• Journal of Electrical Engineering and Technology
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• 제10권3호
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• pp.1154-1161
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• 2015

This paper presents a semi-lumped balun transformer using conventional PCB process and its design theory and geometry for the maximally flat response and wide bandwidth using magnetically coupled LC resonators. The proposed balun is comprised of two pairs of coupled resonators which share one among three LC resonators. It provides an identical magnitude and phase difference of 180° between two balanced ports with DC isolation and an impedance transformation characteristic. Theoretical design and analysis were performed to optimize the inductance and capacitance values of proposed balun device for obtaining the wide bandwidth and maximally flat response in its pass-band. Three balun transformers with a center frequency of 500 MHz were demonstrated for proving the concept of design proposed. They were fabricated by using lumped chip capacitors and planar inductors embedded into a conventional 4-layered PCB substrate. They exhibited a maximum magnitude difference of 0.8 dB and phase difference within 2.4 degrees.

• 한국정보통신학회:학술대회논문집
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• 한국정보통신학회 2016년도 춘계학술대회
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• pp.630-632
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• 2016

본 논문에서는 포크 모양의 급전 구조를 갖는 변형된 마름모 슬롯 UWB(Ultra Wide Band) 안테나를 제안한다. 제안된 안테나는 마름모 형태의 슬롯 구조로부터 UWB 통신에 적합한 초광대역 특성(3.1~10.6 GHz)을 갖도록 상단과 하단 영역이 제거된 변형된 마름모 구조를 갖도록 설계하였으며 급전구조는 광대역 특성을 갖는 방법으로서 포크 모양의 구조를 사용하였다. 제안된 안테나는 $34mm(W1){\times}34mm(L1){\times}1mm(t)$의 유전율 4.4인 FR-4 유전체 기판 크기에 $30mm(W2){\times}16.75mm(L3+L4)$ 슬롯 크기를 갖도록 설계되었다. 최적화 과정을 거친 후, 제안된 안테나는 제작 및 측정되었다. 측정결과, 제안된 안테나의 반사손실 특성은 3.1 ~ 10.6 GHz 대역에서 -10dB를 기준을 만족하였으며 동작대역에서 측정된 이득과 방사패턴 특성 결과를 얻었다.

• 전자공학회논문지SC
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• 제41권2호
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• pp.37-44
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• 2004

본 논문에서는 전파천문 분야에서 특이한 전파원의 서베이 연구나, 외부은하의 스펙트럴 선 관측연구에 필요한 자기상관분광기 형태의 광-대역 전파분광기 제작에 있어서 가장 핵심적인 역할을 하는 상관기 보드를 설계, 제작하였다. 본 연구에서는 미국 국립천문대(NRAO)에서 개발된 QUAINT 상관기 칩을 사용하여 최대 100 ㎒의 동작 속도로 최대 400 ㎒ 대역폭을 갖는 중간주파수 신호를 분광할 수 있는 상관기 보드를 설계, 제작하였다. 제작된 상관기 보드의 성능시험을 위해 1.67 ㎒와 0.5 ㎒의 구형파를 인가하여 자기상관계수를 구하고, FFT를 취한 결과 이론적인 상관결과와 거의 같은 결과를 얻었다.

• 한국산업정보학회논문지
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• 제20권4호
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• pp.39-45
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• 2015

이 논문은 블라인드 오버샘플링(Blind Oversampling) 기법을 이용한 가변적인 속도 클록 데이터 복원 회로 설계에 관한 내용을 제시하고 있다. 클록 데이터 복원 회로는 기본적으로 클록 복원과 데이터 복원 회로로 구성되어 있다. 클록 복원 회로는 넓은 범위를 가지는 전압 제어 발진기(Wide Range VCO)와 밴드 선택(Band Selection) 기법을 복합적으로 사용하여 구현하였고 데이터 복원 회로는 머저리티 보팅(Majority Voting) 방식을 이용하는 디지털 회로로 제안하여 저전력 및 작은 면적으로 구성하였다. 넓은 범위를 가지는 전압 제어 발진기와 데이터 복원회로를 디지털로 구현함으로써 저전력으로 가변적인 속도 클록 데이터 복원회로 구현이 가능하였다. 설계된 회로는 약 10bps에서 2Mbps 범위에서 동작한다. 전체 전력 소비는 1MHz 클록에서 약 4.4mW의 전력을 소비한다. 공급전압은 1.2V 이며 제작된 코어의 면적은 $120{\mu}m{\times}75{\mu}m$ 이고 $0.13{\mu}m$ CMOS 공정에서 제작되었다.

• 한국전기전자재료학회논문지
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• 제14권2호
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• pp.117-122
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• 2001

In this paper, we report on photoelectrochemical etching process of 6H-SiC semiconductor wafer. The etching was performed in two-step process; anodization of SiC surface to form a deep porous layer and thermal oxidation followed by an HF dip. Etch rate of about 615${\AA}$/min was obtained during the anodization using a dilute HF(1.4wt% in H$_2$O) electrolyte with the etching potential of 3.0V. The etching rate was increased with the bias voltage. It was also found out that the adition of appropriate portion of H$_2$O$_2$ into the HF solution improves the etching rate. The etching process resulted in a higherly anisotropic etching characteristics and showed to have a potential for the fabrication of SiC devices with a novel design.

• 한국표면공학회지
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• 제48권1호
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• pp.7-10
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• 2015

Recently, oxide TFTs has attracted a lot of interests due to their outstanding properties such as excellent environmental stability, high mobility, wide-band gap energy and high transparency, and investigated through the method using vacuum system and wet solution. In the case of the method using wet solution, process is very simple, however, annealing process should be included. In this study, to overcome the problem of annealing process, atmospheric pressure plasma was used for annealing, and the electrical characteristics such as on/off ration and mobility of device were investigated.

• 한국전자파학회논문지
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• 제11권6호
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• pp.969-975
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• 2000

New class of three dimensional (3-D) micromachined microwave planar filters at K and Ka-band are presented using LIGA micro-machined process. The K-and Ka-band filters show wide bandpass characteristics of~36% and ~39% with the insertion loss 1.26dB at 19.11GHz and 1.7dB at GHz, respectively. These filters can be applicable in high power MMIC of MIMIC.

• 한국소성가공학회:학술대회논문집
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• 한국소성가공학회 2003년도 춘계학술대회논문집
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• pp.230-235
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• 2003

In the micro hole punching, the size and shape of burr and burnish zone are very important factors to evaluate quality of micro holes which depend on punch-die clearance, stain rate, workpiece material and etc. To get micro holes with small burr and wide burnish zone for industrial demands, not only the parametric study but also a study on fracture behavior in shear band are necessary. In this study, 100 $\mu\textrm{m}$, 25 $\mu\textrm{m}$ micro holes in diameter were fabricated on brass (Cu63/Zn37) and SUS 316 foils as aspect ratio 1:1, and the characteristics of micro holes was investigated comparing with man holes over several mm by scanning electron microscopic views and section views. Like macro hole, micro hole is also composed of 4 portions, rollover, burnish zone, fracture zone and it shows similar fracture behavior in shear band, but？ by high strain rate (10$^2$∼ 10$^3$s$\^$-1/) unlike macro hole fabrication and increment of relative grain size several different results are shown.

• 한국통신학회논문지
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• 제29권9C호
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• pp.1306-1315
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• 2004

WPAN의 통신방식으로 표준화 작업이 진행 중에 있는 UWB(Ultra Wide Band)는 상용화하는데 있어서 구현상의 어려움이나 기존 시스템과의 간섭 등 여러가지 문제점을 가지고 있다. 본 논문에서는 이러한 문제점을 극복 하기 위한 방안으로 구현상의 어려움을 감소시키는 MIMO(Multi-Input Multi-Output) 구조에 대해 설명하고 기존에 사용하고 있는 PCS나 WLAN과 같은 협대역 시스템의 간섭에 적게 영향을 받도록 하기 위하여 멀티밴드 방식을 적용하기 위한 UWB 송수신 시스템 구조를 제안하고, 수치적 분석 기반의 시abf레이션을 이용하여 잡음 및 협대역 간섭에 대한 특성을 분석한다.

• 한국전기전자재료학회논문지
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• 제29권6호
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• pp.376-379
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• 2016

In this paper, the efficiency improvement of the heterojunction with intrinsic thin layer (HIT) solar cells is obtained by optimization process of p-type a-SiC:H as emitter. The optoelectronic of p-type a-SiC:H layers including the optical band-gap and conductivity under the methane gas content variation is conducted in detail. A significant increase in the Jsc by $1mA/cm^2$ and Voc by 30 mV are attributed to enhanced photon-absorption due to broader band-gap of p-a-SiC:H and reduced band-offsets at p-side interface, respectively of HIT solar cells.