PP에 용융온도 조절을 위한 첨가제로 ZnO와 ADCA를 첨가하여 발포제의 온도를 약 $165^{\circ}C$로 조절 하였다. 이러한 혼합 분말은 $178{\sim}208^{\circ}C$ 온도범위의 금형에서 약 3분 동안 가압성형 되었다. $198^{\circ}C$, 발포제 1.0wt%에서 비교적 우수한 기공 분포를 나타냈다. 그 보다 낮은 온도에서는 기공형성이 충분치 않았고, 그 이상에서는 기공이 불균일하게 분포하여 측면이나 상부에 밀집되면서 더욱 큰 기공을 형성하는 경향을 보였다. 이렇게 제조된 PP 시트의 밀도는 0.518g/cc이었고, 기공률로 약 47%에 해당하였다.
Coating of Hot-dip galvannealed steel consists of various Fe-Zn intermetallic compounds. Since the coating is hard and there for is very brittle, the surface of steel sheet is easy to be ruptured during second manufacturing processing. This is called as powdering. In addition, forming equipment might be polluted with debris by powdering. Therefore, various research have been carried out to prohibit powdering fur improving the quality of GA steel. This paper carried out finite element analysis combined with damage model which simulate the failure of local layer of hot-dip galvannealed steel surface during v-bending test. Since the mechanical property of intermetallic compound was unknown exactly, we used the properties calculated from measurements. The specimen was divided into substrate, coating layer and interface layer. Local failure at coating layer or interface layer was simulated when elemental strain reached a prescribed strain.
한국정보디스플레이학회 2009년도 9th International Meeting on Information Display
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pp.1535-1537
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2009
High performance resistive type touch panel was fabricated on flexible polyethylene terephthalate (PET) substrates coated with Al- and Ga-codoped ZnO (AGZO) films. The AGZO films were deposited by roll-to-roll direct current magnetron sputter at room temperature. The AGZO thin films on PET substrates showed high transparency (> 85 % at 550 nm) and low sheet resistance (450 ${\Omega}$/sq.). These values were similar to those of commercial ITO films used for resistive type touch panel.
Thick film resistor paste was made utilizing oxide materials such as SnO, SnO+Sb2O3, and SnO+Zn. The oxide materials were mixed respectively with Q-12 glass powder and finally suspended in ethyl cellulose dissolved in ethyl cellosolve. Thick film resistor was made by screen printing the paste on the alumina substrate and firing it at a suitable temperature. Among thick films made from the resistor paste, the thick film containing 85% SnO and fired at $600^{\circ}C$ demonstrated the finest electrical properties showing 10 K ohm in sheet resistance, 110 ppm/$^{\circ}C$ in TCR. In general, TCR of the thick films made from the oxide-mixture paste is good in linearity, therefore it is suggested the oxide-mixture paste is utilized as the negative thermistor.
In the Present study, the effect of galvannealing conditions on the phase distribution of the Zn-Fe intermetallic phases in the coating layer of the galvannealed steel sheets(GA) was investigated in an interstitial free steel and two kinds of high strength steels. The composition profiles of the coating layers were analyzed using AA and EDS analysis, and the distribution of the intermetallic phases was examined with the aids of X-ray diffraction. On the basis of the pole figure and OIM analyses, it was clarified that the preferred orientation of the $\zeta$ phase depended on the development of the $\gamma$-fibre texture in the substrate.
본 논문은 초고속 광통신용 검출기로 사용되고 있는 InP/InGaAs Avalanche Photodiode (APD)에 대한 연구로서 구조 변화에 따른 APD의 특성에 대해 연구하였다. 채택된 APB의 기본 구조는 Separated Absorption, Grading, Charge and Multiplication (SAGCM)구조로 u-InP 의 두께 3.5$\mu\textrm{m}$에~2.9$\mu\textrm{m}$ 만큼 Zn diffusion 하였으며, u-InGaAs 의 흡수층 두께는 0.8$\mu\textrm{m}$ 로 하였다. charge sheet 층의 도핑 농도는 ~ 3.5 $\times$ 10/sup 12//cm/sup 2/ 이고, 전극 구조는 back side illumination type이다. (중략)
AZO/Ag/AZO multi-layer films deposited on glass substrate by RF magnetron sputtering and thermal evaporator have a much better electrical properties than Al-doped ZnO thin films. The multi-layer structure consisted of three layers, AZO/Ag/AZO, the electrical and optical properties of AZO/Ag/AZO were changed mainly by thickness of Ag layers. The optimum thickness of Ag layers was determined to be $90{\AA}$ for high optical transmittance and good electrical conductivity. The Ag layers thickness $90{\AA}$ is an optical transmittance greater than 80% of visible light and the obtained multilayer thin film with the low resistivity of $8.05{\times}10-3{\Omega}cm$ and the low sheet resistance $5.331{\Omega}/sq$. Applying to TCO and Solar electrode will improve efficiency.
Kim, Soon-Jae;Lee, Hoo-Jeong;Yoo, Hee-Jun;Park, Gum-Hee;Kim, Tae-Wook;Roh, Yong-Han
한국진공학회:학술대회논문집
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한국진공학회 2010년도 제39회 하계학술대회 초록집
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pp.169-169
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2010
As display industry requires various applications for future display technology, which can guarantees high level of flexibility and transparency on display panel, oxide semiconductor materials are regarded as one of the best candidates. $InGaZnO_4$(IGZO) has gathered much attention as a post-transition metal oxide used in active layer in thin-film transistor. Due to its high mobility fabricated at low temperature fabrication process, which is proper for application to display backplanes and use in flexible and/or transparent electronics. Electrical performance of amorphous oxide semiconductors depends on the resistance of the interface between source/drain metal contact and active layer. It is also affected by sheet resistance on IGZO thin film. Controlling contact/sheet resistance has been a hot issue for improving electrical properties of AOS(Amorphous oxide semiconductor). To overcome this problem, post-annealing has been introduced. In other words, through post-annealing process, saturation mobility, on/off ratio, drain current of the device all increase. In this research, we studied on the relation between device's resistance and post-annealing temperature. So far as many post-annealing effects have been reported, this research especially analyzed the change of electrical properties by increasing post-annealing temperature. We fabricated 6 main samples. After a-IGZO deposition, Samples were post-annealed in 5 different temperatures; as-deposited, $100^{\circ}C$, $200^{\circ}C$, $300^{\circ}C$, $400^{\circ}C$ and $500^{\circ}C$. Metal deposition was done on these samples by using Mo through E-beam evaporation. For analysis, three analysis methods were used; IV-characteristics by probe station, surface roughness by AFM, metal oxidation by FE-SEM. Experimental results say that contact resistance increased because of the metal oxidation on metal contact and rough surface of a-IGZO layer. we can suggest some of the possible solutions to overcome resistance effect for the improvement of TFT electrical performances.
MOCVD (Metal-Organic Chemical Vapor Deposition) 장비를 사용하여 BZO (boron doped zinc oxide, ZnO:B) 박막을 증착하고 수소 플라즈마 처리공정을 진행하였다. 본 연구는 수소 플라즈마 처리된 BZO 박막에 산소 플라즈마 재처리를 진행하여 BZO 박막의 특성 변화를 분석하였다. 그 결과 BZO 박막 성장은 (100), (101), (110)을 확인하였고, 산소 플라즈마 재처리에 의하여 일함수와 표면 저항이 증가하였다. 수소 플라즈마 처리만을 진행한 BZO 박막과 산소 플라즈마 재처리 공정을 진행한 BZO 박막의 300~1,100 nm에서 가중치 투과율은 86%로 변화하지 않았으며, 가중치 산란도는 12%에서 15%로 증가하였다.
칼라도장강판은 금속 제품의 제품화 공정 중에 도장 공정을 생략함으로 경제적이며, 제조공정 중 발생할 수 있는 VOCs(Volatile Organic Compounds)의 배출 염려가 없어 건축 및 가전 산업에 다용되고 있다. 칼라도장강판은 용융아연도금강판(GI), 전기아연도금강판(EGI), 용융알루미늄아연합금도금강판 등이 기재로 적용되고 있으며, 최근 마그네슘 성분이 첨가되는 고내식 도금강판 개발과 함께 고내식 도금강판을 이용한 칼라도장강판의 개발 및 수요 발굴을 위한 연구가 활발하게 진행 중에 있다. 칼라강판의 구성은 일반적으로 도막 밀착성 확보를 위한 화성처리층, 기재와 도막간의 밀착성과 내식성 개선을 위한 하도층(primer layer), 가공성, 내오염성, 의장성 등의 기능성 부여를 위한 상도층(top layer)의 구조로 도장되어 있다. 도료는 가공성, 내오염성, 경도 등의 기능성이 우수한 폴리에스테르 수지계가 가장 폭넓게 사용되고 경화제로는 멜라민 화합물과 이소시아네이트 화합물이 널리 사용되고 있다. 칼라도장 강판은 1970년대 이후 본격적으로 보급되어 사용되기 시작하였으며, 화성처리층은 밀착성과 내식성이 우수한 크로메이트처리가 널리 사용되고, 하도층은 방청성이 우수한 크로메이트계 방청 안료를 함유시킨 도료가 일반적이다. 그러나, 전기전자 제품에 적용되는 칼라도장강판은 2006년에 RoHS 규제의 시행과 더불어 6가 크롬 사용 제한의 영향으로 크롬프리 화성처리가 일반화되어 적용되고 있으며, 그 동안 6가 크롬 제안이 유보적이었던 건축용 칼라도장강판 또한 크롬프리 화성처리층 및 크로메이트계 방청 안료의 하도층 적용을 회피하고 있는 추세이다. 이에 따라, 고내식 합금도금강판을 기재로 사용하고 기존의 화성처리층과 하도층에 크롬프리 수지를 적용하는 연구개발이 활발하게 진행 중에 있다. 본 연구에서는 마그네슘이 첨가된 고내식 합금도금강판으로 Al-Mg-S i강판과 용융 Zn-Al-Mg 합금도금강판에 기존의 상용화 공정에서 사용되는 크롬계 및 크로프리 화성처리 적용 칼라도장강판에 대한 내식성 등 칼라도장강판의 특성에 대해 발표한다.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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