Naturally present antioxidants, tocopherols, carotenoids, and phospholipids in the bran and germ oils from Keumkang (K-WBG oil) and Dark Northern Spring wheats (DNS-WBG oil) were determined during storage under 1700 lux light at $5^{\circ}C$ by HPLC. Oil oxidation was monitored by peroxide values (POV) and conjugated dienoic acid content. The results showed that antioxidants were degraded during storage of the WBG oils under light, with higher degradation rates for carotenoids and phospholipids in the K-WBG oil compared to the DNS-WBG oil. Light increased oil oxidation and the rate of oxidation was higher in K-WBG oil than in the DNS-WBG oil. There was a high correlation between POV and residual amounts of antioxidants during photo-oxidation, with phospholipids showing the greatest effects on POV. This study suggests that a higher amount and lower degradation rate of phospholipids in the DNS-WBG oil contributed to its higher photo-oxidative stability compared to the K-WBG oil.
Autoxidative stability of wheat bran and germ oil extracted from Keumkang wheat (WBG-K) or Dark Northern Spring wheat (WBG-DNS) at $50^{\circ}C$ in the dark was compared by peroxide values (POV) and fatty acid composition by gas chromatography. Changes of minor compounds were monitored by HPLC. WBG-K showed significantly higher linoleic but lower oleic acid content than WBG-DNS. WBG-DNS contained more phospholipids but less tocopherols and carotenoids than WBG-K. POV of oils was increased during storage, with no significant difference in the oxidation rates between two oils. Tocopherols, carotenoids, and phospholipids in both oils were degraded during the autoxidation. Total phospholipids content showed the highest correlation with the degree of oxidation in WBG oils. The results clearly showed that both fatty acid composition and contents of tocopherols, carotenoids, and phospholipids co-affected the autoxidation of WBG oil.
Journal of The Korean Society of Grassland and Forage Science
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v.15
no.3
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pp.215-221
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1995
Three fistulated nonlactating Holstein cows were used to examine the change in ruminal characteristics when fed diets of 100% corn silage, 50% corn silage + 50% wet brewers' grain(WBG) and 100% WBG, and also twenty Holstein heifers averaging 156 $\PM$ 3.2kg BW were randomly assingned to determine the adequate feeding level of concentrate with the following treatments ; Only WBG, concentrate to 0.5, 1.0 and 1.5% of BW under feeding WBG ad libitum. Tne main results were as follows : I. Ruminal pH was minimized 3 hrs after feeding and then gradually increased. The mean ruminal pH was highest in feeding only WBG (6.72) and lowest in only corn silage(6.0) 2. Ruminal $NH_3$-N concentration was maximized 1 hr after feeding and then gradually decreased regardless of diets, n7e average ruminal $NH_3$-N content was highest in diet of 100% WBG(12.9 rngldl) and lowest in 100% corn silage(5.9 mg/dl) 3. Acetic acid percent among VFA was highest when WBG replaced 50% corn silage and acetic to propionic acid ratio was higher in order of feeding only corn silage, 50% corn silage + 50% WBG and only WBG. 4. Ruminal bacteria and protozoa number in diet of 50% corn silage + 50% WBG were 8.14 $\times$ > $10^5$ and 1.45 $\times$$10^5$, respectively, which were most of all treatments. 5. Daily gain and feed efficiency of Holstein heifer in feeding concentrate to 0.5% of BW and forage hay to about 20% of total DM intake when fed free WBG were better
Journal of the Microelectronics and Packaging Society
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v.25
no.4
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pp.17-23
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2018
Recently, electric semiconductors became an issue because of efficient use of energy and compaction of electronics. Silicon electric semiconductors are difficult to put into it because of its physical limitations. Hence, the study of WBG (Wideband Gap) semiconductors like SiC and GaN began. These devices received attention because it can be miniaturized and worked at high temperatures over $300^{\circ}C$. WBG MOSFET electric semiconductors can show performance like silicon IGBT. This can solve the current problem of IGBT tail. The current study shows the technical principles and issues related to SiC and GaN power semiconductors. WBG devices can achieve high performance compared to silicon, but its performance can't be fully utilized because of lack in bonding technology. Therefore, this review introduces research on WBG devices and their packaging issues.
Due to global climate change issues, there is a growing demand for systems throughout the industry. In the case of power conversion, studies have been actively conducted to change the structure of the power conversion circuit and to apply new power devices. In particular, the WBG (Wide Band Gap), which is newly emerged device in the market for developing semiconductor technology, has demonstrated advantages in applying for various aspects in comparison to the existing Si (Silicon) Semiconductor. Recent research centers in the railway industry are focusing on developing technologies suitable for railway vehicles by utilizing these new developments in railway countries such as Japan and Europe. This paper researches the WBG device that is applicable to the auxiliary power supplies (APS) in railway system, and analyzes the downsizing effects to APS in high-speed railway by conducting a theoretical analysis and simulation.
This study was carried out between November 2007 and October 2008 in the experimental farm of Chunnam National University to investigate the effect of feeding of whole crop barley silage on the reproductive performance of Hanwoo heifers and cows. Two diets, rice straw or whole crop barley silage separately from concentrate were fed 11 Hanwoo heifers and 26 Hanwoo cows. In control group (=CON), heifers (n=6) and cows (n=13) were fed 7 kg (/head) rice straw and 4 kg (/head) commercial diet. In whole crop barley silage group (=WBG), heifers (n=5) and cows (n=13) were fed 8 kg (/head) whole crop barley silage and 1 kg (/head) commercial diet. 1. Conception rates for first service in CON or WBG heifers were 66.7% (4/6) and 60.0% (3/5), respectively, and the services per conception cows were $1.5{\pm}0.2$ for CON and $1.4{\pm}0.2$ for WBG group. 2. Days to post-partum insemination were $106.6{\pm}26.3$ days for CON and $85.6{\pm}12.6$ days for WBG group, and days to post-partum conception in CON or WBG were $128.4{\pm}27.1$ and $96.8{\pm}16.8$ days, respectively. 3. Post-partum conception rates for first service in CON or WBG were 76.9% (10/13) and 84.6% (11/13), respectively, and caving interval was $418{\pm}50.7$ days for CON and $392.8{\pm}20.7$ days for WBG group.
본고는 최근 화두가 되고 있는 에너지 절감을 위해 고효율, 친환경의 WBG(Wide Band-Gap) 화합물반도체인 SiC(Silicon Carbide), GaN(Gallium Nitride) 전력반도체 소자 및 전력변환 모듈의 기술동향과 ETRI에서 연구개발 진행 중인 GaN 전력반도체 관련 기술에 대해 기술한다. WBG 전력반도체는 기존의 실리콘 전력반도체와 비교하여 열 특성 향상, 고속 스위칭, 고전압/고전류 특성 및 스위칭 손실 최소화 등이 가능하고 이에 따른 시스템의 소형화 및 전력효율 향상 효과를 얻을 수 있다. 특히, GaN 전력반도체 소자는 시장이 가장 넓게 형성되어 있는 900V 이하에 적용이 가능하며, 앞으로 시장이 커질 것으로 예상되는 HEV(Hybrid Electric Vehicle)/EV(Electric Vehicle)의 친환경 자동차에도 활용될 것으로 기대되고 있다. 본고는 최근의 일본과 미국에서의 WBG 전력반도체에 대한 관심 및 투자 방향과 GaN 전력반도체 소자에 대한 해외 기업의 업계동향에 대해서도 함께 살펴본다. 이러한 WBG 전력반도체에 대한 해외 선진업체의 산업동향과 더불어 ETRI에서 연구개발 중인 GaN 전력반도체 기술현황에 대해 전력소자 설계 및 제조공정, 패키징, 전력모듈 설계 제작 기술을 포함하여 기술한다.
The Transactions of the Korean Institute of Power Electronics
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v.25
no.3
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pp.162-170
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2020
In this paper, we report our study of the current measuring technique by implementing a pick-up coil in the PCB pattern instead of the current measuring sensor in a power converter using a WBG device. The proposed PCB pattern coil structure has a higher mutual inductance value than the conventional pattern by constructing the coil using the multi layer board. It has high sensitivity and is configured without additional process outside the PCB. In the current measurement, the integrator is measured by integrating the coil at the back end and the current waveform measured using proposed pick-up coil is confirmed by comparing it with the original current waveform through DPT simulation.
최근, WBG 반도체 소자에 대한 연구가 활발히 진행됨에 따라 고속 스위칭으로부터 발생되는 문제점들을 해결하기 위한 여러 방안들이 제시되고 있다. WBG 반도체 소자의 안정적인 고속 스위칭을 실현하기 위해서는 게이트 드라이버 내에 존재하는 기생 인덕턴스를 최소화하는 것이 가장 중요하다. 본 논문에서는 layout의 최적화 설계를 통해 GaN FET 구동용 게이트 드라이버 내의 기생 인덕턴스를 최소화할 수 있는 방안을 제시하고 설계를 통해 만들어진 게이트 드라이버를 실험을 통해 스위칭 특성을 분석하였다.
In this paper, WBG semiconductor such as SiC and GaN were applied as power switches for LCL circuit that can be applied to satellite power systems and the test results of the LCL circuit are reported. P-channel MOSFET and N-channel MOSFET, which were generally used in the conventional LCL circuit, were applied together to expand the utility of the test results. The design and stability evaluation were performed using a Micro Cap circuit simulation program. For the test circuit, a module using each switch was manufactured, and a total of 5 modules were manufactured and the steady state and transient state characteristics were compared. From the experimental results, the LCL circuit for power supply of the satellite power system constructed in this paper satisfied the constant current and constant voltage conditions under various operating conditions. The P-channel MOSFET showed the lowest efficiency characteristics, and the three N-channel switches of Si, SiC and GaN showed relatively high efficiency characteristics of up to 99.05% or more. In conclusion, it was verified that the on-resistor of the switch had a direct effect on the efficiency and loss characteristics.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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