• Journal of Welding and Joining
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• v.18 no.1
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• pp.97-103
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• 2000

Time series analysis results show the SVD is a candidate of on-line monitoring of welding penetration when the covariance matrix of a full penetration is used as a mapping function. As the reconstructed embedding vectors from the chaotic scalar time series are manipulated by the covariance matrix, the mapped tim series lie on a hyper-ellipsoid which the lengths of semi-axes are the squared eigenvalues of the covariance matrix in the case of full penetration. These visualize by two dimensional stroboscope views. The other cases like partial penetration, are different in the sense of sizes and shapes. Here we test two types of time series; the ion current and the X-ray. The ion current is better than the X-ray as an on-line monitoring signal, because the difference of the eigenvalue spectrum of the ion(between the pull penetration and partial penetration) is bigger than those of the X-ray.

• Proceedings of the Optical Society of Korea Conference
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• 2007.02a
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• pp.255-256
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• 2007

• Proceedings of the KSRS Conference
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• 2009.03a
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• pp.202-206
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• 2009

본 논문에서는 X-band GB-SAR 시스템을 이용하여 지상을 모니터링 하였으며, 대기 중의 습도와 거리의 영향을 받는 대기보정 상수를 산출하였다. 시스템에서 X-band 안테나는 중심주파수 9.65 GHz, 밴드 폭 600 MHz이며, 신호의 증폭과 다편파 측정 및 분석을 위해 각각 마이크로파 앰프와 마이크로파 스위치를 이용하였다. Azimuth step과 length는 5 cm와 5 m로 최대 관측 거리는 약 200 m 이다. phase 분석에 쓰인 산란체는 총 5개의 trihedral corner reflector로서, 시스템으로부터의 거리를 각각 다르게 설정하였다. 실험은 3일간 연속적으로 수행되었으며, 실험간 상대습도는 최소 50 %에서 최대 90 %까지로 약 40 %의 변화를 보였다. 고정된 상태의 reflector는 마치 이동한 것과 같은 현상을 보였는데 이는 마이크로화의 전파과정에서 발생하는 거리와 습도에 따른 지연효과라고 판단하였으며, 이를 배제하기 위하여 대기보정식을 산출하였다. 산출과정에서 temporal coherence가 0.98 이하인 reflector의 신호는 제외하였는데 이 경우 시스템 및 reflector의 안정성에 문제가 있다고 판단하였기 때문이다. 산출된 대기보정식은 C-band 안테나를 사용한 실험과 비교하여 보았다.

• Proceedings of the Korea Information Processing Society Conference
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• 2017.11a
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• pp.917-919
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• 2017

본 연구에서는 X-ray 산란선 보정을 위한 신경망에서 학습기법의 세부 방법론을 고찰한다. 학습데이터의 생성 과정과 데이터의 표현 과정에서 X-ray 영상의 특성을 반영하여 다양한 방법을 제시하고 실험적으로 고찰하였다. 학습을 위한 계산량의 문제와 유효하지 않은 학습데이터로 인한 성능 저하를 개선하기 위하여 샘플링과정을 수행하고 로컬영역을 고려하는 학습데이터 생성방법을 제시하였다. 실제 동일 피사체에 대하여 그리드 장비를 사용한 영상과 비교한 실험 결과를 통하여 제안된 방법의 유용성을 평가하였다.

• Journal of the Korean Ceramic Society
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• v.28 no.3
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• pp.243-251
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• 1991

High-Tc YBa2Cu3O7-x superconducting thin films have been prepared by single-target off-axis RF magnetron sputtering. Optimal ratio of Y : Ba : Cu of the single-target was determined as 1 : 1.65 : 3.35 in order to obtain the stoichiometric films. Tc, crystalline phase, and microstructures of the surface and cross-section of the ex-situ YBa2Cu3O7-x thin films on MgO(100) had a Tc, zero of 80K, and the films on LaAlO3/Si had a Tc, on-set of 90 K and a Tc, zero of 70 K.

• Proceedings of the Korean Information Science Society Conference
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• 2003.04d
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• pp.551-553
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• 2003

사용자는 기존의 간단한 아날로그 음성 서비스의 수준을 넘어서, 저렴한 서비스를 이용하여 고품질의 음성 서비스, 고속의 데이타 서비스, VOD, 화상회의 등의 서비스를 요구하고 있다. 가입자 요구에 맞는 멀티미디어 등의 광대역 서비스를 제공하는 한 방법은 가입자 댁내까지 광케이블망을 구축하는 것이다, 그러나 이런 광대역 케이블링이 예상되는 모든 가입자에게 제공되는 데는 장기간이 소요될 것이며, 막대한 비용이 투자되어야 하므로 그 실현이 요원하다. 동선을 활용한 xDSL 기술 중 VDSL 는 대칭/비대칭 서비스가 가능하며 최고 50Mbps 급의 멀티미디어 서비스가 가능하다. KT에서 현재 서비스를 제공중인 xDSL 서비스에 대해서 살펴보고 이들 장비를 관리 해주고 있는 IP-xDSL 망관리시스템 구조와 관리 기능 등을 고찰한다.

• Journal of the Korean institute of surface engineering
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• v.43 no.6
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• pp.272-277
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• 2010

We investigated the life time characteristics of OLED device with aluminium oxide ($AlO_x$) passivation film on glass substrate and polyethylene terephthalate (PET) substrate by RF magnetron sputtering for the transparent barrier film applied to flexible OLED device. Basic buffer layer was determined as $Alq_3$(500 nm)-LiF(300 nm)-Al(1200 nm), and the most suitable aluminium oxide ($AlO_x$) film have been formed when the partial volume ratio of oxygen was 20% and the sputtering power was 100 watt and the minimum thickness of buffer was $2\;{\mu}m$. $AlO_x$/epoxy hybrid film was also used as a effective passivation layer for the purpose of improving life time characteristics of OLED devices with the glass substrate and the plastic substrate. Besides, the simultaneous deposition of $AlO_x$/epoxy film on back side of PET could result in better improvement of life time.

• Journal of the Korean institute of surface engineering
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• v.52 no.6
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• pp.342-349
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• 2019

Titanium nitride(TiN) thin films have been deposited on PEN(Polyethylene naphthalate) substrate by reactive RF(13.56 MHz) magnetron sputtering in a 25% N₂/Ar mixed gas atmosphere. The pulsed DC bias voltage of -50V on substrates was applied with a frequency of 350 kHz, and duty ratio of 40%(1.1 ㎲). The effects of pulsed DC substrate bias voltage on the crystallinity, color, electrical properties of TiN_x films have been investigated using XRD, SEM, XPS and measurement of the electrical properties such as electrical conductivity, carrier concentration, mobility. The deposition rates of TiN_x films was decreased with application of the pulsed DC substrate bias voltage. The TiN_x films deposited without and with pulsed bias of -50V to substrate exhibits gray and gold colors, respectively. XPS depth profiling revealed that the introduction of the substrate bias voltage resulted in decreasing oxygen concentration in TiN_x films, and increasing the electrical conductivities, carrier concentration, and mobility to about 10 times, 5 times, and 2 times degree, respectively.

• Proceedings of the Korean Institute of Surface Engineering Conference
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• 2017.05a
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• pp.93-93
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• 2017

고전력 펄스 전원공급장치를 이용한 마그네트론 스퍼터링(high-power impulse magnetron sputtering; HiPIMS)과 직류(direct current; DC) 전원공급장치를 이용한 마그네트론 스퍼터링(DC 스퍼터링)을 이용하여 제조한 티타늄 질화물(titanium nitride; TiN) 박막의 특성을 비교하였다. HiPIMS와 DC 스퍼터링 공정 중에 빗각증착을 적용하여 TiN 박막의 미세구조와 기계적 특성의 변화를 확인하였다. TiN 박막을 코팅하기 위한 기판으로 스테인리스 강판(SUS304)과 초경(cemented carbide; WC-10wt.%Co)을 사용하였다. 기판은 알코올과 아세톤으로 초음파 처리를 실시하여 기판 표면의 불순물을 제거하였다. 기판 청정 후 진공용기 내부의 기판홀더에 기판을 장착하고 $2.0{\times}10^{-5}torr$의 기본 압력까지 진공배기를 실시하였다. 진공 용기의 압력이 기본 압력에 도달하면 아르곤(Ar) 가스를 진공용기 내부로 ${\sim}10^{-2}torr$의 압력으로 주입하고 기판홀더에 라디오 주파수(radio frequency; rf) 전원공급장치를 이용하여 - 800 V의 전압을 인가하여 글로우 방전을 발생시켜 30 분간 기판 표면의 산화막을 제거하는 기판청정을 실시하였다. 기판청정이 완료되면 기본 압력까지 진공배기를 실시하고 Ar과 질소($N_2$)의 혼합 가스를 진공용기 내부로 ${\sim}10^{-3}torr$의 압력으로 주입하여 HiPIMS와 DC 스퍼터링으로 TiN 박막 제조를 실시하였다. 빗각의 크기는 $45^{\circ}$와 $-45^{\circ}$이었다. 제조된 TiN 박막은 주사전자 현미경, 비커스 경도 측정기 그리고 X-선 회절 분석기를 이용하여 특성을 분석하였다. HiPIMS로 제조한 TiN 박막은 기판 전압을 인가하지 않아도 색상이 노란색을 보이지만, DC 스퍼터링으로 제조한 TiN 박막은 기판 전압을 인가하지 않으면 노란색을 보이지 않고 어두운 갈색에 가까운 색을 보였다. TiN 박막의 경도는 HiPIMS로 제조한 TiN 박막이 DC 스퍼터링으로 제조한 TiN 박막보다 높았다. 이러한 TiN 박막의 특성 차이는 DC 스퍼터링과 비교하여 높은 HiPIMS의 이온화율에 의한 결과로 판단된다. 빗각을 적용한 TiN 박막은 미세구조 변화를 보였으며 이러한 미세구조 변화는 TiN 박막의 특성에 영향을 미치는 것을 확인하였다.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2010.08a
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• pp.225-225
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• 2010

적외선 영역에서의 밴드갭 에너지를 가지고 있는 III-V 족 화합물 반도체 물질인 $InAs_xSb_{1-x}$는 좋은 성장 안정성과 높은 전자, 홀 이동도를 가지며, 제작 비용이 적게 드는 등 적외선 광소자 제작에 많은 이점을 가지고 있기 때문에 그에 관한 연구가 최근 활발히 진행 되고 있다. 하지만 이러한 $InAs_xSb_{1-x}$를 소자 제작에 이용하기 위해서는 임의의 As 함량에 따른 InAsSb의 물질의 광학적 특성 정보가 필요하다. 본 연구에서는 1.5~6.0 eV 에너지 구간에서 $InAs_xSb_{1-x}$ ($0{\leq}x{\leq}1$) 화합물의 임의의 As 함량에 따른 유전함수를 분석하고 그 분석 변수들을 보고하고자 한다. 기성박막층착장치 (molecular beam epitaxy)를 이용하여 GaAs 기판 위에 성장 시킨 $InAs_xSb_{1-x}$ (x = 0.000, 0.127, 0.337, 0.491, 0.726, 1.000) 박막의 순수한 유전함수 $\varepsilon$을 화학적 에칭을 통해 산화막 층을 제거하여 타원편광분석법을 이용하여 얻었다. 측정된 유전율 함수는 Gaussian-broadened polynomial 들의 합으로서 반도체 물질의 유전함수를 정확히 기술하는 변수화 모델을 이용하여 재현하였다. 변수화 모델을 통해 얻어진 각각의 변수들을 As 조성비 x 에 대한 다항식으로 피팅하여 임의의 As 조성비에 대한 변수 값을 얻었다. 그 결과 임의의 조성비에 따른 $InAs_xSb_{1-x}$ ($0{\leq}x{\leq}1$) 의 유전율 함수를 얻어낼 수 있었다. 우리는 이러한 결과가 물질의 실시간 성장 모니터링이나 다층구조 분석, 광소자의 제작 등에 유용한 정보를 제공할 것으로 확신한다.