• Transactions on Electrical and Electronic Materials
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• 제16권4호
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• pp.221-225
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• 2015

The sintering effect on the microstructure, electrical properties, and dielectric characteristics of ZnO-V₂O₅-MnO₂-Nb₂O₅-Dy₂O₃-based ceramics was investigated. With the increase of sintering temperature from 875 to 950℃, the density of the sintered pellets decreased from 5.57 to 5.45 g/cm³ and the average grain size increased from 4.3 to 10.9 μm. The breakdown field decreased noticeably from 6,095 to 996 V/cm with the increase of sintering temperature. The varistor ceramics sintered at 900℃ exhibited the best nonlinear properties: 39.2 in the nonlinear coefficient and 0.24 mA/cm² in the leakage current density. The dielectric constant increased sharply from 658.6 to 2,928.8 with the increase of sintering temperature. On the whole, the dissipation factor exhibited a fluctuation with the increase of the sintering temperature, and a minimum value of 0.284 at 900℃.

• 조명전기설비학회논문지
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• 제21권1호
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• pp.118-124
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• 2007

본 논문에서는 임펄스전류의 크기와 인가횟수가 ZnO바리스터의 수명에 미치는 영향에 관한 것으로 뇌임펄스전류가 ZnO바리스터의 성능에 미치는 영향을 분석하기 위하여 $8/20[{\mu}s]$임펄스전류가 인가되기 전후 ZnO바리스터의 상용주파수 교류전압에 대한 저항성 누설전류와 손실전력을 측정하였다. 그 결과 $8/20[{\mu}s]$임펄스전류의 인가횟수가 증가함에 파라 ZnO바리스터에 흐르는 저항성 누설전류는 증가하고 통과시간은 길어졌다. ZnO바리스터의 수명은 뇌임펄스전류의 크기와 인가횟수에 대해서 평가하는 것이 바람직하다.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 1998년도 추계학술대회 논문집
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• pp.281-285
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• 1998

The microstructure and conduction characteristics of ZnO varistor fabricated in the range of 0.0 ~ 4.0mol% $Y_20_3$ were investigated. With increasing$Y_20_3$ content, distribution of spinel phase decreased, whereas Y-rich phase segregated to the nodal point increased, as a result, the average grain size decreased in the range of $20.0 ~ 4.8{\mu}m$. $Y_20_3$ content showing relatively good conduction characteristics was l.Omol%, then nonlinear exponent and leakage current was 55.3, 0.66mA.respectively.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 1989년도 춘계학술대회 논문집
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• pp.101-104
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• 1989

Thermal Electet of the Zinc Oxide varistor has been studied in the temperature range of -130~200[$^{\circ}C$] and the electric field of 6[kV/m]. It appears that there are four peaks of thermally stimulated current; $\alpha$, $\beta$, ${\gamma}$ and $\delta$ spectra appearing at the temperature range of 160, 130, 20 and -30[$^{\circ}C$], respectively. It seems that the origin of $\alpha$, $\beta$, ${\gamma}$ and $\delta$ peaks are associated with the depolarization of donor ions in the depletion layer, the detrapping of trapped electron in the surface, the detrapping of trapped electron in the donor level and the detrapping of trapped electron between grain and intergranular, respectively.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2004년도 추계학술대회 논문집 Vol.17
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• pp.636-639
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• 2004

This paper presents the fabrication and performance evaluation of zinc oxide varistors for the arresters used for station system. ZnO varistors were fabricated with typical ceramic production methods and the structural and electrical characteristics were investigated. All varistors exhibited high density, which were in the range of $5.41{\sim}5.49g/cm^3$. In the electrical properties the reference voltage increased in the range of $4.410{\sim}5.250kV$ with increasing their thickness and the residual voltage exhibited the same trends as the reference voltage. In the long duration current impulse withstand test, E-2 and F-1 samples failed in the two and four shots, respectively, but E-1 and F-2 samples survived 18 shots during the test. Before and after this test, the variation ratio of residual voltage of E-1 and F-2 samples were -0.34% and 0.05%, respectively, which were in the acceptance range of 5%. According to the results of tests, it is thought that if the fabrication process such as insulating coating, sintering condition, and soldering method is improved, these ZnO varistors would be possible to apply to the station class arresters in the new future.

• 한국산학기술학회논문지
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• 제19권4호
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• pp.93-102
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• 2018

본 논문은 뇌격전류에 따른 저압 배전계통의 전자식 전력량계 및 배전 패널의 통신설비와 전원장치를 보호할 목적으로 사용하는 서지보호장치(SPD)에 관한 것이다. 서지보호장치(SPD)는 접속방식에 따라 1-포트 서지보호장치(SPD)와 감결합 요소를 포함한 2-포트 서지보호장치(SPD)로 구분된다. 뇌격전류에 대한 내부 시스템의 보호는 협조된 서지 보호체계를 이루는 계통적인 접근이 필요하다. 이에 대응하기 위해 이론적인 검토를 통해 피뢰구역(LPZ) 정의에 대한 고찰 및 해석을 진행하였다. 뇌서지에 의한 뇌격전류는 상당히 크기 때문에 하나의 서지보호장치(SPD)로 방호하기에는 한계가 발생하며, 이를 해결하기 위해 다단의 종속적으로 서지보호장치(SPD)를 설치하게 된다. 본 논문에서는 전력계통에 있어 한전계통에 연계되는 Incoming side가 아닌 건물 내에 설치되는 분기형 배전패널 내부의 전자식 전력량계 및 각종 통신(제어)설비를 보호할 목적으로 한전계통이 연계되는 MOF 단에 설치되는 LPZ0에 해당하는 피뢰기(LA, SA)와 보호협조를 이루는 LPZ1과 LPZ2의 경계영역에 설치하는 저압 배전계통용 II등급 서지보호장치(SPD)에 대해 설계를 하였다. 또한 감결합 요소가 없고, 부하 전류를 흘릴 수 있는 직렬 접속 방식의 1-포트 서지보호장치(SPD)에 대한 최적의 설계 방안을 도출하고 실험을 통해 기존의 방식과 비교하여 성능 개선과 관련한 검증을 실시하였다.