Journal of the Korean Institute of Telematics and Electronics A
/
v.32A
no.9
/
pp.121-127
/
1995
We have analyzed the double insulating layer consisting of anodic oxide and ZnS through TEM experiments. The use of double insulating layer for HgCdTe surface passivation is one of the promising passivation method which has been recently studied deeply and the double insulating layer is formed by the evaporation of ZnS on the top of anodic oxide layer grown in H$_{2}$O$_{2}$ electrolyte. The structure of anodic oxide layer on HgCdTe is amorphous but the structure of oxide layer after the evaporation of ZnS has been changed to micro-crystalline. The interface layer of 150.angs. thickness has been found between ZnS and anodic oxide layer and is estimated to be ZnO layer. The results of analysis on the chemical components of ZnS, the interface layer and anodic oxide layer have showed that Zn has diffused into the anodic oxide layer deeply while Hg has been significantly decreased from HgCdTe bulk to the top of oxide layer. The formation of ZnO interface layer and the change of structure of anodic oxide layer after the evaporation of ZnS are estimated to be defects or to induce the defects which might possibly affect the increase of the positive fixed charges shown in C-V measurements of HgCdTe MIS.
Journal of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers
/
v.18
no.12
/
pp.1117-1123
/
2005
In this study, our varistors based on M. Matsuoka's composition were fabricated with ZnO nano-powder whose sizes were 50 nm and 100 nm. Before fabrication of ZnO nano-powder varistors, structure and Phase were analyzed by FE-SEM and XRD with size of ZnO nano-powders to obtain manufacturing information to fabricate the first ZnO varistors using by nano-powders. As a results of these analyses, calcination and sintering temperatures were respectively designed at $600^{\circ}C\;and\;1050^{\circ}C$. ZnO nano-powder varistors were analyzed by SEM and XRD to measure the changes of microstructures and phase after sintered by out process conditions. Also, electrical properties of ZnO nano-powder varistors were obtained by capacitance-voltage, frequency-teal impedance, and current-voltage corves. Our ZnO nano-powder varistors had about 2.5 times of electric field at varistor voltage as compared with normal ZnO varistors fabricated with micro-powder. Also, leakage current and non-liner coefficient respectively had $2.0{\times}10^{-6}A/cm^{-2}$ and 41 for ZnO nano-powder varistors with 50 nm.
Journal of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers
/
v.19
no.8
/
pp.769-774
/
2006
In this paper the ZnO thin films, which has used spotlight of next generation short wavelength LEDs and semiconductor laser were deposited based on RF magnetron sputtering is described. The temperature at substrate and work pressure, which has implemented in sputtering process of ZnO thin films were settle down at $100^{\circ}C$ and 15 mTorr respectively. The ZnO 5N has used target. The thickness of ZnO thin films was about $1.6{\mu}m$ which was measured by SEM analysis after the sputtering process. Structural properties of ZnO thin films by in-situ and atmosphere annealing were analyzed by XRD. Transformation of grain size and surface roughness were observed by AFM. XPS spectra showed that ZnO thin film had a peak positions corresponding to the $Zn_{2p}$ and the $O_{1s}$. As form above XPS, we confirmed that post-annealing condition changed the atom ratio of Zn/O and microstructure in ZnO thin films.
ZnO, II-VI group inorganic compound semi-conductor, has been receiving much attention due to its wide applications in various fields. Since the ZnO has 3.37 eV of a wide band gap and 60 meV of big excitation binding energy, it is well-known material for various uses such the optical property, a semi-conductor, magnetism, antibiosis, photocatalyst, etc. When applied in the field of photocatalyst, many research studies have been actively conducted regarding magnetic materials and the core-shell structure to take on the need of recycling used materials. In this paper, magnetic core-shell ZnFe2O4@SiO2 nanoparticles (NPs) have been successfully synthesized through three steps. In order to analyze the structural characteristics of the synthesized substances, X-ray diffraction (XRD), scanning electron microscopy (SEM), and Fourier transform infrared spectroscopy (FT-IR) were used. The spinel structure of ZnFe2O4 and the wurtzite structure of ZnO were confirmed by XRD, and ZnO production rate was confirmed through the analysis of different concentrations of the precursors. The surface change of the synthesized materials was confirmed by SEM. The formation of SiO2 layer and the synthesis of ZnFe2O4@ZnO@SiO2 NPs were finally verified through the bond of Fe-O, Zn-O and Si-O-Si by FT-IR. The magnetic property of the synthesized materials was analyzed through the vibrating sample magnetometer (VSM). The increase and decrease in the magnetism were respectively confirmed by the results of the formed ZnO and SiO2 layer. The photocatalysis effect of the synthesized ZnFe2O4 @ZnO@SiO2 NPs was experimented in a black box (dark room) using methylene blue (MB) under UV irradiation.
We investigated theoretically the magnetic field dependence of the quantum optical transition of qusi 2-Dimensional Landau splitting system, in CdS and ZnO. In this study, we investigate electron confinement by square well confinement potential in magnetic field system using quantum transport theory(QTR). In this study, theoretical formulas for numerical analysis are derived using Liouville equation method and Equilibrium Average Projection Scheme (EAPS). In this study, the absorption power, P (B), and the Quantum Transition Line Widths (QTLWS) of the magnetic field in CdS and ZnO can be deduced from the numerical analysis of the theoretical equations, and the optical quantum transition line shape (QTLS) is found to increase. We also found that QTLW, ${\gamma}(B)_{total}$ of CdS < ${\gamma}(B)_{total}$ of ZnO in the magnetic field region B<25 Tesla.
Kim, Young-Woong;Park, In-Sung;Kim, Young-Bae;Choi, Duck-Kyun
Journal of the Korean Crystal Growth and Crystal Technology
/
v.17
no.5
/
pp.187-191
/
2007
The device performance of ZnO-thin film transistors(ZnO-TFTs) with gate dielectrics of $SiO_2,\;SiN_x$ and Polyvinylphenol(PVP) having a bottom gate configuration were investigated. ZnO-TFTs can induce high device performance with low intrinsic carrier concentration of ZnO only by controlling gas flow rates without additional doping or annealing processes. The field effect mobility and on/off ratio of ZnO-TFTs with $SiN_x$ were $20.2cm^2V^{-1}s^{-1}\;and\;5{\times}10^6$ respectively which is higher than those previously reported. The device adoptable values of the mobility of $1.37cm^2V^{-1}s^{-1}$ and the on/off ratio of $6{\times}10^3$ were evaluated from the device with organic PVP dielectric.
The Transactions of The Korean Institute of Electrical Engineers
/
v.61
no.6
/
pp.817-820
/
2012
We studied p-type capacitance characteristics of ZnO thin-film transistors (TFT's), grown by metal organic chemical vapor deposition (MOCVD). We compared two ZnO TFT's: one grown at $450^{\circ}C$ and the other grown at $350^{\circ}C$. ZnO grown at $450^{\circ}C$ showed smooth capacitance profile with electron density of $1.5{\times}10^{20}cm^{-3}$. In contrast, ZnO grown at $350^{\circ}C$ showed a capacitance jump when gate voltage was changed to negative voltages. Current-voltage characteristics measured in the two samples did not show much difference. We explain that the capacitance jump is related to p-type ZnO layer formed at the $SiO_2$ interface. Current-voltage and capacitance-voltage data support that p-type characteristics are observed only when background electron density is very low.
Kim, K.W.;Oh, W.S.;Jang, G.E.;Park, D.W.;Lee, J.O.;Kim, B.S.
Journal of the Korean institute of surface engineering
/
v.41
no.1
/
pp.12-15
/
2008
The zinc oxide(ZnO) nanowires were deposited on Si(001) substrates by thermal chemical vapour deposition without any catalysts. SEM data suggested that the grown nanostructures were the well-aligned ZnO single crystals with preferential orientation. Back-gate ZnO nanowire field effect transistors(FET) were successfully fabricated using a photolithography process. The fabricated nanowire FET exhibits good contact between the ZnO nonowire and Au metal electrodes. Based on I-V characteristics it was found out that the ZnO nanowire revealed a characteristic of n-type field effect transistor. The drain current increases with increasing drain voltage, and the slopes of the $I_{ds}-V_{ds}$ curves are dependent on the gate voltage.
저 전압용 형광체는 최근에 활발히 연구가 진행되고 있으며 가장 대표적인 형광체가 ZnO : Zn 녹색 형광체이다. ZnO : Zn 형광체는 자체발광형 형광체로써 ZnO을 환원분위기 하에서 열처리를 함으로써 얻을 수 있다. 본 연구에서는 자발착화 연소반응법(Glycine Nitrate Process)을 이용하여 ZnO : Zn 분말을 합성하고 형광특성 및 분말특성을 알아보았다. 출발물질로는 Zn Nitrate와 Glycine을 이용하였고 자발연소 반응이 발생하는데 적절한 글리신의 양을 확인하기 위해서 글리신과 양이온의 비를 변화시키며 ZnO를 합성하였다. 그리고 Zn Excess가 생겨난 양과 그에 따른 형광특성을 관찰하기 위해 $N_2$ 분위기에서 각기 $500^{\circ}C,\;750^{\circ}C,\;950^{\circ}C$의 온도에서 열처리를 행하였다. 제조된 ZnO 분말의 입자형태와 결정상태는 SEM과 XRD를 이용하여 분석하였고 TG-DTA를 측정하여 열처리 온도에 따른 질량감소(ZR excess)를 관찰하였다. 또 Particle size analyzer로 분말의 크기를 알아보았고 형광체로써의 발광특성을 살펴보기 위해 PL을 이용하여 발광피크를 관찰하였다.
To observe the formation of defects at the interface between an oxide semiconductor and $SiO_2$, ZnO was prepared on $SiO_2$ with various oxygen gas flow rates by RF magnetron sputtering deposition. The crystallinity of ZnO depends on the characteristic of the surface of the substrate. The crystallinity of ZnO on a Si wafer increased due to the activation of ionic interactions after an annealing process, whereas that of ZnO on $SiO_2$ changed due to the various types of defects which had formed as a result of the deposition conditions and the annealing process. To observe the chemical shift to understand of defect deformations at the interface between the ZnO and $SiO_2$, the O 1s electron spectra were convoluted into three sub-peaks by a Gaussian fitting. The O 1s electron spectra consisted of three peaks as metal oxygen (at 530.5 eV), $O^{2-}$ ions in an oxygen-deficient region (at 531.66 eV) and OH bonding (at 532.5 eV). In view of the crystallinity from the peak (103) in the XRD pattern, the metal oxygen increased with a decrease in the crystallinity. However, the low FWHM (full width at half maximum) at the (103) plane caused by the high crystallinity depended on the increment of the oxygen vacancies at 531.66 eV due to the generation of $O^{2-}$ ions in the oxygen-deficient region formed by thermal activation energy.
본 웹사이트에 게시된 이메일 주소가 전자우편 수집 프로그램이나
그 밖의 기술적 장치를 이용하여 무단으로 수집되는 것을 거부하며,
이를 위반시 정보통신망법에 의해 형사 처벌됨을 유념하시기 바랍니다.
[게시일 2004년 10월 1일]
이용약관
제 1 장 총칙
제 1 조 (목적)
이 이용약관은 KoreaScience 홈페이지(이하 “당 사이트”)에서 제공하는 인터넷 서비스(이하 '서비스')의 가입조건 및 이용에 관한 제반 사항과 기타 필요한 사항을 구체적으로 규정함을 목적으로 합니다.
제 2 조 (용어의 정의)
① "이용자"라 함은 당 사이트에 접속하여 이 약관에 따라 당 사이트가 제공하는 서비스를 받는 회원 및 비회원을
말합니다.
② "회원"이라 함은 서비스를 이용하기 위하여 당 사이트에 개인정보를 제공하여 아이디(ID)와 비밀번호를 부여
받은 자를 말합니다.
③ "회원 아이디(ID)"라 함은 회원의 식별 및 서비스 이용을 위하여 자신이 선정한 문자 및 숫자의 조합을
말합니다.
④ "비밀번호(패스워드)"라 함은 회원이 자신의 비밀보호를 위하여 선정한 문자 및 숫자의 조합을 말합니다.
제 3 조 (이용약관의 효력 및 변경)
① 이 약관은 당 사이트에 게시하거나 기타의 방법으로 회원에게 공지함으로써 효력이 발생합니다.
② 당 사이트는 이 약관을 개정할 경우에 적용일자 및 개정사유를 명시하여 현행 약관과 함께 당 사이트의
초기화면에 그 적용일자 7일 이전부터 적용일자 전일까지 공지합니다. 다만, 회원에게 불리하게 약관내용을
변경하는 경우에는 최소한 30일 이상의 사전 유예기간을 두고 공지합니다. 이 경우 당 사이트는 개정 전
내용과 개정 후 내용을 명확하게 비교하여 이용자가 알기 쉽도록 표시합니다.
제 4 조(약관 외 준칙)
① 이 약관은 당 사이트가 제공하는 서비스에 관한 이용안내와 함께 적용됩니다.
② 이 약관에 명시되지 아니한 사항은 관계법령의 규정이 적용됩니다.
제 2 장 이용계약의 체결
제 5 조 (이용계약의 성립 등)
① 이용계약은 이용고객이 당 사이트가 정한 약관에 「동의합니다」를 선택하고, 당 사이트가 정한
온라인신청양식을 작성하여 서비스 이용을 신청한 후, 당 사이트가 이를 승낙함으로써 성립합니다.
② 제1항의 승낙은 당 사이트가 제공하는 과학기술정보검색, 맞춤정보, 서지정보 등 다른 서비스의 이용승낙을
포함합니다.
제 6 조 (회원가입)
서비스를 이용하고자 하는 고객은 당 사이트에서 정한 회원가입양식에 개인정보를 기재하여 가입을 하여야 합니다.
제 7 조 (개인정보의 보호 및 사용)
당 사이트는 관계법령이 정하는 바에 따라 회원 등록정보를 포함한 회원의 개인정보를 보호하기 위해 노력합니다. 회원 개인정보의 보호 및 사용에 대해서는 관련법령 및 당 사이트의 개인정보 보호정책이 적용됩니다.
제 8 조 (이용 신청의 승낙과 제한)
① 당 사이트는 제6조의 규정에 의한 이용신청고객에 대하여 서비스 이용을 승낙합니다.
② 당 사이트는 아래사항에 해당하는 경우에 대해서 승낙하지 아니 합니다.
- 이용계약 신청서의 내용을 허위로 기재한 경우
- 기타 규정한 제반사항을 위반하며 신청하는 경우
제 9 조 (회원 ID 부여 및 변경 등)
① 당 사이트는 이용고객에 대하여 약관에 정하는 바에 따라 자신이 선정한 회원 ID를 부여합니다.
② 회원 ID는 원칙적으로 변경이 불가하며 부득이한 사유로 인하여 변경 하고자 하는 경우에는 해당 ID를
해지하고 재가입해야 합니다.
③ 기타 회원 개인정보 관리 및 변경 등에 관한 사항은 서비스별 안내에 정하는 바에 의합니다.
제 3 장 계약 당사자의 의무
제 10 조 (KISTI의 의무)
① 당 사이트는 이용고객이 희망한 서비스 제공 개시일에 특별한 사정이 없는 한 서비스를 이용할 수 있도록
하여야 합니다.
② 당 사이트는 개인정보 보호를 위해 보안시스템을 구축하며 개인정보 보호정책을 공시하고 준수합니다.
③ 당 사이트는 회원으로부터 제기되는 의견이나 불만이 정당하다고 객관적으로 인정될 경우에는 적절한 절차를
거쳐 즉시 처리하여야 합니다. 다만, 즉시 처리가 곤란한 경우는 회원에게 그 사유와 처리일정을 통보하여야
합니다.
제 11 조 (회원의 의무)
① 이용자는 회원가입 신청 또는 회원정보 변경 시 실명으로 모든 사항을 사실에 근거하여 작성하여야 하며,
허위 또는 타인의 정보를 등록할 경우 일체의 권리를 주장할 수 없습니다.
② 당 사이트가 관계법령 및 개인정보 보호정책에 의거하여 그 책임을 지는 경우를 제외하고 회원에게 부여된
ID의 비밀번호 관리소홀, 부정사용에 의하여 발생하는 모든 결과에 대한 책임은 회원에게 있습니다.
③ 회원은 당 사이트 및 제 3자의 지적 재산권을 침해해서는 안 됩니다.
제 4 장 서비스의 이용
제 12 조 (서비스 이용 시간)
① 서비스 이용은 당 사이트의 업무상 또는 기술상 특별한 지장이 없는 한 연중무휴, 1일 24시간 운영을
원칙으로 합니다. 단, 당 사이트는 시스템 정기점검, 증설 및 교체를 위해 당 사이트가 정한 날이나 시간에
서비스를 일시 중단할 수 있으며, 예정되어 있는 작업으로 인한 서비스 일시중단은 당 사이트 홈페이지를
통해 사전에 공지합니다.
② 당 사이트는 서비스를 특정범위로 분할하여 각 범위별로 이용가능시간을 별도로 지정할 수 있습니다. 다만
이 경우 그 내용을 공지합니다.
제 13 조 (홈페이지 저작권)
① NDSL에서 제공하는 모든 저작물의 저작권은 원저작자에게 있으며, KISTI는 복제/배포/전송권을 확보하고
있습니다.
② NDSL에서 제공하는 콘텐츠를 상업적 및 기타 영리목적으로 복제/배포/전송할 경우 사전에 KISTI의 허락을
받아야 합니다.
③ NDSL에서 제공하는 콘텐츠를 보도, 비평, 교육, 연구 등을 위하여 정당한 범위 안에서 공정한 관행에
합치되게 인용할 수 있습니다.
④ NDSL에서 제공하는 콘텐츠를 무단 복제, 전송, 배포 기타 저작권법에 위반되는 방법으로 이용할 경우
저작권법 제136조에 따라 5년 이하의 징역 또는 5천만 원 이하의 벌금에 처해질 수 있습니다.
제 14 조 (유료서비스)
① 당 사이트 및 협력기관이 정한 유료서비스(원문복사 등)는 별도로 정해진 바에 따르며, 변경사항은 시행 전에
당 사이트 홈페이지를 통하여 회원에게 공지합니다.
② 유료서비스를 이용하려는 회원은 정해진 요금체계에 따라 요금을 납부해야 합니다.
제 5 장 계약 해지 및 이용 제한
제 15 조 (계약 해지)
회원이 이용계약을 해지하고자 하는 때에는 [가입해지] 메뉴를 이용해 직접 해지해야 합니다.
제 16 조 (서비스 이용제한)
① 당 사이트는 회원이 서비스 이용내용에 있어서 본 약관 제 11조 내용을 위반하거나, 다음 각 호에 해당하는
경우 서비스 이용을 제한할 수 있습니다.
- 2년 이상 서비스를 이용한 적이 없는 경우
- 기타 정상적인 서비스 운영에 방해가 될 경우
② 상기 이용제한 규정에 따라 서비스를 이용하는 회원에게 서비스 이용에 대하여 별도 공지 없이 서비스 이용의
일시정지, 이용계약 해지 할 수 있습니다.
제 17 조 (전자우편주소 수집 금지)
회원은 전자우편주소 추출기 등을 이용하여 전자우편주소를 수집 또는 제3자에게 제공할 수 없습니다.
제 6 장 손해배상 및 기타사항
제 18 조 (손해배상)
당 사이트는 무료로 제공되는 서비스와 관련하여 회원에게 어떠한 손해가 발생하더라도 당 사이트가 고의 또는 과실로 인한 손해발생을 제외하고는 이에 대하여 책임을 부담하지 아니합니다.
제 19 조 (관할 법원)
서비스 이용으로 발생한 분쟁에 대해 소송이 제기되는 경우 민사 소송법상의 관할 법원에 제기합니다.
[부 칙]
1. (시행일) 이 약관은 2016년 9월 5일부터 적용되며, 종전 약관은 본 약관으로 대체되며, 개정된 약관의 적용일 이전 가입자도 개정된 약관의 적용을 받습니다.