• Journal of Power Electronics
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• 제16권5호
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• pp.1904-1917
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• 2016

The moving average filter (MAF) is widely utilized to improve the disturbance rejection capability of phase-locked loops (PLLs). This is of vital significance for the grid-integration and stable operation of power electronic converters to electric power systems. However, the open-loop bandwidth is drastically reduced after incorporating a MAF into the PLL structure, which makes the dynamic response sluggish. To overcome this shortcoming, some new techniques have recently been proposed to improve the transient response of MAF-based PLLs. In this paper, a comprehensive performance comparison of advanced MAF-based PLL algorithms is presented. This comparison includes HPLL, MPLC-PLL, QT1-PLL, and DMAF-PLL. Various disturbances, such as grid voltage sag, voltage flicker, harmonics distortion, phase-angle and frequency jumps, DC offsets and noise, are considered to experimentally test the dynamic performances of these PLL algorithms. Finally, an improved positive sequence extraction method for a HPLL under the frequency jumps scenario is presented to compensate for the steady-state error caused by non-frequency adaptive DSC, and a satisfactory performance has been achieved.

• Transactions on Electrical and Electronic Materials
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• 제14권5호
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• pp.250-253
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• 2013

In this paper, we fabricated 3D pillar type silicon-oxide-nitride-oxide-silicon (SONOS) devices for high density flash applications. To solve the limitation between erase speed and data retention of the conventional SONOS devices, bandgap-engineered (BE) tunneling oxide of oxide-nitride-oxide configuration is integrated with the 3D structure. In addition, the tunneling oxide is modulated by another method of $N_2$ ion implantation ($N_2$ I/I). The measured data shows that the BE-SONOS device has better electrical characteristics, such as a lower threshold voltage ($V_{\tau}$) of 0.13 V, and a higher $g_{m.max}$ of 18.6 ${\mu}A/V$ and mobility of 27.02 $cm^2/Vs$ than the conventional and $N_2$ I/I SONOS devices. Memory characteristics show that the modulated tunneling oxide devices have fast erase speed. Among the devices, the BE-SONOS device has faster program/erase (P/E) speed, and more stable endurance characteristics, than conventional and $N_2$ I/I devices. From the flicker noise analysis, however, the BE-SONOS device seems to have more interface traps between the tunneling oxide and silicon substrate, which should be considered in designing the process conditions. Finally, 3D structures, such as the pillar type BE-SONOS device, are more suitable for next generation memory devices than other modulated tunneling oxide devices.

• 대한전기학회:학술대회논문집
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• 대한전기학회 2005년도 제36회 하계학술대회 논문집 A
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• pp.447-449
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• 2005

Power supply system & environment have been changed according to the universal global electrification, the pursuit of improving productivity and the convenience of life. The various kinds of modem electric facilities and almost of all kinds of digital devices embedded microprocessor are very sensitive to the supplied power quality variations. So, they are stopped and result in large economic damage when even the deterioration of power quality with short duration is occurred, which was not so fatal to the conventional industrial facilities and devices. Conversely, those facilities and digital devices generate many kinds of power quality problems such as harmonic.;, flicker, voltage drop, etc. This paper presents the status of power quality and outlines the development of a new power quality monitoring system based on the experience of a series of authors' researches and field measurements for industrial customers in Korea. It also proposes the functions of the monitoring device and the efficient analysis method based on the Korean electrical act and international standards on power quality. Finally, the authors suggest some countermeasures for advancing the power quality to cope with the competitive electric power market and customers' needs after domestic restructuring of electric power industry.

• 대한전자공학회논문지SD
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• 제42권6호
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• pp.59-66
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• 2005

삼중 대역 무선 랜 응용을 위한 CMOS LC VCO를 1.8V 0.18$\mu$m CMOS 공정으로 설계하였다. 저잡음 특성을 얻기 위하여 VCO 코어는 PMOS 트랜지스터로 구성하였으며 인덕터와 캐패시터를 선택적으로 스위칭하는 기법을 적용하여 5.8GHz 대역 (5.725$\~$5.825GHz), 5.2GHz 대역 (5.150$\~$5.325GHz), 그리고 2.4GHz 대역 (2.412$\~$2.484GHz)에서 동작 가능한 것을 확인하였다. 또한 MOS 버랙터(varactor)에 다중 바이어스를 적용하고 최적화하여 캐패시턴스의 선형 특성을 개선함으로써 VCO의 이득을 선형화하고 PLL의 안정도를 크게 개선하였다. VCO 코어의 소모 전류는 2mA, 면적은 $570{\mu}m{\times}600{\mu}m$이며, 3가지 주파수 대역 모두 1MHz 옵셋에서 -110dBc/Hz 이하의 잡음 특성이 가능함을 확인하였다.

• 대한전자공학회논문지SD
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• 제47권3호
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• pp.51-57
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• 2010

IEEE 802.11n 기반 무선 LAN과 IEEE 802.16e 기반 Mobile WiMAX에 적용할 수 있는 이중모드 직접 변환 수신기를 $0.13\;{\mu}m$ RF CMOS 공정을 이용하여 설계하였다. 설계된 직접 변환 수신기는 2.3-2.7 GHz의 주파수 범위에서 동작을 한다. 저잡음 증폭기에 Current Steering 기술을 사용하여 전체 이득의 크기를 3 단계로 조절이 가능하게 하였다. 플리커 잡음 영향을 낮추기 위해 믹서에 Current Bleeding 기술을 사용하였다. 믹서 LO를 위한 I/Q 위상 신호 발생을 위해 주파수 2-분주회로를 포함하였다. 제작된 직접 변환 수신기는 1.4V의 공급 전원에서 LO 버퍼를 포함하여 56 mA를 사용하며, 32 dB의 전력이득과 4.8dB의 잡음지수, 그리고 +6 dBm의 출력 $P_{1dB}$를 가진다.

• 한국산학기술학회논문지
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• 제8권3호
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• pp.444-453
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• 2007

최근에 전기 아-크로의 보급과 그 운전으로 전력계통에 전압플리커 및 유효전력변동과 같은 전력품질상의 문제가 발생될 가능성이 높은 것으로 보고되고 있다. 이 문제를 해결할 수 있는 방법에는 대표적으로 무효전력보상방법이 있는데, 이것은 유효전력변동의 전력품질문제해결에는 한계가 있다. 따라서, 본 논문에서는 이의 해결책으로서 X/R 비율에 근거한 유효전력보상 개념과 그 최적앨고리즘을 제안하여 이의 타당성을 모델링과 시뮬레이션을 통하여 검증하였다.

• 한국인터넷방송통신학회논문지
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• 제15권3호
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• pp.113-118
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• 2015

본 연구에서는 휴대용 계측기기를 이용한 공장 수용가 전력품질 분석시스템을 제시한다. 기존의 전력품질 분석시스템은 주로 대규모 공장 수용가에서 상시 연결 되어, 공장 전력 데이터를 연속적으로 취득, 저장한 후 분석까지 수행하고 있다. 그러나 이러한 시스템의 문제점은 데이터 취득을 위해 설치된 미터에서 수집된 Raw 데이터를 이용하여 공장 수용가의 전체적인 전력 품질을 감시 할 수는 있으나, 비선형 부하의 조합으로 인한 전력품질 저하 발생 시에는 그러한 상황에 대한 구체적인 원인을 파악하는 것은 불가능하다. 따라서 본 연구에서는 공장의 전력품질 저하가 발생되는 경우 의심되는 여러 부하의 전압, 전류를 직접 측정하여 그 원인이 되는 지점을 쉽게 찾아내고 그에 상응하는 조치가 가능하도록, 휴대용 계측기기 기반 공장 수용가 전력품질 분석시스템을 제시함으로써 보다 안정적인 공장 전력 부하 운영이 가능하도록 한다.

• 한국산학기술학회논문지
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• 제12권6호
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• pp.2739-2746
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• 2011

본 논문은 발전기, 변압기, 선로 및 부하로 구성 되는 복합 전력계통의 등가 리액턴스와 저항의 비율인 X/R 값을 더욱 효과적으로 계산하는 방법을 제안하고 이를 통해 실제 전력계통의 X/R 값을 계산하고 그 특성을 분석한다. 전력계통에서 X/R값은 전력계통의 차단기 정격을 결정하기 위해 사용되는 매우 중요한 값으로 주요 선로의 특징에 따라 X/R 값이 매우 커 전력계통의 해석에서는 등가저항(R)값을 고려하지 않는 것으로 인식되어 왔으나 이는 복합 전력계통에서 선로측만을 고려하였을 경우이고 전력계통의 모든 구성요소룰 고려할 경우 등가저항(R)의 값도 무시해서는 안 될 수준이 된다. 본 논문에서는 전력계통 해석에 널리 사용하고 있는 동적모델을 이용하여 전력계통의 X/R 값을 계산하는 방법을 제안하고 이를 시험계통에 적용하여 그 유용성을 검증 한 후 실제 대규모 복합 전력계통에서의 X/R 값을 분석한다. 또한 본 논문에서는 전력시장에서 사용되어 온 한계손실계수를 이용하여 X/R값이 계산위치의 발전기 근접도에 따라 달라지는 특성을 분석한다.

• 대한전자공학회논문지TC
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• 제41권10호
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• pp.109-117
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• 2004

본 논문에서는 VCDRO, GaAs MESFET, 반사기 등을 이용하여 주파수 체배기 형테로 구성한 K-대역 국부발진기를 설계하고 제작하여 특성을 실험하였다. VCDRO은 위상잡음특성을 개선하기 위하여 저잡음 특성을 가지며 플리커 잡음이 적은 MESFET를 선택하였으며 Q값이 큰 유전체 공진기를 사용하여 선택도를 높였다. 특히, 제안된 주파수 체배기는 반사기와 대역저지필터를 사용함으로써, 일반적인 체배기에 비해 회로의 크기를 줄이고, 고조파 억압특성을 개선했을 뿐만 아니라 더 좋은 변환이득을 얻었다. 제작된 VCDRO의 특성을 측정한 결과, 중심 주파수 12.05 Uh에서 5.8 dRm의 출력 전력과 -37.98 dBc의 고조파 억압, 100 Khz offest 주파수에서 -114 dBc의 위상잡음 특성을 얻을 수 있었으며, 주파수 체배기의 특성을 측정한 결과, 5.8 dBm의 입력신호에 대해 출력 주파수인 24.10 GHz에서 출력 전력은 1.755 dBm이고, 변환이득은 1.482 dB, 고조파 억압은 -33.09 dBc, 100 kHz offset 주파수에서 -98.23dBc의 위상잡음 특성을 얻었다. 주파수 체배 기법을 이용하여 제작된 발진기는 K-대역에서 국부발진기로 이용될 수 있음을 확인하였다.

• 한국조명전기설비학회지:조명전기설비
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• 제9권2호
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• pp.58-67
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• 1995

본 논문은 유도전동기의 운전조작시에 발생되는 자계변화특성에 대하여 기술하였다. 본 측정시스템은 자기적분형 자계센서, 증폭기, 능동형 적분기로 이루어졌으며, 교정실험에 대한 측정계의 주파수대역과 감도는 각각 20[Hz]~0.234[mV/$\mu$T]이다. 유도전동기의 기동과 정상운전중에 발생하는 자계성분을 측정하였으며, 고조파 성분을 고속 푸리에 변환기법으로 분석하였다. 유도전동기의 직입기동시에는 단일성 펄스자계가 강하게 발생하였으며, 이의 피크치는 정상상태의 값보다 5배이상 크게 나타났다. 이러한 긴 과도시간과 강한 자계의 세기는 전동기의 큰 인덕턴스와 동특성에 기인된다. 유도전동기의 정상운전시에는 유도전동기의 극수에 의존하는 기본파에 대한 분조파의 자계성분이 관측되었다. 또한, 자계의 분조파 성분은 전동기의 토크 변동으로 불균일한 회전토크로 인해 생기는 맥동전류와 전압플리커에 의해서 발생하는 것으로 생각된다. 인버터구동형 유도전동기에서는 직입기동에 비하여 많은 고조파 성분이 발생되고 있었으며, 특히 전동기의 구동주파수가 낮을수록 맥동토크에 의한 전류변화로 고조파 성분은 더욱 증가하였다.