Al electrode for OLED was deposited by FTS (Facing Targets Sputtering) system which can deposit thin films with low substrate damage. The Al thin films were deposited on the cell (LiF/EML/HTL/Bottom electrode) as a function of working gas such as Ar or Ar+kr mixed gas. Also Al thin films were prepared with working gas pressure (1, 6 mTorr). The film thickness and I-V curve of Al/cell were measured and evaluated. In the results, when Al thin films were deposited using pure Ar gas, the turn-on voltage of Al/cell was about 11 V. And using the Ar:Kr($75\%:25\%$) mixed gas, the turn-on voltage of Al/cell decreased to about 7 V.
The gas mixture ratio of PDP discharges plays a very important role in the discharge characteristics of a plasma display panel. The increase of Xe contents results in the increases of luminance and luminous efficiency while it also results in the increase of the breakdown voltage. The addition of He gas increases the brightness and the luminous efficiency. Especially, the luminance and the luminous efficiency have a maximum value when the partial pressure of He is about 10% of the total pressure for a standard plasma display panel with Xe fraction of $10\sim30%$.
This study investigated the changes in performance and operating characteristics of an F-class gas turbine according to the change of working fluid from air to carbon dioxide. The revised gas turbine is the topping cycle of the semi-closed oxy-fuel combustion combined cycle. With the same turbine inlet temperature, the $CO_2$ gas turbine is expected to produce about 85% more power. The main contributor is the greater compressor mass flow and the added oxygen flow for the combustion. Compressor pressure ratio increases about 50%. However, the gas turbine efficiency reduces about 10 %. Modulation of inlet guide vane to reduce the compressor inlet mass flow, the major purpose of which is to reduce the compressor inlet Mach number, was also performed.
본 논문에서는 압력용기의 밀봉성과 밀접한 관계를 맺고 있는 O-링 그루브 형상의 온도분포와 변형거동 특성에 대한 연구를 수행하고자 한다. 압력용기에 작용하는 온도는 히터에 의해 가열되고, 압력은 가스 압축기에 의해 가압된다. 결국, 압력용기는 제한된 작업기간동 안 높은 압력과 높은 온도를 유지해야 한다 이러한 작동조건에서 압력용기의 가스는 구형 그루브에 설치된 두 개의 O-링에 의해 대기중으로 누출되지 말아야 한다. 유한요소해석 결과에 의하면, 압력용기의 밀봉성을 확보하기 위해서는 메탈 시일 소재의 열적, 기계적 특성이 대단히 우수해야 한다는 사실을 지적하고 있다 즉, 메탈 시일 소재는 높은 열전도 계수와 낮은 기계적 강도를 유지해야 밀봉성을 유지하는데 유리하다. 이러한 소재는 O-링을 설치하는 구형 그루브의 밀봉간극이나 그루브의 폭을 줄여줄 수 있기 때문에 압력용기의 밀봉특성을 향상시키게 된다.
Thermal mass flow meter (TMF) is used measuring the small mass flow rate of gases. Generally, flow rate measuring accuracy of TMF is $\pm2{\%}$ of full scale. TMF is manufactured for specified working pressure and specified working gas by customer. If it were applied for different working pressure and gases, flow rate measurement accuracy decreased dramatically. In this study, a TMF tested with three different gases and pressure range of 0.2 MPa to 1.0 MPa. Effect of specific heat cause to increase flow measurement error as much as ratio of specific heat compare with reference gas. Pressure change cause to increase flowrate measurement deviation about $-0.2{\%}$ as the working pressure decreased 0.1 MPa.
In MHD power generation system, enthalpy of the working gas is convened to electric power directly through expansion in generator channel. It means that electric power can be generated without a moving mechanical linkage such as turbine blades. The principle of MHD generation is based on Faraday'law of induction that eletromotive force(u$\times$B) is generated when the working gas of velocity u flows a channel in which magnetic field of strength(B) exists. In this paper, helium gas seeded with cesium is used as working gas. There are two types of generator in MHD generation; linear type faraday and disk type hall generator. Rogowski coils having the bandwidth of the 100(Hz) ~ 20(kHz) were used for measuring current flowing MHD disk channel. Optimum load resistor value of the MHD generator studied was 2.5[$\Omega$]. Disk type hall generator's generation performance is the main target of this paper, which superiors to linear type Faraday generator in many points. Isentropic efficiency and enthalpy extraction rate of disk type shock tube driven hall generator is discussed here.
고갈가스전은 저류층을 개발할 당시 충분한 탄성파 탐사 및 시추 등을 수행하기 때문에 지질구조와 저류층의 물성 등의 파악이 완료된 상태이므로 가스저장전으로의 전환이 용이하다. 이러한 고갈가스전을 가스저장전으로 전환 시 저류층의 압력을 유지하기 위한 쿠션가스는 재생산을 위해 주입된 워킹가스의 재생산율에 영향을 미친다. 본 연구에서는 쿠션가스와 가스재생산율과의 관계 및 재생산 사이클에 따른 적정 쿠션가스의 양을 분석하기 위해 가스저장전의 주입 및 재생산에 대한 시뮬레이션을 수행하였다. 주입 및 재생산 사이클은 5개월 주입 5개월 생산, 7개월 주입 3개월 생산 두 가지 경우에 대한 분석을 수행하였다. 본 시스템을 대상으로 수행한 분석결과, 5개월 주입 5개월 생산 사이클의 경우 최소 10개의 생산정으로 50%의 쿠션가스를 유지해야 안정적인 생산이 가능하였고, 7개월 주입 3개월 생산 사이클의 경우 12개의 생산정으로 60%의 쿠션가스를 유지해야 안정적인 재생산이 가능한 것으로 산출되었다.
수용액에서 탄산계 이온종들은 알칼리도, 완충 용량, 생물학적 생산지수 등과 같은 물의 여러 화학적 성질들을 결정하는데 있어 중요한 역할을 하고 있다. 이러한 화학종들은 또한 수계에서 고체, 액체, 그리고 기체 상태 등으로 변화하며 반응을 하는 특성을 지니고 있다. 고체상이 없는 상황에서 탄산계 이온종들의 총량과 각 이온종들의 상대량은 대기에서의 이산화탄소의 분압에 의해 결정되며 이는 또한 수계의 제반 성질에 직접적인 영향을 미치게 된다. 수환경에서 진행되는 정수, 혹은 폐수 처리 공정, 폐기물 처리공정, 그리고 폐기물의 재활용과 관련된 공정들에 있어 공정의 최적화를 위해서는 수환경의 특성을 파악하는 것이 매우 중요하며 이러한 수환경의 특성에 가장 크게 영향을 미치는 요소들 가운데 하나가 탄산계 이온종들이다. 대기에서의 이산화탄소의 분압과 물의 화학적 성질, 특히 pH와의 근본적인 연관성을 이해하기 위해 물과 접촉한 상태의 드라이아이스로부터 발생하는 순수한 이산화탄소의 활성 분압을 수계에서의 평형론에 근거하여 계산하였다. 탄산의 해리와 관련된 평형상수들을 van't Hoff식에 의해 결정하였으며 평형계산의 결과를 입증하기 위해 pH 에 따른 탄산계 이온종들의 분배 곡선을 작성하였다. 계산된 이산화탄소 기체의 활성 분압은 수용액에서의 탄산계 이온종들의 농도의 함수인 것으로 나타났으며 수용액에서 일어나는 반응들의 체계적 이해를 위해서는 수용액과 접해있는 이산화탄소 등과 같은 기체의 활성 분압에 대한 선행 계산이 필요한 것으로 파악되었다.
International Journal of Precision Engineering and Manufacturing
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제9권2호
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pp.39-43
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2008
Atmospheric pressure plasma polishing (APPP) is a noncontact precision machining technology that uses low temperature plasma chemical reactions to perform atom-scale material removal. APPP is a complicated process, which is affected by many factors. Through a preliminary theoretical analysis and simulation, we confirmed that some of the key factors are the radio frequency (RF) power, the working distance, and the gas ratio. We studied the influence of the RF power and gas ratio on the removal rate using atomic emission spectroscopy, and determined the removal profiles in actual operation using a commercial form talysurf. The experimental results agreed closely with the theoretical simulations and confirmed the effect of the working distance. Finally, we determined the element compositions of the machined surfaces under different gas ratios using X-ray photoelectron spectroscopy to study the influence of the gas ratio in more detail. We achieved a surface roughness of Ra 0.6 nm on silicon wafers with a peak removal rate of approximately 32 $mm^{3}$/min.
In this study Al electrode for OLED was deposited by FTS(Facing Targets Sputtering) system which can deposit thin films with low substrate damage. The Al thin films were deposited on the cell(LiF/EML/HTL/Bottom electrode) as a function of working gas such as Ar, Kr or mixed gas. Also Al thin films were prepared with working gas pressure (1, 6 mTorr ). The film thickness and I-V curve of Al/cell were evaluated by $\alpha$-step and semiconductor parameter (HP4156A) measurement. In the results, when Al thin film were deposited using pure Ar gas, the turn-on voltage of Al/cell was about 11[V]. And the turn-on voltage of Al/cell can be decrease to about 7[V].
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[게시일 2004년 10월 1일]
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