• 한국멀티미디어학회논문지
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• 제12권1호
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• pp.107-121
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• 2009

대기전력(Standby power) 소모가 발생하는 첫 번째 요인은 전원에서 IC로 들어오면서 거쳐야하는 기동전압 때문이며 나머지 하나는 IC가 동작할 때의 전류 때문이다. 본 논문에서는 대기전력 상태와 차단 시점의 패턴분석을 통해서 자동 On/Off할 수 있도록 하는 간단한 모듈장치 구성과 알고리즘 적용에 목적을 두었다. 이를 위해서 전력 신호분석과 모델링에 근간을 두었으며 대기전력 절감을 위해서 On/Off 차단기준을 마련했다. On/Off 차단 시점을 찾기 위해서 $1^{st}$ SCS와 $2^{nd}$ SCS의 차분값(subtraction value), 그리고 콘센트로부터 유입된 초당 샘플링 계수에 대한 중간값(median value)을 중요한 파라미터로써 정의한 다음 대기전력 상태에서의 유사그룹 및 유력패턴 그룹 생성 알고리즘을 수행했다.

• 한국세라믹학회지
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• 제39권2호
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• pp.171-177
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• 2002

본 연구에서는 DC bias가 인가된 유도결합형 플라즈마 열선 화학기상증착법을 이용하여 580$^{\circ}C$의 저온에서 탄소나노튜브를 수직 배향시켰다. 성장된 탄소나노튜브의 기판으로는 강화유리 위에 촉매층으로 Ni과 전도층으로 Cr을 300/200 ${\AA}$(Ni/Cr) 증착된 것으로 R-F magnetron sputtering을 이용하여 제작하였다. 성장 시 RF power와 DC bias power는 150W와 80W이며 텅스텐 필라멘트 power는 7∼8 A로 인가하였다. 성장된 탄소나노튜브는 속이 비어 있는 다중벽으로 이루어 졌으며 성장된 탄소나노튜브 끝단에는 금속 촉매로 보이는 Ni이 존재하는 것을 알 수 있었다. 탄소나노튜브는 흑연화도가 우수하며 그에 따라 탄소나노튜브의 전계 방출 특성도 우수하게 평가되었다. 성장된 탄소나노튜브의 구동 전압은 약 3 V/${\mu}m$이었다.

• The Korean Journal of Ceramics
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• 제3권4호
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• pp.263-268
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• 1997

RuO$_3$ thin films were deposited on Si(100) substrate at low temperatures by hot-wall metalorganic chemical vapor deposition. Bis(cyclopentadienyl) ruthenium, Ru$(C_5H_5)_2$, was used as the precursor RuO$_2$single phase was obtained at a low deposition temperature of 25$0^{\circ}C$ and the crystallinity of RuO$_2$thin films improved with increasing deposition temperature. RuO$_2$thin films grow perpendicularly to the substrate and show the columnar structure. The grain size of RuO$_2$films drastically increases with increasing the deposition temperature. The resistivity of the 180 nm-thick RuO$_2$thin films deposited at 27$0^{\circ}C$ was 136 $\mu$$\Omega$-cm and increased with decreasing film thickness. SrBi$_2Ta_2O_4$ thin films deposited by rf magnetron sputtering on the RuO$_2$bottom electrodes showed a fatigue-free characteristics up to ~10$^10$ cycles under 5 V bipolar square pulses and the remanent polarization, 2 P$_r$ and the coercive field, 2 E, were 5.2$\mu$C/$\textrm{cm}^2$ and 76.0 kV/cm, respectively, for an applied voltage of 5 V The leakage current density was about 7.0$\times$10$^{-6}$ A/$\textrm{cm}^2$ at 150 kV/cm.

• 한국의학물리학회지:의학물리
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• 제7권2호
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• pp.29-40
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• 1996

조사선량율 5mR/h 이상에서 동작하는 원통형 전리함을 설계ㆍ제작하고 상용의 전류계를 이용하여 전하수집 특성을 조사하였다. 전리함은 전체 길이 15.5cm, 직경 5.22cm인 원통형이고 활성체적은 190.4㎤이다. 전리함의 전극은 벽면, 중심축 및 보호전극으로 구성하고, 이들을 동심축상에 배치하여 바탕전류가 8.39$\times$$10^{-14}$ $\pm$1.5$\times$$10^{-15}$ A이 되게 하였다. 전리함에 인가된 전입이 400V일 때 Cs$^{137}$에 대하여 99.7%의 수집효율을 보였으며, 상용의 선량계와 비교한 결과 교정정수 4.531$\times$19$^{7}$ R/C를 구하였다. 에너지 응답특성은 Cs$^{137}$ 을 1로 하였을 때 Am$^{241}$과 Co$^{60}$ 는 각각 1.30, 1.05로 나타났다. 방사선이 전리함의 측면으로 입사할 경우 입사방향에 따른 응답특성의 차이는 무시할 수 있었다.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 1996년도 춘계학술대회 논문집
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• pp.59-62
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• 1996

Plasma displays (PDP) as a large area wall-hanging display device are rabidly developed with flat CRT, TPT LCD and etc. Especially, AC Plasma Display Panels(AC PDPs) have the inherent memory function which is effective for large area displays. The memory function in AC PDPs is caused by the accumulation of the electrical charge on the protecting layer formed on the dielectric layer. This MgO protective layer prevents the dielectric layer from sputtering by ion in discharge plasma and also has the additional important roll in lowering the firing voltage due to the large secondary electron emission coefficient). Until now, the MgO Protective layer is mainly formed by E-Beam evaporation. With increasing the panel size, this process is difficult to attain cost reduction, and are not suitable for large quantity of production. To the contrary, the methode of shuttering are easy to apply on mass production and to enlarge the size of the panel and shows the superior adhesion and uniformity of thin film. In this study, we have prepared MgO protective layer on AC PDP Cell by reactive magnetron sputtering and studied the effect of MgO layer on the surface discharge characteristics of ac PDP.

• 한국진공학회지
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• 제7권2호
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• pp.118-126
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• 1998

반도체 접촉구를 메우기 위하여 소오스의 직진성을 향상시키기 위한 연구를 수행하 였다. 이온화클러스터빔 증착법을 이용하는 동시에 셀의 구조를 개선하여 직진성 향상을 도 모하였다. 중성클러스터 만으로 구리를 증착할 경우 직진성은 매우 우수하였으나 소오스의 표면 이동이 적어 박막은 주상형으로 성장하며 측벽에의 증착은 거의 일어나지 않았으며 성 장에 따라 그림자효과로 인한 단차에서의 벽개가 관찰되었다. 그러나, 가속전압을 인가하여 전하를 띤 클러스터를 형성시켜 증착하였을 때 주상형 성장 모드는 사라졌으며, 직경 0.5$\mu$ m, aspect ratio 2의 접촉구에서 완벽한 바닥면의 도포성을 나타내었고, 측벽에의 증착성도 향상되어 막의 연결성이 개선되었다. 이로써 이온화 클러스터빔 증착법이 직진성을 향상시 켜 작은 접촉구의 메움을 향상시킬수 있는 물리적 증착 방법임을 확인하였다.

• 조명전기설비학회논문지
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• 제15권1호
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• pp.13-21
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• 2001

3전극 교류형 면방전 플라즈마 디스플레이의 방전특성을 분석하여 최대 방전전압에서 나타나는 방전의 불안정성은 2차방전에 의한 벽전하의 부분소거가 원임임을 알았다. 이를 이용하여 어드레스 방전과 표시방전의 상호관계를 고려한 동작마진을 새로이 정의하였고 실험을 통하여 이의 타당성을 검증하였다. 고속 어드레싱을 하기 위해서는 어드레스 펄스폭을 줄여야 한다. 그러나 어드레스 펄스폭이 좁아지면 어드레스 펄스의 동작마진이 줄어든다. 반면에 표시방전 유지펄스의 동작마진은 어드레스 펄스폭이 $1[{\mu}s]$ 이상만 되면 어드레스 펄스폭에 무관하다는 것을 알앗다. 시렇ㅁ결과 펄스폭 $1[{\mu}s]$의 고속 어드레스 ADS 구동방식으로 HDTV급 셀구조를 가지는 플라즈마 디스플레이 패널에 8bit 256계조의 화상을 구현 하였고 $560[cd/m^2]$의 휘도를 얻었다.

• 한국조명전기설비학회지:조명전기설비
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• 제11권6호
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• pp.104-110
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• 1997

본 논문에서는 동축원통 전극내의 파티클이 외함에 충돌하여 발생하는 음향신호를 초음파 센서와 진동센서를 이용하여 측정하고, 이들 신호의 분석과 주파수 스펙트럼 분석에 관하여 연구하였다. 동축원통 전극에서 파티클이 반동운동할 경우의 음향신호는 파티클이 없을 경우의 잡음신호보다 10[dB] 이상의 크기로 측정되어 초음파 및 진동센서를 GIS 외함에 부착하여 측정할 수 있었다. 또한 파티클이 외함에 충돌할 경우와 파티클에 의한 부분방전 및 절연파괴시의 초음파 및 진동신호를 측정하여 밀폐화된 GIS 내부의 파티클이 절연에 미치는 상태를 추정 가능하였다. 또한 파티클의 지름 및 길이의 증가에 따른 측정신호와의 상관관계를 진동신호의 최대진폭 및 평균평방제곱근으로 분석하여 파티클의 크기를 추정 가능함을 확인하였다.

• 한국전기전자재료학회논문지
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• 제23권2호
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• pp.169-173
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• 2010

Because of power consumption increase, global warming, and limitation of installation, not only high reliability and interruption capability but also compact and light power apparatuses are needed. In this paper, E field calculation and experiment were processed to identify the influence of the shape of end shield and gap distance. It is expected that the results of FEM simulation and experiments could be the basic data to develop VI. the results of FEM simulation and experiments are as following. Firstly, maximum E fields were compared by means of finite element method as a function of the shape of end shield. 3 types of models were used to analyze maximum E field of each model and the influence of shape of shield could be identified. As a result, proposed L type shield could reduce the maximum E field by 20%. Secondly, the influence of the gap distance between end shields on E field was analyzed. As the gap distance become short the gap distance between inner walls of ceramic also become short. And the maximum E field concentrated on inner wall of ceramic finally increased. Thirdly, the experiment was conducted by fabricating each prototype. As a result, no creepage occurred in shieldless model. In other words, creepage occurred in the shield-installed models. And creepage inception voltages were different from each other because of the difference of maximum E field. Fourthly, The equation that shows relation between calculated E field and measured creepage inception voltage was proposed as a result of FEM analysis and experiment. It is concluded that when designing VI this equation could be important data to reduce time and cost by identifying indirectly the optimal gap distance and the shape of shield required to prevent creepage.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2000년도 제18회 학술발표회 논문개요집
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• pp.180-180
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• 2000

Plasma source ion implantation is a new doping technique for the formation of shallow junction with the merits of high dose rate, low-cost and minimal wafer charging damage. In plasma source ion implantation process, the wafer is placed directly in the plasma of the appropriate dopant ions. Negative pulse bias is applied to the wafer, causing the dopant ions to be accelerated toward the wafer and implanted below the surface. In this work, inductively couples plasma was generated by anodized Al antenna that was located inside the vacuum chamber. The outside wall of Al chamber was surrounded by Nd-Fe-B permanent magnets to confine the plasma and to enhance the uniformity. Before implantation, the wafer was pre-sputtered using DC bias of 300B in Ar plasma in order to eliminate the native oxide. After cleaning, B2H6 (5%)/H2 plasma and negative pulse bias of -1kV to 5 kV were used to form shallow p+/n junction at the boron dose of 1$\times$1015 to 5$\times$1016 #/cm2. The as-implanted samples were annealed at 90$0^{\circ}C$, 95$0^{\circ}C$ and 100$0^{\circ}C$during various annealing time with rapid thermal process. After annealing, the sheet resistance and the junction depth were measured with four point probe and secondary ion mass spectroscopy, respectively. The doping uniformity was also investigated. In addition, the electrical characteristics were measured for Schottky diode with a current-voltage meter.