2 wt.%) was used. In order to verify feasibility of the AZO thin films to organic light emitting device (OLED) application, test organic light emitting device was fabricated based on AZO as TCO, TPD as hole transporting layer (HTL), Alq3 as both emitting layer (EML) and electron transporting layer (ETL), and aluminium as cathode, where the both ITO and AZO surfaces were treated using $O_2$ RF plasma. The I-V characteristics of the AZO/TPD/Alq3/Al OLEDs were evaluated. As the results, the performance of the OLEDs with AZO as transparent conducting anode could be useable.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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